1.一种双向驱动微镜芯片，其特征在于：包括衬底（1）、镜面支撑（2）、转轴（3）、两组下驱动装置和至少两组上驱动装置，其中，衬底（1）为soi硅片材料制成的环形结构，且衬底（1）的各部位共面；镜面支撑（2）上彼此相对的两侧边位置分别通过转轴（3）、活动对接衬底（1）环形结构的内侧边，镜面支撑（2）以转轴（3）所在直线为轴自由转动；
两组下驱动装置分别与镜面支撑（2）上位于转轴（3）所在直线两侧、且彼此相对的两侧边一一对应，两组下驱动装置彼此结构相同，各组下驱动装置分别均包括至少一个下驱动本体（4），各个下驱动本体（4）均为soi硅片材料制成，各个下驱动本体（4）彼此结构相同，各个下驱动本体（4）分别均包括至少一根梳齿；各组下驱动装置中，各下驱动本体（4）中各根梳齿的其中一端分别对接镜面支撑（2）上对应侧边的外侧，各下驱动本体（4）中各梳齿彼此相平行、以及相邻梳齿之间等间距，且各下驱动本体（4）中各根梳齿彼此共面，以及该共面与镜面支撑（2）所在面相共面；两组下驱动装置中的各下驱动本体（4）相对转轴（3）所在直线呈轴对称；
上驱动装置的组数与下驱动本体（4）的数目相等，各组上驱动装置的结构彼此相同，各组上驱动装置分别均包括驱动梁（5）、压电驱动装置（6）、主轴（7）、以及对接主轴（7）其中一侧的各根梳齿，各组上驱动装置中，驱动梁（5）与主轴（7）上相对所连各根梳齿的另一侧相连接，各梳齿彼此相平行、以及相邻齿条之间等间距，主轴（7）与其所连各梳齿相共面，压电驱动装置（6）设置于驱动梁（5）的上表面；
各组上驱动装置分别与各下驱动本体（4）一一对应，各组上驱动装置中的驱动梁（5）分别对接衬底（1）环形结构的内侧边，且各组上驱动装置中各根梳齿的位置与对应下驱动本体（4）中各根梳齿的位置彼此相对应，以及在垂直于衬底（1）所在面的方向上，各组上驱动装置中各根梳齿的投影、分别与对应位置下驱动本体（4）中各根梳齿的投影彼此平行、且彼此相互交错；
镜面支撑（2）的上表面设置镜面反射层（8），衬底（1）上表面设置分别与各组上驱动装置、各个下驱动本体（4）一一对应的电极（9），通过向各个电极（9）供电，分别向各根梳齿进行供电、以及分别向对应各组上驱动装置中压电驱动装置（6）施加电压，且对应转轴（3）所在直线的两侧，同侧针对压电驱动装置（6）施加电压的极性相同，以及不同侧针对压电驱动装置（6）施加电压的极性彼此相反；各组上驱动装置中的驱动梁（5）分别在对应压电驱动装置（6）所接受施加电压下产生纵向位移；基于向各根梳齿的供电，各组上驱动装置中各根梳齿与对应位置下驱动本体（4）中各根梳齿之间产生静电力，共同驱动镜面支撑（2）以转轴（3）所在直线为轴转动。
2.根据权利要求1所述一种双向驱动微镜芯片，其特征在于：基于各组上驱动装置中驱动梁（5）分别在对应压电驱动装置（6）所接受施加电压下产生的纵向位移；所述对应转轴（3）所在直线的两侧，单侧的下驱动装置与上驱动装置位于同一高度，两侧装置、以及所述镜面支撑（2）三者分别位于不同高度，且镜面支撑（2）位于三者的中间高度，位于最低高度位置的各上驱动装置中的压电驱动装置（6）接收负电压，位于最高高度位置的各上驱动装置中的压电驱动装置（6）接收正电压。
3.根据权利要求1或2所述一种双向驱动微镜芯片，其特征在于：所述各压电驱动装置（6）的结构彼此相同，各压电驱动装置（6）分别均包括由下至上堆叠的电极层、压电驱动材料层、电极层。
4.根据权利要求3所述一种双向驱动微镜芯片，其特征在于：所述压电驱动材料层为pzt、zno、aln中的任意一种，或其中至少两种的任意组合；所述各压电驱动装置（6）中的电极层为指定金属材料。
5.根据权利要求1或2所述一种双向驱动微镜芯片，其特征在于：所述上驱动装置中驱动梁（5）为直线型结构，驱动梁（5）的中点位置通过连接件（10）与对应主轴（7）上相对所连各根梳齿的另一侧相连接，驱动梁（5）的两端分别对接所述衬底（1）环形结构的内侧边。
6.根据权利要求1或2所述一种双向驱动微镜芯片，其特征在于：所述上驱动装置中驱动梁（5）为u型结构，驱动梁（5）的其中一端连接件（9）与对应主轴（7）上相对所连各根梳齿的另一侧相连接，驱动梁（5）的另一端对接所述衬底（1）环形结构的内侧边。
7.根据权利要求1或2所述一种双向驱动微镜芯片，其特征在于：所述所有上驱动装置平均分布于、所述镜面支撑（2）彼此相对的两侧，且分布于镜面支撑（2）两侧的各上驱动装置、相对所述转轴（3）所在直线为轴呈对称分布。
8.根据权利要求1或2所述一种双向驱动微镜芯片，其特征在于：所述各下驱动本体（4）中各根梳齿均与其所连镜面支撑（2）外侧边相垂直；所述各组上驱动装置中的各根梳齿、均与其所对接主轴（7）的侧边相垂直。
9.一种针对权利要求1至8中任意一项所述一种双向驱动微镜芯片的制造方法，其特征在于，针对soi硅片执行如下步骤，实现所述微镜芯片的制造；
步骤a.针对soi硅片中顶硅层（13-1）的上表面进行热氧化处理，获得预设厚度的氧化层（11），然后进入步骤b；
步骤b.针对soi硅片中顶硅层（13-1）的氧化层（11）上表面，右下至上依次生长指定金属层、pzt层、指定金属层，并图形化刻蚀获得各个压电驱动装置（6），即pzt层构成各压电驱动装置（6）的压电驱动材料层，pt层构成各压电驱动装置（6）中位于压电驱动材料层上下位置的电极层，然后进入步骤c；
步骤c.针对soi硅片中顶硅层（13-1）上表面、非压电驱动装置（6）设置区，淀积预设厚度的au层，并图形化获得镜面反射层（8）、以及各个电极（9），然后进入步骤d；
步骤d.针对soi硅片，由底硅层（13-3）向上，基于图像化刻蚀至顶硅层（13-1）下表面，形成空腔（12），然后进入步骤e；
步骤e.针对soi硅片中顶硅层（13-1）进行刻蚀，获得下驱动装置和上驱动装置之间的梳齿结构。
10.根据权利要求9所述一种针对双向驱动微镜芯片的制造方法，其特征在于：所述步骤d中，针对soi硅片，由底硅层（13-3）向上，基于图像化，应用干法刻蚀、湿法刻蚀、或者干法湿法混合刻蚀中的任意一种方法进行刻蚀处理，至顶硅层（13-1）下表面，形成空腔（12）。