用于测量由光刻工艺形成在衬底上的结构的量测设备、光刻系统、以及测量由光刻工艺形成在衬底上结构的方法与流程

技术特征：

技术总结
公开了量测设备和方法。在一个设置中，量测设备包括使用测量辐射照射结构并且检测由结构散射的测量辐射的光学系统。光学系统包括将被散射的测量辐射聚焦至传感器上的透镜的阵列。色散元件将在多个非重叠波长频带的每一个中的经散射的测量辐射独占地引导至透镜的阵列的不同的相应透镜上。

技术研发人员：N·潘迪
受保护的技术使用者：ASML荷兰有限公司
技术研发日：2017.08.10
技术公布日：2019.04.16