0的上方，其保持在低温（例如小于10摄氏 度、可能是小于5摄氏度）。结果是，冷却盘900在晶片上赋予（恒定的）负热负载。这一负 的热负载导致了远离晶片400的热流和朝向冷却盘900的热流，从而从晶片400移除了能 量。一种热传递机制是经由冷却盘和晶片表面之间的气体介质的对流，其来自DGL的气流。 另一种热传递机制是辐射。关于后者，应当考虑冷却盘900的发射率。使冷却盘900设置 有高发射率涂层能够增大热传递，并且因此增大了负的热负载的大小。然而，这意味着：需 要温度传感器以适应所述盘的温度，因为晶片的发射率可能对于不同的曝光层而改变。可 替代地，可以在冷却盘900上使用低发射率的涂层。这帮助使得所述配置对于晶片层的变 化的发射率是具有鲁棒性的。
[0099] 这一冷却盘900帮助防止"第一晶片效应"。这样的效应是源自不同的热条件的效 应，其可以在停工之后的第一测量-曝光循环和随后的测量-曝光循环期间经历的。对于 在第一测量-曝光循环之后的每一测量-曝光循环，来自前一循环的余热，与在第一循环期 间所经历的相比，可能不同地影响晶片温度。这可能在3倍的t大于曝光之间的时间段时 发生，热时间常数t表示系统的步进响应达到其最终的（渐进的）值的l-1/e~63. 2%所 花费的时间。这意味着：在第一层和其他层之间的不同夹持行为的可能性，导致了重叠的惩 罚。冷却盘降低了在所述台上的净能量，其忽略了对于在所述夹持装置中的激进（主动） 冷却的需要（其可能导致来自冷却介质流的由流引起的振动）或甚至对在所述夹持装置中 的主动控制部分的需要。
[0100] 然而，负的热负载的恒定的（DC)行为和EUV曝光负载的开关行为意味着：将在单 独使用冷却盘900时保留所述棋盘图案。这一问题通过LED可切换热源930、950来解决， 其提供了在曝光热负载低或被关闭的时间期间的对晶片的主动的、快速切换的和直接的加 热。注意到，作为提供对晶片的直接加热的替代方案，LED切换热源还可以被配置成提供对 冷却盘900的局部加热。为了补偿这一额外的正的热负载，与如果在没有主动加热的情况 下使用所需要的负载相比，冷却盘900应当提供更大的负的负载。这可以通过（例如）增 大盘900的面积来实现，保持所述盘900在较低的温度或增大DGL的气流（并且因此在盘 900和晶片400之间的气压）。在薄膜加热源950的例子中，这一负的热负载可以变得大于 LED加热源930的例子的负热负载，以补偿（非常小的）绝缘效应960。还可以为了相应的 效应，将可切换的热负载施加至盖板。
[0101] 应当选择由LED加热装置930发射的波长，使得光在晶片中被吸收。LED加热装 置930在图9a中被图示出在冷却盘900的上方。在这一例子中，冷却盘900包括薄硅盘， 其充分地传导以将盘表面热连接至热管920,同时允许辐射940穿过。作为替代，辐射束可 以被设置成来自不同的角度，诸如设置成来自所述一侧。另一可替代的方案将是从卡盘上 的源发射辐射并且从位于投影光学装置盒上的反射镜反射辐射、使其离开。
[0102] 冷却盘900的实施例受益于结合盖板450的实施，该盖板具有用于冷却盖板 450 (如图7b所示的）的调节导管470。在晶片上方的冷却盘900和在支撑块420处的盖 板450之间的温差将热流从盖板450引导至冷却盘900。如果盖板450没有被冷却，那么它 将缓慢地改变其温度。这可能潜在地通过辐射或通过盖板450的膨胀导致支撑块420中的 应力。
[0103] 在其他的实施例中，冷却盘900和主动热源930被设置，而没有盖板450。
