光罩的制作方法

本实用新型涉及半导体领域，具体涉及一种晶片生产中使用的光罩。

背景技术：

目前在实际生产过程中，涂布晶片在上胶旋转停止时，由于光刻胶会内缩，导致外圈晶粒上胶量积累，胶层偏厚，影响产品外观，需要人工划除，而人工划除不仅浪费工时，还有可能对晶片造成损坏，影响生产效率、增加生产成本。

技术实现要素：

本实用新型针对以上问题，提供了一种防止光刻胶内缩堆积、影响晶片外观的光罩。

本实用新型的技术方案是：包括基板和设在基板上的、由光阻层构成的图案，所述基板上、所述图案的周围设有一条闭环的蚀刻槽。

所述蚀刻槽的截面为U型。

所述蚀刻槽内设有圆环型的弹性挡板和弹性密封膜，所述弹性挡板通过若干与蚀刻槽的槽底平行的连接杆连接在蚀刻槽的外侧壁上，所述连接杆伸出基板；

所述连接杆上设有若干凹槽，所述基板的侧壁上、连接杆伸出的开口处设有卡件；

所述弹性密封膜的内边固定在弹性挡板的上部，所述弹性密封膜的外边固定连接在蚀刻槽的外侧壁上。

所述卡件为弯钩，所述弯钩的钩体内侧可适配在凹槽中，所述弯钩的非钩体端旋转连接在基板的侧壁上。

所述卡件为对称设置的两个可适配在凹槽中的卡扣，所述卡扣滑动连接在基板的侧壁上。

本实用新型的有益效果是：通过在光罩板外圈增加一条蚀刻槽，使光阻胶涂布晶片在旋转停止时蚀刻槽有一定距离缓冲，最终使到晶粒台面的光阻胶积累量变少，达到晶片台面光阻胶减薄的目的，改善晶片了外观，节省了人工工时，提升了产出率；在蚀刻槽中设弹性挡板和弹性密封膜，用来调节蚀刻槽的宽度，可根据布胶的厚度来调节，扩大本实用新型的使用范围。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图，

图2是图1中的A-A向剖视图，

图3是图2中B处的放大示意图，

图4是图2第一种实施方式的左视图，

图5是图2第二种实施方式的左视图；

图中1是基板，11是蚀刻槽，2是弹性挡板，3是弹性密封膜，4是连接杆，41是凹槽，51是弯钩，52是卡扣。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作具体说明。

本实用新型包括基板1和设在基板1（玻璃板）上的、由光阻层构成的图案，所述基板上1、所述图案的周围设有一条闭环的蚀刻槽11（一般为圆环型）。使光刻胶内缩时在蚀刻槽11中缓冲，从而不会堆积在一个地方，造成胶层偏厚，改善晶片了外观，节省了人工工时，提升了产出率；

所述蚀刻槽11的截面为U型。

所述蚀刻槽11内设有圆环型的弹性挡板2和弹性密封膜3，所述弹性挡板2通过若干与蚀刻槽11的槽底平行的连接杆4连接在蚀刻槽11的外侧壁上（本实用新型中蚀刻槽的内侧、外侧的定义为：靠近基板的中心为内侧，远离基板的中心为外侧），所述连接杆4伸出基板1外；

所述连接杆4上设有若干凹槽41，所述基板1的侧壁上、连接杆4伸出的开口处设有卡件；

所述弹性密封膜3的内边固定在弹性挡板2的上部，所述弹性密封膜3的外边固定连接在蚀刻槽11的外侧壁上，弹性密封膜3使蚀刻槽的外侧壁和弹性挡板之间密封，使起缓冲作用的是弹性挡板2和蚀刻槽11内侧壁形成的槽。通过推拉连接杆4调节弹性挡板2在蚀刻槽中的位置，从而实现调节蚀刻槽11槽口宽度的目的。在实际使用过程中，可根据布胶的厚度需要来调节蚀刻槽11宽度，如果需要布胶较薄，那么调大蚀刻槽11的宽度，如果需要布胶较厚，那么调小蚀刻槽的宽度。本实用新型依附弹性挡板2和弹性密封膜3的弹性来实现调节。

本实用新型的第一种实施方式，所述卡件为弯钩51，所述弯钩51的钩体内侧可适配在凹槽41中，所述弯钩51的非钩体端旋转连接在基板1的侧壁上。如连接在设在基板上的螺栓上，或者铰接在基板上。调节时，依次将各连接杆4调到需要的位置，并用弯钩51固定。

本实用新型的第二种实施方式，所述卡件为对称设置的两个可适配在凹槽41中的卡扣52，所述卡扣52滑动连接在基板1的侧壁上，如在基板1的侧壁上设与基板弧度一致的T型槽，卡扣52适配在T型槽中。调节时，依次将各连接杆4调到需要的位置，并用卡扣52固定。

本实用新型通过在光罩板外圈增加一条蚀刻槽，使光阻胶涂布晶片在旋转停止时蚀刻槽有一定距离缓冲，最终使到晶粒台面的光阻胶积累量变少，达到晶片台面光阻胶减薄的目的，改善晶片了外观，节省了人工工时，提升了产出率；在蚀刻槽中设弹性挡板和弹性密封膜，用来调节蚀刻槽的宽度，可根据布胶的厚度来调节，扩大本实用新型的使用范围。