一种紫外正性光刻胶及其高耐热成膜树脂的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种用于半导体生产中产生电路的光刻胶组合物，此光刻胶使用有机 硅改性的线性酚醛树脂，具有比通常的酚醛体系正性光刻胶更高的玻璃化转变温度和耐等 离子蚀刻的性能，能在较高的烘烤温度下保持光刻胶图形不变化，且在干法蚀刻的过程中 有更高的选择比。
【背景技术】
[0002] 在液晶显示器行业和半导体行业中光刻胶用于产生细微的电路图形，通过蚀刻将 细微电路形成于基板上。在目前的行业中，用于TFT-IXD、TN/STN、LED生产中使用的紫外正 性光刻胶基本以线性酚醛树脂体系的光刻胶为主。基于光刻胶本身对线性酚醛树脂的性能 要求和线性酚醛树脂结构的影响，导致此类型的光刻胶在高温烘烤时会产生软化变形的情 况，使分辨率变差，光刻胶性能劣化。本发明所述光刻胶组合物采用新型的有机硅改性的线 性酚醛树脂，可以在保证光刻胶曝光显影性能的前提下，提高光刻胶的软化点和干法蚀刻 过程中的选择比。
[0003] 在专利京东方科技集团股份有限公司.含有重氮基团的高分子感光剂及其制备 方法与光刻胶组合物：中国，201210275419. 9[P]. 2012-11-21.所涉及的一种含有重氮基 团的高分子感光剂及其制备方法与光刻胶组合物。该含有重氮基团的高分子感光剂，其一 般式如式1所示：
【主权项】
1. 一种紫外正性光刻胶组合物包括内容如下：
1. 有机硅改性的线性酚醛树脂
2. 具有重氮萘醌基团的感光剂
3. 极性的高沸点溶剂
4. 表面活性剂
5. 黏附促进剂 权利1中所述光刻胶组合物中的有机硅改性的线性酚醛树脂的分子量为1000? 30000,优选 3000 ?10000。
2. 权利1中所述光刻胶组合物中的有机硅改性的线性酚醛树脂具有如下结构
3. 权利1中所述光刻胶组合物中的具有重氮基团的感光剂为多羟基二苯甲酮和重氮 萘醌磺酰氯的酯化物的一种或者几种，但不局限于此类型，凡曝光后可产生酸且可与酚醛 树脂树脂产生阻溶效果的重氮类感光剂皆可选用。
4. 权利1中所述光刻胶组合物中的极性高沸点溶剂为丙二醇单甲醚醋酸酯、丙二醇单 甲醚、环己酮、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯等中的一种或者几种，但不局限于此，凡能较 好的溶解酚醛树脂、闪点大于40度沸点高于120度的溶剂皆可选用。
5. 权利1中所述光刻胶组合物中的表面活性剂可强烈的降低光刻胶组合物的表面张 力，涂布中产生的mula和spin涂布中产生的干涉条纹，优选为娃氧烧系、氟系。
6. 权利1中所述光刻胶组合物中的黏附促进剂可增强光刻胶与金属、二氧化硅、氧化 铟锡等表面的黏附性，优选为脂肪族胺类、醇胺类、三嗪类等。
7. 权利1中所述的光刻胶组合物中个组分的比例为： 重氮类感光剂：1 %?20% 有机硅改性的线性酚醛树脂：5%?50% 表面活性剂：0?1% 黏附促进剂：〇?20% 极性高沸点溶剂：50 %?90%。
8. 权利1中所述的光刻胶组合物用于光刻制作的工艺为：
1. 旋涂涂布与基板上
2. 用热板或者烘箱烘干残余溶剂
3. 使用接触式或者步进式曝光机曝光
4. 将曝光后的基本进行PEB烘烤
5. 使用2. 38%的四甲基氢氧化铵水溶液显影
6. 将曝光后的光刻胶进行后烘
7. 对基板进行等离子蚀刻
8. 用去胶液对光刻胶进行去除。
【专利摘要】本发明公开了一种紫外正性光刻胶组合物，含有1～20份的重氮类感光剂、5～50份的成膜树脂、0～1份的表面活性剂、0～20份的黏附促进剂以及50～90份的溶剂。此光刻胶组合物使用有机硅改性的线性酚醛树脂具有比通常线性酚醛树脂体系的光刻胶更高的耐热性和玻璃化转变温度，可在更高的烘烤温度下保持图形的稳定，并且具有良好的耐等离子蚀刻的性能，在干法蚀刻的工艺中有很高的选择比。
【IPC分类】G03F7-004, G03F7-00, G03F7-075
【公开号】CN104614942
【申请号】CN201510014008
【发明人】徐亮
【申请人】苏州瑞红电子化学品有限公司
【公开日】2015年5月13日
【申请日】2015年1月8日