[0104] 虽然具体地结合LPP源描述了本发明所公开的设想，但是它们也可以应用于其它 类型的源，诸如DPP源。虽然在将光刻设备用在制造集成电路中的上下文中进行了详细的 说明，但是应该理解，这里所述的光刻设备可以具有其他应用，例如制造集成光学系统、磁 畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器（LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员 将会认识到，在这样替换的应用情形中，此处使用的任何术语"晶片"或"管芯"可以分别认 为是与更上位的术语"衬底"或"目标部分"同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后 进行处理，例如在轨道（一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行 显影的工具）、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将本文的公开内容应 用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层1C， 使得这里使用的所述术语"衬底"也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
[0105] 在允许的情况下，术语"透镜"可以表示不同类型的光学构件中的任何一种或其组 合，包括折射式的、反射式的、磁性的、电磁的以及静电的光学构件。
[0106] 本发明的各实施例还可以由下述的方面限定：
[0107] 1、一种衬底支撑件，所述衬底支撑件用于将具有在EUV范围内的波长或更小波长 的辐射束投影到衬底的目标部分上的类型的设备，所述衬底支撑件包括：
[0108] 衬底台，构造成保持衬底；
[0109] 支撑块，用于支撑所述衬底台；
[0110] 至少一个传感器单元；和
[0111] 盖板，被设置成围绕所述衬底台和所述至少一个传感器单元，所述盖板定位和配 置成导致对于在所述衬底台上的气流的阻力增大。
[0112] 2、根据方面1所述的衬底支撑件，配置成使得所述盖板的顶表面、所述传感器单 元的顶表面和在被安装在所述衬底台上时的衬底的顶表面都大体处于同一高度水平。
[0113] 3、根据方面1或2所述的衬底支撑件，其中所述至少一个传感器单元中的一个或 更多个由所述支撑块支撑。
[0114] 4、根据方面1或2所述的衬底支撑件，其中所述至少一个传感器单元中的一个或 更多个安装在所述盖板内。
[0115] 5、根据前述方面中任一方面所述的衬底支撑件，其中所述盖板包括在其顶表面上 用于所述衬底台和所述至少一个传感器单元的开口。
[0116] 6、根据前述方面中任一方面所述的衬底支撑件，其中所述盖板包括具有围绕所述 传感器单元的升高的或台阶状的轮廓的边缘。
[0117] 7、根据前述方面中任一方面所述的衬底支撑件，其中所述传感器单元包括定位传 感器单元、对准传感器单元、校准传感器单元、温度传感器单元、压力传感器单元、热通量传 感器单元和/或污染传感器单元中的一个或更多个。
[0118] 8、根据前述方面中任一方面所述的衬底支撑件，其中所述盖板与所述支撑块是分 离的并且由所述支撑块支撑。
[0119] 9、根据方面1-7中任一方面所述的衬底支撑件，其中所述盖板和支撑块包括单个 集成的单元。
[0120] 10、根据前述方面中任一方面所述的衬底支撑件，其中所述盖板包括调节元件。
[0121] 11、根据方面10所述的衬底支撑件，其中所述调节元件包括用于承载热交换流体 的一个或更多的导管。
[0122] 12、根据前述方面中任一方面所述的衬底支撑件，其中所述盖板包括用于建立位 于所述盖板正上方的区域和在所述盖板内或下面的一个或更多的导管之间的气流的装置。
[0123] 13、根据方面12所述的衬底支撑件，其中所述气流能够操作以将气体吹送通过所 述盖板和安装在所述衬底台上的所述衬底之间的间隙和/或在所述盖板和任意的传感器 单元之间的间隙，以用作缓冲件。
