5mm)的速度分布云图、压力分布云图、W及垂直中截面（y=0mm)的压力分布云图，由图 分析可得到；装置（e)水平截面压差约为6Pa，装置（g)水平截面压差约为30Pa ;装置（e)垂 直截面压差约为17Pa，装置（g)垂直截面压差约为50化。两种装置显示的是主流场310中 的流速分布均大于零，但装置（e)的流速的分布更为均匀，且压差较小，因此期望第二水平 供液通道460与娃片200上表面的距离hi在1. 5~6mm之间，期望为大于5mm，小于6mm， 第二水平出液通道470与娃片200上表面的距离h2大于等于4mm，小于等于5mm，为得到压 力波动更小的均质流，期望取值为hl=6. 0mm，h2=4. 5mm。
[0099] C组数据：
[0100]
[0101]目P 上述表格中的参数制作装置（e)和装置（h)，得到C组数据的分析结果如 下：
[010引如图17a和1化所示，为hi与h2, W及D1与D2的关系对比，得到的浸液300的流 场水平中截面的流速分布仿真，其中装置（e)表示hl=6mm，h2=4. 5mm，Dl=l. 5mm，D2=2. 0mm 时的流速分布图，装置（h)显示的是hl=4. 5mm，h2=6. Omm, Dl=2. Omm, D2=l. 5mm时的流速分 布图，两种结构明显看出当hl〉h2,且DKD2时，浸液300的流速较大且比较均匀，期望取值 为 Dl=l. 5mm，D2=2. 0mm。
[0103] 因此得到本发明的尺寸设计相互匹配的最优结构，即装置（e):
[0104]
[0105] 综上所述，本发明提供的一种浸液限制机构400,将浸液300限制在投影物镜100 和娃片200之间，包括第一水平供液通道410、第一水平出液通道420、垂直供液通道430、 气液回收通道440 W及供气通道450,所述第一水平供液通道410和第一水平出液通道420 相对设置，所述垂直供液通道430、气液回收通道440和供气通道450的出口由内向外依次 排列于浸液限制机构400的底部，所述第一水平供液通道410、垂直供液通道430分别连接 至供液设备，所述第一水平出液通道420和气液回收通道440分别连接至气液回收设备，所 述供气通道450连接至供气设备，还包括第二水平供液通道460和第二水平出液通道470， 所述第二水平供液通道460和第二水平出液通道470的水平弧度相等，且相对于所述投影 物镜100的中也轴对称分布；所述第二水平供液通道460与娃片200上表面的距离大于第 二水平出液通道470与娃片200上表面的距离，第二水平出液通道470与娃片200上表面 的距离大于投影物镜100下表面与娃片200上表面的距离；所述第二水平供液通道460的 垂直宽度小于所述第二水平出液通道470的垂直宽度。本发明通过增设第二水平供液通道 460和第二水平出液通道470,并对其位置和尺寸进行约束，改善主流场310的流速及均匀 性，并减小曝光场的压力波动，防止压力波动对浸液焦深及套刻的影响。
[0106] 显然，本领域的技术人员可W对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神 和范围。该样，倘若本发明的该些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之 内，则本发明也意图包括该些改动和变型在内。
【主权项】
1. 一种浸液限制机构，将浸液限制在投影物镜和硅片之间，包括第一水平供液通道、第 一水平出液通道、垂直供液通道、气液回收通道以及供气通道，所述第一水平供液通道和第 一水平出液通道相对设置，所述垂直供液通道、气液回收通道和供气通道的出口由内向外 依次排列于浸液限制机构的底部，所述第一水平供液通道、垂直供液通道分别连接至供液 设备，所述第一水平出液通道和气液回收通道分别连接至气液回收设备，所述供气通道连 接至供气设备，其特征在于，还包括与供液设备连接的第二水平供液通道和与气液回收设 备连接的第二水平出液通道。2. 