本发明属于集成电路或半导体应用技术领域，尤其涉及一种光致抗蚀剂剥离剂及光致抗蚀剂剥离方法。
背景技术：
fpd基于例如lcd、led、el、vfd、fed、sed、pdp等各种显示原理，具有配设了微细导线的电极结构，在其制造工序中使用光致抗蚀剂。例如，在液晶显示器中，在形成于基板上的al、al合金、cu、cu合金等导电性金属膜、sio2膜等绝缘膜上涂布光致抗蚀剂，对其实施曝光、显影的处理，形成抗蚀剂图案，以该图案化的抗蚀剂作为掩模对上述导电性金属膜、绝缘膜等进行蚀刻，形成微细导线后，用剥离剂除去不要的抗蚀剂层，从而制造液晶显示器。
光致抗蚀剂是在照相平版印刷工艺中必不可少的物质，而照相平版印刷工艺一般还应用于集成电路等半导体装置。在进行照相平板印刷工艺之后，光致抗蚀剂在高温下被剥离溶液去除，但是在此过程中存在下部金属膜可能过快地被剥离溶液腐蚀的问题。
光致抗蚀剂应当能够在低温下于短时间内剥离，并且其应当具有极好的剥离能力，以使冲洗后基底上不存在光致抗蚀剂残余物质。另外，光致抗蚀剂应当具有低腐蚀性，以防止光致抗蚀剂下层的金属膜或绝缘膜受损坏。如果构成剥离剂的溶剂之间发生相互作用，则剥离剂的储存稳定性会出现问题，而且可能会由于剥离剂制造时混合顺序的不同而表现出不同的性质，因此，光致抗蚀剂的混合的溶剂之间应当具有惰性和高温稳定性。考虑到工作人员的安全或废物处理造成的环境问题，光致抗蚀剂还应当低毒性。当光致抗蚀剂在高温过程中进行剥离时，如果出现大量挥发，则构成组成比例会迅速变化，从而使剥离剂的过程稳定性和工作重现性降低。因此，光致抗蚀剂应当具有低挥发性。预定量的剥离剂所能处理的基底数量应当较高，组成剥离剂的组分应当容易获得，组分应当廉价，并且废弃的剥离剂应当可通过再处理而再利用，从而应当能够确保经济效率。
因此，具有合适配比组分的光致抗蚀剂剥离剂有利于其在集成电路、半导体装置或液晶显示器中的应用。
技术实现要素：
本发明的目的是为了解决上述技术问题，而提供一种光致抗蚀剂剥离剂及光致抗蚀剂剥离方法，从而实现优异的光致抗蚀剂移除和剥离性能。为了达到上述目的，本发明技术方案如下：
光致抗蚀剂剥离剂，包括如下质量百分比组分，胺系化合物10-25％，极性溶剂55-75％，防腐蚀剂0.5-1.2％，水10-20％。
具体的，所述胺系化合物包括选自链状胺化合物和环状胺化合物的至少一种。具体的，所述链状胺化合物包括(2-氨基乙氧基)-1-乙醇(aee)、氨基乙基乙醇胺(aeea)、单乙醇胺、n-甲基乙基胺(n-mea)、1-氨基异丙醇(aip)、甲基二甲胺(mdea)、二亚乙基三胺(deta)和三亚乙基四胺(teta)中一种或多种。
具体的，所述环状胺化合物包括咪唑基-4-乙醇(ime)、氨基乙基哌嗪(aep)和羟基乙基哌嗪(hep)中一种或多种。
具体的，所述极性溶剂包括非质子性极性溶剂和质子性极性溶剂。
具体的，所述非质子性极性溶剂为二甲亚砜、n-甲基甲酰胺、n-甲基-2-吡咯烷酮、n,n-二甲基乙酰胺、n,n-二甲基甲酰胺、n,n-二乙基甲酰胺、n,n-二甲基咪唑、γ-丁内酯、环丁砜、四氢糠醇中一种或多种。
具体的，所述质子性极性溶剂为乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、四乙二醇、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚、乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、二乙二醇乙醚、二乙二醇丁醚、三乙二醇甲醚、三乙二醇乙醚、三乙二醇丁醚、二丙二醇甲醚、二乙二醇二甲醚、二丙二醇甲醚以及二丙二醇乙醚中一种或多种。
具体的，所述防腐蚀剂包括邻苯二酚、连苯三酚、没食子酸、邻苯二甲酸、邻苯二甲酸酐，其中各组分的比例为1-2:0.2-0.5：0.3-0.7：0.4-0.5：1-2。
光致抗蚀剂剥离方法，包括如下步骤：
s1，将光致抗蚀剂涂布于导电金属膜或绝缘膜上，形成光致抗蚀剂图案；
s2，使用所述图案的光致抗蚀剂作为掩模蚀刻所述导电金属膜或绝缘膜；
s3，使用所述的光致抗蚀剂剥离剂除去光致抗蚀剂。
与现有技术相比，本发明光致抗蚀剂剥离剂及光致抗蚀剂剥离方法的有益效果主要体现在：
