1.一种RGBW显示面板，其特征在于，包括多条栅极线(1)、与所述多条栅极线(1)绝缘交叉的多条数据线(2)、由所述多条栅极线(1)与多条数据线(2)界定出的多个呈阵列式排布的子像素、多个TFT(T)、以及遮盖栅极线(1)与扫描线(2)的黑色矩阵(BM)；一个TFT(T)对应一个子像素设置；
所述多个子像素包括多个红色子像素、多个绿色子像素、多个蓝色子像素、及多个空白子像素(W)；对于上下、左右相邻的红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素、与空白子像素(W)，所述红色子像素的TFT、绿色子像素的TFT、与蓝色子像素的TFT均设置在空白子像素(W)中；
每一栅极线(1)包括多个弯折部(11)，所述弯折部(11)位于空白子像素(W)左右两侧的子像素的边界上，使得位于空白子像素(W)上下两侧的子像素的开口率增大。
2.如权利要求1所述的RGBW显示面板，其特征在于，所述弯折部(11)包括第一弯折段(111)和第二弯折段(113)，所述第一弯折段(111)相对远离所述空白子像素(W)朝向所述空白子像素(W)倾斜，所述第二弯折段(113)相对靠近所述空白子像素(W)朝向所述空白子像素(W)倾斜。
3.如权利要求2所述的RGBW显示面板，其特征在于，所述弯折部(11)还包括连接第一弯折段(111)和第二弯折段(113)的直线段(112)。
4.如权利要求1所述的RGBW显示面板，其特征在于，每一栅极线(1)还包括设在两弯折部(11)之间用于连接该两弯折部(11)的直线部(12)。
5.如权利要求2所述的RGBW显示面板，其特征在于，空白子像素(W)的四个角分别分布一个TFT(T)；所述TFT(T)包括半导体层(3)、设于半导体层(3)上方与半导体层(3)绝缘且与栅极线(1)一体的栅极、位于栅极上方与栅极绝缘且与数据线(2)一体的源极、及与数据线(2)同层的漏极(D)；所述漏极(D)连接至半导体层(3)；
所述半导体层(3)的一部分伸出空白子像素(W)分别进入位于空白子像素(W)上下两侧的子像素的内部。
6.如权利要求5所述的RGBW显示面板，其特征在于，所述第一弯折段(111)的最高点与最低点的高度差等于第二弯折段(113)的最高点与最低点的高度差，第一弯折段(111)与竖直方向的夹角等于第二弯折段(113)与竖直方向的夹角。
7.如权利要求6所述的RGBW显示面板，其特征在于，设第一弯折段(111)的最高点与最低点的高度差及第二弯折段(113)的最高点与最低点的高度差均为d，第一弯折段(111)与竖直方向的夹角及第二弯折段(113)与竖直方向的夹角均为α，位于空白子像素(W)上下两侧的子像素的开口率的增大量ΔAR2为：
ΔAR2＝2×(b-s)×d/(a×b)
其中，a表示子像素的名义高度，b表示子像素的名义宽度，s表示黑色矩阵(BM)的遮光宽度。
8.如权利要求7所述的RGBW显示面板，其特征在于，第一弯折段(111)的最高点与最低点的高度差及第二弯折段(113)的最高点与最低点的高度差d的计算公式为：
d＝2×l×m/[s(tgα-1)+b]
其中，l表示TFT的半导体层(3)进入位于空白子像素(W)上下两侧的子像素的内部与相应子像素进行重叠的高度、m表示TFT的半导体层(3)进入位于空白子像素(W)上下两侧的子像素的内部与相应子像素进行重叠的宽度。
9.如权利要求5所述的RGBW显示面板，其特征在于，还包括基板、及设于基板上于半导体层(3)下方进行遮光的遮光层(5)；所述半导体层(3)的材料为多晶硅。