专利名称：光致抗蚀剂处理方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体集成电路制作工艺，更具体地涉及半导体制作工艺中光致抗蚀剂的处理方法。
背景技术：
在半导体集成电路制作工艺中，光致抗蚀剂的使用非常广泛，用以界定蚀刻位置等用途。
举例而言，在DRAM内存装置的制作工艺中，其中有两个金属层互连的制作工艺部分，如图1所示，附图标记10表示第一金属层，11表示介电层，12表示第二金属层，13表示形成于界电层11中的沟道，用于填入金属以使第一金属层10以及第二金属层12互连。
接下来，利用光致抗蚀剂界定第二金属层12中欲蚀刻的部分以及欲保留的部分，以便使第二金属层12形成所需图样。如果光致抗蚀剂太厚会影响后续蚀刻处理程序中的分辨率，因此使得所蚀刻出来的图样(如金属线路)劣化，也会造成留下的光致抗蚀剂的纵深比太高而产生问题。因此，为了不使用厚度太厚的光致抗蚀剂，一般先形成一层硬掩模(hard mask)14，然后再使用一层较薄的光致抗蚀剂15。
由于硬掩模的使用，可无需使用太厚的光致抗蚀剂，从而避免分辨率不佳的问题。然而，硬掩模在蚀刻处理完之后，有难以移除的缺点。
因此，需要有解决上述问题的方法，本发明即满足此项需求。
发明内容
本发明之目的为提供一种光致抗蚀剂处理方法，其可使光致抗蚀剂紧密化，从而使厚度降低同时维持相当的抗蚀刻能力。
根据本发明之一方面，该光致抗蚀剂处理方法是在光致抗蚀剂形成图样之后或之前，对光致抗蚀剂施以等离子处理，以使光致抗蚀剂紧密化。
根据本发明之另一方面，该光致抗蚀剂处理方法中，是利用氩气等离子处理光致抗蚀剂。
下列图式中，并非依照实际尺寸比例绘制，仅为显示各部分相关的关系，此外，相同的附图标记表示相同的部分。
图1示出现有技术DRAM内存装置的制作工艺中有两个金属层互连的制作工艺部分欲形成图样的步骤；以及图2示出根据本发明的DRAM内存装置的制作工艺中有两个金属层互连的制作工艺部分欲形成图样的步骤。
附图标记说明10第一金属层11介电层12第二金属层13沟道14硬掩模15光致抗蚀剂25光致抗蚀剂具体实施方式
本发明提出一种方法，可使得在例如于金属层制作图样时，可不需使用硬掩模，亦可降低光致抗蚀剂的厚度。
以前述之DRAM内存装置的制作工艺中两个金属层互连的制作工艺部分为例，参照图2，附图标记10表示第一金属层，11表示介电层，12表示第二金属层，13表示形成于界电层11中的沟道，该沟道填入金属以使第一金属层10以及第二金属层12互相连接。
在第二金属层12制作图样时，先使用较厚的光致抗蚀剂，通过掩模以便在该光致抗蚀剂界定出图样，进行曝光、显影成像，移除光致抗蚀剂不需要的部分，留下必要的部分形成图样，然后将留下的光致抗蚀剂25以等离子处理，于本实施例中，较佳的是使用氩气(Ar)等离子，使光致抗蚀剂紧密化，因而光致抗蚀剂25的厚度会变小，但抗蚀刻的能力则不变。举例而言，如果原先厚度为1.4微米的光致抗蚀剂，经过Ar等离子处理之后，其厚度变成1.2微米，然而其抗蚀刻的能力与一般经等离子处理的1.4微米厚的光致抗蚀剂相当。
上述实施例是在光致抗蚀剂形成图样之后、对光致抗蚀剂施行Ar等离子处理。然而，亦可在光致抗蚀剂施加之后即先以Ar等离子处理光致抗蚀剂，再将处理后的光致抗蚀剂形成图样。
根据本发明，通过等离子处理光致抗蚀剂，可使光致抗蚀剂维持既有的抗蚀刻能力，同时可以降低光致抗蚀剂的厚度，因此可以免除使用硬掩模的需要。
本发明已就实施例作详细说明，然而上述实施例仅为例示性说明本发明之原理以及功效，并非用于限制本发明。熟知此项技艺者可知，不悖离本发明之精神与范畴的各种修正、变更均可实行。本发明之保护范围系如所附之申请专利范围所界定。
权利要求
1.一种光致抗蚀剂处理方法，包含如下步骤在一半导体结构上涂覆一层光致抗蚀剂；对该光致抗蚀剂界定预定的图样；移除该光致抗蚀剂不需要的部分，留下必要的部分以形成图样；以及对于留下之光致抗蚀剂施行紧密化处理。
2.如权利要求1所述的光致抗蚀剂方法，其中该紧密化处理包含等离子处理以使光致抗蚀剂紧密化。
3.如权利要求2所述的光致抗蚀剂方法，其中该等离子处理是利用氩气离子。
4.一种光致抗蚀剂处理方法，包含如下步骤在一半导体结构上涂覆一层光致抗蚀剂；对该光致抗蚀剂施行紧密化处理；以及将该光致抗蚀剂形成图样。
5.如权利要求4所述的光致抗蚀剂方法，其中该紧密化处理包含等离子处理以使光致抗蚀剂紧密化。
6.如权利要求5所述的光致抗蚀剂方法，其中该等离子处理是利用氩气离子。
全文摘要
本发明涉及一种光致抗蚀剂处理方法。本发明的方法在光致抗蚀剂形成图样之后或之前，对光致抗蚀剂施以氩气等离子处理，以使光致抗蚀剂紧密化。
文档编号H01L21/02GK1614516SQ200310114869
公开日2005年5月11日 申请日期2003年11月7日 优先权日2003年11月7日
发明者李秀春, 黄则尧, 陈逸男, 王志达 申请人:南亚科技股份有限公司