如权利要求1所述的浸液限制机构，其特征在于，所述第二水平供液通道和第二水 平出液通道的水平弧度相等，且相对于所述投影物镜的中心轴对称分布。3. 如权利要求1所述的浸液限制机构，其特征在于，所述第二水平供液通道与硅片上 表面的距离大于第二水平出液通道与硅片上表面的距离，第二水平出液通道与硅片上表面 的距离大于投影物镜下表面与硅片上表面的距离。4. 如权利要求1所述的浸液限制机构，其特征在于，所述第二水平供液通道的垂直宽 度小于所述第二水平出液通道的垂直宽度。5. 如权利要求1~4中任何一项所述的浸液限制机构，其特征在于，所述投影物镜下表 面与硅片上表面之间的距离为0. 1~0. 2mm。6. 如权利要求1~4中任何一项所述的浸液限制机构，其特征在于，所述第二水平供液 通道和第二水平出液通道的截面为矩形或弧形喇叭状。7. 如权利要求1~4中任何一项所述的浸液限制机构，其特征在于，所述浸液限制机构 的高度为9~IOmm ;所述第二水平供液通道与硅片上表面的距离为3. 1~6. 5mm ;所述第二 水平出液通道与硅片上表面的距离为3. 1~5mm。8. 如权利要求7所述的浸液限制机构，其特征在于，所述第二水平供液通道与硅片上 表面的距离为6. Omm ;所述第二水平出液通道与硅片上表面的距离为4. 5mm。9. 如权利要求1~4中任何一项所述的浸液限制机构，其特征在于，所述第二水平供液 通道和第二水平出液通道的水平弧度为70°~120°。10. 如权利要求9所述的浸液限制机构，其特征在于，所述第二水平供液通道和第二水 平出液通道的水平弧度为90°。11. 如权利要求1~4中任何一项所述的浸液限制机构，其特征在于，所述第二水平供 液通道的垂直宽度为1. 5~2. 0mm，所述第二水平出液通道的垂直宽度为2. 0~2. 5mm。12. 如权利要求11所述的浸液限制机构，其特征在于，所述第二水平供液通道的垂直 宽度为I. 5mm,所述第二水平出液通道的垂直宽度为2. 0_。13. 如权利要求1~4中任何一项所述的浸液限制机构，其特征在于，所述第二水平供 液通道连接至独立的正压源，所述第二水平出液通道连接至独立的负压源。14. 如权利要求1~4中任何一项所述的浸液限制机构，其特征在于，所述垂直供液通 道的出口可以是细长的狭缝，也可以是均布的圆形或者方形的小孔。15. 如权利要求14所述的浸液限制机构，其特征在于，所述狭缝的宽度在0. 1~0. 2mm 之间。16. 如权利要求1~4中任何一项所述的浸液限制机构，其特征在于，所述气液回收通 道的出口可以是细长的狭缝，也可以是均布的圆形或者方形的小孔。17. 如权利要求16所述的浸液限制机构，其特征在于，所述狭缝的宽度在0. 4~0. 6mm 之间。18. 如权利要求1~4中任何一项所述的浸液限制机构，其特征在于，所述供气通道结 构为细长的狭缝或均布的圆形或者方形的小孔。19. 如权利要求18所述的浸液限制机构，其特征在于，所述狭缝的宽度在0. 1~0. 2mm 之间。
【专利摘要】本发明涉及一种浸液限制机构，包括第一水平供液通道、第一水平出液通道、垂直供液通道、气液回收通道及供气通道，第一水平供液通道和第一水平出液通道相对设置，垂直供液通道、气液回收通道和供气通道的出口由内向外依次排列于浸液限制机构的底部，第一水平供液通道、垂直供液通道分别连接至供液设备，第一水平出液通道和气液回收通道分别连接至气液回收设备，供气通道连接至供气设备，还包括与供液设备连接的第二水平供液通道和与气液回收设备连接的第二水平出液通道。本发明通过增设第二水平供液通道和第二水平出液通道，并对其位置和尺寸进行约束，改善主流场的流速及均匀性，并减小曝光场的压力波动，防止压力波动对浸液焦深及套刻的影响。
【IPC分类】G03F7/20
【公开号】CN104950585
【申请号】CN201410114022
【发明人】韦婧宇, 聂宏飞, 张洪博, 赵旭
【申请人】上海微电子装备有限公司
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2014年3月25日