阵列基板及显示面板的制作方法

本实用新型涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术：

随着人机交互技术的发展，触控技术越来越多地使用在各种显示器上。电容性触控技术由于其耐磨损、寿命长，用户使用时维护成本低，并且可以支持手势识别及多点触控的优点而被广泛地使用。

电容性触控技术根据不同对象之间的电容的检测方式，可以分为自电容式触控技术和互电容式触控技术。自电容式触控技术根据输入对象和电极之间的电容变化来检测输入对象在触摸屏上的存在、位置及运动。互电容式触控技术则根据输入对象导致的电极间的电容变化来检测输入对象在触摸屏上的存在、位置及运动。

无论采用自电容式触控技术还是互电容式触控技术，内嵌触控电极的显示面板由于其薄型化的特点而被广泛研究。现有技术的显示面板中，通常设置与数据线同层的触控引线以将复用为共用电极的触控电极连接至一驱动集成电路，同时，共用电极所在层位于触控引线所在层之上，并且共用电极在对应触控引线的位置处镂空。然而，这样的设置会产生电场泄露，进而导致显示面板漏光的问题。同时，在一些现有技术中，像素电极层与触控引线位于同一层，若共用电极在触控引线对应位置处镂空，则镂空处段差较大，不利于摩擦配向。

技术实现要素：

本实用新型为了克服上述现有技术存在的缺陷，提供一种阵列基板及显示面板，其可改善由于电场泄露所导致的漏光。

根据本实用新型的一个方面，提供一种阵列基板，包括：基板；第一金属层，位于基板上，包括多条栅极线及栅极电极；第二金属层，位于第一金属层上，与第一金属层绝缘，第二金属层包括多条的数据线、触控引线及源漏极电极；像素电极层，位于第一金属层上，与第一金属层绝缘，像素电极层包括多个像素电极；以及共用电极层，位于像素电极层上，包括复用为第一触控电极的多个共用电极，各共用电极通过相对应的至少一条触控引线连接至触控驱动电路，共用电极在基板上的投影覆盖触控引线在基板上的投影。

根据本实用新型的又一方面，还提供一种显示面板，包括如上所述的阵列基板；彩膜基板，与所述阵列基板相对；以及液晶分子，位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间。

与现有技术相比，本实用新型通过使得共用电极层在基板上的投影覆盖触控引线在基板上的投影来改善由于电场泄露所导致的漏光。同时，通过上述设置，还可以避免出现像素电极层与触控引线位于同一层所导致的段差较大的问题，改善显示面板的摩擦配向。

附图说明

通过参照附图详细描述其示例实施方式，本实用新型的上述和其它特征及优点将变得更加明显。

图1示出了根据本实用新型一实施例的阵列基板的局部示意图。

图2示出了根据本实用新型一实施例的阵列基板的局部简化示意图。

图3示出了图2所示阵列基板的AA’截面图。

图4示出了图2所示阵列基板的BB’截面图。

图5示出了图2所示阵列基板的薄膜晶体管处的截面图。

图6示出了根据本实用新型一实施例的采用自容式触控技术的阵列基板的示意图。

图7示出了根据本实用新型一实施例的采用互容式触控技术的触控电极的示意图。

图8示出了根据本实用新型一实施例的采用互容式触控技术的显示面板的截面图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本实用新型将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。

所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本实用新型的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员应意识到，没有特定细节中的一个或更多，或者采用其它的方法、组元、材料等，也可以实践本实用新型的技术方案。在某些情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本实用新型。

本实用新型的附图仅用于示意相对位置关系，某些部位的层厚采用了夸示的绘图方式以便于理解，附图中的层厚并不代表实际层厚的比例关系。

为了解决现有技术中由于电场泄露所导致的漏光的问题，本实用新型提供一种阵列基板，包括：基板；第一金属层，位于基板上，包括多条栅极线及栅极电极；第二金属层，位于第一金属层上，与第一金属层绝缘，第二金属层包括多条数据线、触控引线及源漏极电极；像素电极层，位于第一金属层上，与第一金属层绝缘，像素电极层包括多个像素电极；以及共用电极层，位于像素电极层上，包括复用为第一触控电极的多个共用电极，各共用电极通过至少一条触控引线连接至触控驱动电路，共用电极在所述基板上的投影覆盖触控引线在基板上的投影。