[0124] 14、根据方面12所述的衬底支撑件，其中所述气流能够操作以将气体从处于所述 盖板正上方的区域、经由所述盖板和安装在所述衬底台上的所述衬底之间的间隙和/或在 所述盖板和任意的传感器单元之间的间隙抽取到所述一个或更多的导管中。
[0125] 15、根据前述方面中任一方面所述的衬底支撑件，其中所述盖板的顶表面包括表 面微结构。
[0126] 16、根据方面15所述的衬底支撑件，其中所述表面微结构包括沟槽表面。
[0127] 17、根据前述方面中任一方面所述的衬底支撑件，其中所述盖板的顶表面包括一 个或更多的宏观尺寸的结构。
[0128] 18、一种衬底支撑件布置，包括：
[0129] 根据前述方面中任一方面所述的衬底支撑件；和
[0130] 冷却元件，位于所述衬底支撑件的上方且能够操作以将直接的负热负载赋予由所 述衬底支撑件支撑的衬底上。
[0131] 19、根据方面18所述的衬底支撑件布置，其中所述冷却元件被定位以便于至少部 分地限制在所述冷却元件和衬底表面之间的气体，所述气体用作从衬底至冷却元件的热传 递的介质。
[0132] 20、根据方面18或19所述的衬底支撑件布置，其中所述冷却元件包括硅盘。
[0133] 21、根据方面18、19或20所述的衬底支撑件布置，包括一个或更多的可切换的加 热源，所述加热源能够操作以提供在由所述衬底支撑件所支撑的衬底上的局部的可切换的 热负载。
[0134] 22、根据方面21所述的衬底支撑件布置，其中所述加热源位于所述冷却元件的上 方，使得由所述加热源发射的辐射透射通过所述冷却元件。
[0135] 23、根据方面21或22所述的衬底支撑件布置，其中所述加热源包括发光二极管器 件，能够操作以发射用于局部加热所述衬底的束。
[0136] 24、根据方面21或22所述的衬底支撑件布置，其中所述加热源包括微机电（MEMS) 装置，能够操作以发射用于局部加热所述衬底的束。
[0137] 25、根据方面21所述的衬底支撑件布置，其中所述加热源包括薄膜加热器。
[0138] 26、根据方面21-25中任一方面所述的衬底支撑件布置，其中所述加热源能够操 作以在具有在所述EUV范围内的波长或更小波长的所述辐射束没有被投影到所述衬底上 时的时间段期间局部地加热所述衬底的多个部分。
[0139] 27、一种衬底支撑件布置，用于将具有在EUV范围内的波长或更小波长的辐射束 投影到衬底的目标部分上的类型的设备，所述衬底支撑件布置包括：
[0140] 衬底支撑件，构造成保持衬底；
[0141] 冷却元件，位于所述衬底支撑件的上方并且能够操作以将直接的负热负载赋予由 所述衬底支撑件支撑的衬底上；和
[0142] 一个或更多的可切换加热源，能够操作以在由所述衬底支撑件所支撑的衬底上提 供局部化的可切换的热负载。
[0143] 28、根据方面27所述的衬底支撑件布置，其中所述冷却元件被定位成以便于限制 在所述冷却元件和衬底表面之间的气体，所述气体用作从衬底至冷却元件的热传递的介 质。
[0144] 29、根据方面27或28所述的衬底支撑件布置，其中所述冷却元件包括硅盘。
[0145] 30、根据方面29所述的衬底支撑件布置，其中所述加热源位于所述冷却元件的上 方，使得由所述加热源发射的辐射透射通过所述冷却元件。
[0146] 31、根据方面27-30中任一方面所述的衬底支撑件布置，其中所述加热源包括发 光二极管器件，能够操作以发射用于局部加热所述衬底的束。
[0147] 32、根据方面27-30中任一方面所述的衬底支撑件布置，其中所述加热源包括微 机电（MEMS)装置，能够操作以发射用于局部加热所述衬底的束。
[0148] 33、根据方面27、28或29所述的衬底支撑件布置，其中所述加热源包括薄膜加热 器。
[0149] 34、根据方面27-33中任一方面所述的衬底支撑件布置，其中所述加热源能够操 作以在具有在所述EUV范围内的波长或更小波长的