光致抗蚀剂能够在低温下于短时间内剥离，并且具有极好的剥离能力，冲洗后基底上不存在光致抗蚀剂残余物质；光致抗蚀剂剥离剂具有低腐蚀性，防止光致抗蚀剂下层的金属膜或绝缘膜受损坏，构成剥离剂的溶剂之间不发生相互作用，剥离剂的储存稳定性，光致抗蚀剂的混合的溶剂之间具有惰性和高温稳定性；考虑到工作人员的安全或废物处理造成的环境问题，光致抗蚀剂剥离剂低毒性，当光致抗蚀剂在高温过程中进行剥离时，不出现大量挥发，构成组成比例不会迅速变化，剥离剂剥离的过程具有稳定性；光致抗蚀剂剥离剂具有低挥发性，预定量的剥离剂所能处理的基底数量较高，组成剥离剂的组分容易获得，组分廉价，并且废弃的剥离剂可通过再处理而再利用，从而能够确保经济效率。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
实施例1：
本实施例是光致抗蚀剂剥离剂，包括如下质量百分比组分，胺系化合物19％，极性溶剂66％，防腐蚀剂0.9％，水14.1％。
胺系化合物包括选自链状胺化合物和环状胺化合物的至少一种。
链状胺化合物包括(2-氨基乙氧基)-1-乙醇(aee)、氨基乙基乙醇胺(aeea)、单乙醇胺、n-甲基乙基胺(n-mea)、1-氨基异丙醇(aip)、甲基二甲胺(mdea)、二亚乙基三胺(deta)和三亚乙基四胺(teta)中一种或多种。
环状胺化合物包括咪唑基-4-乙醇(ime)、氨基乙基哌嗪(aep)和羟基乙基哌嗪(hep)中一种或多种。
极性溶剂包括非质子性极性溶剂和质子性极性溶剂。
非质子性极性溶剂为二甲亚砜、n-甲基甲酰胺、n-甲基-2-吡咯烷酮、n,n-二甲基乙酰胺、n,n-二甲基甲酰胺、n,n-二乙基甲酰胺、n,n-二甲基咪唑、γ-丁内酯、环丁砜、四氢糠醇中一种或多种。
质子性极性溶剂为乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、四乙二醇、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚、乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、二乙二醇乙醚、二乙二醇丁醚、三乙二醇甲醚、三乙二醇乙醚、三乙二醇丁醚、二丙二醇甲醚、二乙二醇二甲醚、二丙二醇甲醚以及二丙二醇乙醚中一种或多种。
防腐蚀剂包括邻苯二酚、连苯三酚、没食子酸、邻苯二甲酸、邻苯二甲酸酐，其中各组分的比例为1.5:0.35：0.5：0.45：1.5。
光致抗蚀剂剥离方法，包括如下步骤：
s1，将光致抗蚀剂涂布于导电金属膜或绝缘膜上，形成光致抗蚀剂图案；
s2，使用所述图案的光致抗蚀剂作为掩模蚀刻所述导电金属膜或绝缘膜；
s3，使用光致抗蚀剂剥离剂除去光致抗蚀剂。
实施例2：
相对于实施例1的区别点在于：
本实施例是光致抗蚀剂剥离剂，包括如下质量百分比组分，胺系化合物10％，极性溶剂75％，防腐蚀剂0.5％，水14.5％。
防腐蚀剂包括邻苯二酚、连苯三酚、没食子酸、邻苯二甲酸、邻苯二甲酸酐，其中各组分的比例为1:0.5：0.3：0.5：1。
实施例3：
相对于实施例1的区别点在于：
本实施例是光致抗蚀剂剥离剂，包括如下质量百分比组分，胺系化合物25％，极性溶剂55％，防腐蚀剂1.2％，水18.8％。
防腐蚀剂包括邻苯二酚、连苯三酚、没食子酸、邻苯二甲酸、邻苯二甲酸酐，其中各组分的比例为2:0.2：0.7：0.4：2。
应用上述实施例时，光致抗蚀剂能够在低温下于短时间内剥离，并且具有极好的剥离能力，冲洗后基底上不存在光致抗蚀剂残余物质；光致抗蚀剂剥离剂具有低腐蚀性，防止光致抗蚀剂下层的金属膜或绝缘膜受损坏，构成剥离剂的溶剂之间不发生相互作用，剥离剂的储存稳定性，光致抗蚀剂的混合的溶剂之间具有惰性和高温稳定性；考虑到工作人员的安全或废物处理造成的环境问题，光致抗蚀剂剥离剂低毒性，当光致抗蚀剂在高温过程中进行剥离时，不出现大量挥发，构成组成比例不会迅速变化，剥离剂剥离的过程具有稳定性；光致抗蚀剂剥离剂具有低挥发性，预定量的剥离剂所能处理的基底数量较高，组成剥离剂的组分容易获得，组分廉价，并且废弃的剥离剂可通过再处理而再利用，从而能够确保经济效率
以上所述的仅是本发明的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。