下面结合附图描述本实用新型提供的多个实施例。

首先参见图1和图2，图1示出了根据本实用新型一实施例的阵列基板的局部示意图，图2示出了根据本实用新型一实施例的阵列基板的局部简化示意图。阵列基板100包括基板101、第一金属层、第二金属层、像素电极层以及共用电极层150。

第一金属层位于基板上。第一金属层包括多条栅极线111及薄膜晶体管130的栅极电极。多条栅极线111可沿X方向(即第一方向)延伸，并按Y方向(即第二方向，垂直于第一方向)排列。

第二金属层位于栅极线111所在的第一金属层上。第二金属层与第一金属层绝缘。第二金属层包括多条数据线121、触控引线122及薄膜晶体管130的源漏极电极。多条数据线121可沿Y方向延伸，并按X方向排列。触控引线122平行于数据线121。

像素电极层位于栅极线111所在的第一金属层上。像素电极层与第一金属层绝缘。像素电极层包括多个像素电极123。各像素电极123与数据线121和触控引线122绝缘。各像素电极123与薄膜晶体管130的漏极电连接。具体而言，各像素电极123位于相邻数据线121之间。可选地，多条数据线121和多条栅极线111交叉形成的多个像素区域，每个像素区域包括一个像素电极123。在本实施例中，像素电极123所在的像素电极层与数据线121所在的第二金属层位于同一层，并由不同的材料制成。通过这样的方式可以减少现有技术中位于第二金属层和像素电极层之间的平坦化层的制程步骤。

共用电极层150位于像素电极123所在的像素电极层上。共用电极层150包括复用为第一触控电极的多个共用电极。各共用电极通过触控引线122连接至触控驱动电路。本实施例中每个共用电极对应连接一条触控引线，在其他的实施方式中，每个共用电极也可以对应连接两条触控引线。

可选地，共用电极层150通过位于所述第二金属层和所述共用电极层之间的第一绝缘层上设置的过孔151电连接至触控引线122。共用电极层150的各共用电极在基板101上的投影覆盖触控引线122在基板101上的投影。具体地，在公共电极层刻蚀形成触控电极，一般地，所述触控电极的尺寸比一个像素单元大很多，可做到60*60个像素单元的大小，触控电极的宽度一般的需求是4mm左右(3～5mm)，如5.5FHD(像素63um)采用60*60像素单元的大小即3.78mm。

由于阵列基板100的各层结构难以通过一个截面图来示出，因此，通过下面结合图3至图5不同位置的截面图来描述阵列基板100的层叠结构。

进一步参见图3，图3示出了图2所示阵列基板的AA’截面图。如图3所示，像素电极123所在的像素电极层和数据线121所在的第二金属层位于基板101上。像素电极123所在的像素电极层与数据线121所在的第二金属层位于同一层。像素电极123与数据线121和触控引线122之间具有间隔以与数据线121和触控引线122绝缘。

共用电极层150位于像素电极123所在的像素电极层上。根据图3，共用电极层150的共用电极在基板101上的投影覆盖触控引线122在基板101上的投影的特征可以更清楚得示出。通过这样的设置方式，可以改善由于共用电极层150下的电场漏电进而产生的漏光问题。

共用电极层150和数据线121所在的第二金属层之间还包括第一绝缘层160。在本实施例中，共用电极层150可以使阵列基板(图1标号100)的上表面平坦化，以此避免出现像素电极层与触控引线位于同一层所导致的段差较大的问题，改善显示面板的摩擦配向。

进一步参见图4，图4示出了图2所示阵列基板的BB’截面图。如图4所示，共用电极层150和数据线121所在的第二金属层之间的第一绝缘层160上设置有过孔151。共用电极层150的公用电极可以通过过孔151与第二金属层的触控引线122电连接。在一些变化例中，共用电极层150的公用电极也可以通过例如桥接等其他方式与触控引线122电连接。本领域技术人员可以实现更多的变化例，在此不赘述。

