技术特征：
技术总结
本发明公开的一种内外双微环谐振器结构，包括有N‑Sub型衬底，N‑Sub型衬底的顶部设置有SiO2埋层，SiO2埋层顶部的两侧分别设置有上侧直波导和下侧直波导，SiO2埋层顶部的中间分别设置有外环形波导和内环形波导。本发明一种内外双微环谐振器结构具有谐振峰平坦和自由光谱范围大的优点，在不增加芯片面积和工艺成本的情况下，改善了微环谐振器的谐振特性，便于微环谐振器结构向高速、低功耗的方向发展。
技术研发人员：冯松;薛斌;李连碧;雷倩倩;杨延飞;宋立勋;翟学军;朱长军
受保护的技术使用者：西安工程大学
技术研发日：2017.03.02
技术公布日：2017.07.14