进一步参见图5，图5示出了图2所示阵列基板的薄膜晶体管处的截面图。薄膜晶体管130位于基板101上，并且薄膜晶体管130的漏极与像素电极电连接来驱动与源漏极电极同层的像素电极。具体而言，薄膜晶体管130包括依次位于基板101上的半导体层134、栅极电极131及源漏极电极132、133。半导体层134和栅极电极131之间、栅极电极131和源漏极电极132、133之间还设置有绝缘层。共用电极层150位于薄膜晶体管130之上。第一绝缘层160位于共用电极层150和薄膜晶体管130之间。图5仅仅示出薄膜晶体管130结构的一种实施例，薄膜晶体管130的结构并非以此为限，薄膜晶体管130可以是顶栅型、底栅型、双栅型等。

下面参考图6，图6示出了根据本实用新型一实施例的采用自容式触控技术的阵列基板的示意图。阵列基板200包括多块复用为第一触控电极的公共电极210。各公共电极210按矩阵形式排列。每块公共电极210通过过孔230与沿Y方向(即第二方向)延伸的触控引线220电连接，并通过触控引线220电连接到触控驱动电路240。触控驱动电路240通过各个触控引线220向公共电极210传输公共电极信号或者触控信号来进行显示或触控检测。采用自容式触控技术的阵列基板100通过测量公共电极210与输入对象之间的电容变化来进行触控感测。

采用自容式触控技术的阵列基板200中，每块公共电极210在基板所在平面上对应覆盖与该公共电极210相交的触控引线220，以此改善由于共用电极层下的电场漏电进而产生的漏光问题。

下面参考图7，图7示出了根据本实用新型一实施例的采用互容式触控技术的触控电极的示意图。图7中示出多个第一触控电极311及多个第二触控电极312。多个第一触控电极311为条状电极。多个第一触控电极311按X方向(即第一方向)排列，并沿Y方向(即第二方向，垂直于X方向)延伸。多个第二触控电极312为条状电极。多个第二触控电极312按Y方向排列，并沿X方向延伸。多个第一触控电极311和多个第二触控电极312在触控显示面板的投影方向上形成多个交叠的区域，该多个交叠区域可用于检测触控是否发生及触控发生的位置。

多个第一触控电极311复用为图1所示共用电极层(图1标号150)的共用电极。多个第一触控电极311通过沿Y方向延伸的触控引线(图1标号122)连接至触控驱动电路，其中触控引线通过过孔连接在第一触控电极311上。多个第一触控电极311在基板所在平面上对应覆盖与该第一触控电极311电连接的触控引线，以此改善由于共用电极层下的电场漏电进而产生的漏光问题。

可选地，多个第二触控电极312和多个第一触控电极311可连接到同一触控驱动电路。在一些变化例中，多个第二触控电极312和多个第一触控电极311可连接到不同的触控驱动电路。

下面参考图8，图8示出了根据本实用新型一实施例的采用互容式触控技术的显示面板的截面图。显示面板包括阵列基板310、彩膜基板320以及液晶分子。阵列基板310和彩膜基板320相对。液晶分子位于阵列基板310和彩膜基板320之间。阵列基板310具有与图1相同的结构。阵列基板的像素电极和共用电极产生的电场使位于阵列基板310和彩膜基板320之间的液晶分子偏转。彩膜基板320设置有色阻材料进而使通过彩膜基板320的光线具有颜色。

阵列基板310包括有复用为第一触控电极311的共用电极层。可选地，显示面板还包括第二触控电极层。第二触控电极层位于彩膜基板320的任一表面。例如，在本实施例中，第二触控电极层位于彩膜基板320背向阵列基板310的表面。第二触控电极层包括多个第二触控电极322。多个第二触控电极322与多个第一触控电极311相对。多个第二触控电极322的延伸方向垂直于多个第一触控电极311的延伸方向(如图6所示)。

上述各个附图仅仅是示意性地示出本实用新型提供的阵列面板和显示面板。为了清楚起见，简化上述各图中的元件形状、元件数量并省略部分元件，本领域技术人员可以根据实际需求进行变化，这些变化都在本实用新型的保护范围内，在此不予赘述。

与现有技术相比，本实用新型通过使得共用电极层在基板上的投影覆盖触控引线在基板上的投影来改善由于电场泄露所导致的漏光。同时，通过上述设置，还可以避免出现像素电极层与触控引线位于同一层所导致的段差较大的问题，改善显示面板的摩擦配向。

以上具体地示出和描述了本实用新型的示例性实施方式。应该理解，本实用新型不限于所公开的实施方式，相反，本实用新型意图涵盖包含在所附权利要求范围内的各种修改和等效置换。