-780nm可见光波段下，变色后平均透射率为5-18%，褪色后平均透射率为50-80%。
[0029]实例I
[0030]本发明的一个实例提出一种固态全无机钨系电致变色玻璃，透明导电层2为FTO膜，作为电极与电源或控制器联通，面电阻为10 Ω/cm2，电致变色层3为W03，作为阴极变色层，厚度为500nm;离子传导层4为LiuWuS1.t^O，传输Li +，阻隔电子的通过，厚度为50nm;离子存储层5为Ni4W1，作为阳极变色层，厚度为300nm，与阴极变色层协同变色;透明导电层6薄膜为ITO膜，作为电极与电源或控制器联通，面电阻为10 Ω/cm2。
[0031]电压3V时，其变色范围如图2所示，其中曲线7为着色态，曲线8为褪色态。固态全无机钨系电致变色玻璃380-780nm可见光波段下，变色后透过率为8.2%，而褪色后的透过率为 54.5%0
[0032]实例2
[0033]本发明的一个实例例提出一种固态全无机钨系电致变色玻璃，透明导电层2为FTO膜，作为电极与电源或控制器联通，面电阻为15 Ω/cm2，电致变色层3为W03，作为阴极变色层，厚度为400]1111;离子传导层4为1^().751().1253；[().1250，传输1^+，阻隔电子的通过，厚度为2011111;离子存储层5为附111，作为阳极变色层，厚度为150nm，与阴极变色层协同变色;透明导电层6薄膜为ITO膜，作为电极与电源或控制器联通，面电阻为5 Ω/cm2。
[0034]电压3V时，其变色范围如图3所示，其中曲线9为着色态，曲线10为褪色态。固态全无机钨系电致变色玻璃380-780nm可见光波段下，变色后透过率为8.9%，而褪色后的透过率为60.2%。
[0035]实例3
[0036]本发明的一个实例例提出一种固态全无机钨系电致变色玻璃，透明导电层2为FTO膜，作为电极与电源或控制器联通，面电阻为20 Ω/cm2，电致变色层3为W03，作为阴极变色层，厚度为200nm;离子传导层4为LiQ.33WQ.25Si().Q420，传输Li+，阻隔电子的通过，厚度为1nm;离子存储层5为Ni9W1，作为阳极变色层，厚度为100nm，与阴极变色层协同变色;透明导电层6薄膜为ITO膜，作为电极与电源或控制器联通，面电阻为10 Ω/cm2。
[0037]电压3V时，其变色范围如图4所示，其中曲线11为着色态，曲线12为褪色态。固态全无机钨系电致变色玻璃380-780nm可见光波段下，变色后透过率为15.2%，而褪色后的透过率为74.5%。
[0038]实例4
[0039 ]本发明的一个实例例提出一种固态全无机钨系电致变色玻璃，透明导电层2为FTO膜，作为电极与电源或控制器联通，面电阻为15 Ω/cm2，电致变色层3为W03，作为阴极变色层，厚度为10nm;离子传导层4为LiQ.3WQ.Q5SiQ.()60，传输Li +，阻隔电子的通过，厚度为1nm;离子存储层5为Ni1W1，作为阳极变色层，厚度为50nm，与阴极变色层协同变色;透明导电层6薄膜为ITO膜，作为电极与电源或控制器联通，面电阻为5 Ω/cm2。
[0040]电压3V时，其变色范围如图5所示，其中曲线13为着色态，曲线14为褪色态。固态全无机钨系电致变色玻璃380-780nm可见光波段下，变色后透过率为16.8%，而褪色后的透过率为75.4%。
[0041]以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
【主权项】
1.一种固态全无机钨系电致变色玻璃，其特征在于:其包括:玻璃基层，在玻璃基层上依次沉积生长有透明导电层、电致变色层、离子导体层、离子储存层及透明导电层； 其中，电致变色层、离子传导层、离子存储层均为氧化钨的掺杂，透明导电层作为电极用于与电源或控制器联通。2.根据权利要求1所述的固态全无机钨系电致变色玻璃，其特征在于，所述的透明导电层为锡掺杂氧化铟或氟掺杂氧化锡。3.根据权利要求1所述的固态全无机钨系电致变色玻璃，其特征在于，所述的透明导电层面电阻为5-20 Ω/cm2 ο4.根据权利要求1所述的固态全无机钨系电致变色玻璃，其特征在于，所述的电致变色层为氧化钨薄膜。5.根据权利要求1所述的固态全无机钨系电致变色玻璃，其特征在于，所述的电致变色层厚度为100-500nmo6.根据权利要求1所述的固态全无机钨系电致变色玻璃，其特征在于，所述的离子导体层为钨硅酸锂薄膜，分子式为LixWySizO,其中x、y分别为L1、W、Si的摩尔数，0<x<2，0<y<l/3，0<z<l/2，x/y>2，x/z>407.根据权利要求1所述的固态全无机钨系电致变色玻璃，其特征在于，所述的离子导体层厚度为1-1OOnm08.根据权利要求1所述的固态全无机钨系电致变色玻璃，其特征在于，所述的离子存储层为镍钨的氧化物，分子式为NimWnO，其中m、n分别为N1、W的摩尔数，0<m<2，0<n<l/3，0<n/(m+η)<1/2ο9.根据权利要求1所述的固态全无机钨系电致变色玻璃，其特征在于，所述的离子存储层厚度为50_300nmo10.根据权利要求1所述的固态全无机钨系电致变色玻璃，其特征在于，所述的固态全无机钨系电致变色玻璃在3V电压、380-780nm可见光波段下，变色后平均透射率为5_18 %，褪色后平均透射率为50-80%。
【专利摘要】本发明是关于一种固态全无机钨系电致变色玻璃，其包括：玻璃基层，在玻璃基层上依次沉积生长有透明导电层、电致变色层、离子导体层、离子储存层及透明导电层；其中，电致变色层、离子传导层、离子存储层均为氧化钨的掺杂，透明导电层作为电极用于与电源或控制器联通。本发明电致变色玻璃各功能膜之间的界面匹配性增强，降低了内应力的产生，延长了使用寿命。
【IPC分类】G02F1/153, G02F1/155
【公开号】CN105607376
【申请号】CN201610120904
【发明人】孟政, 孟凡禹, 刘静, 汪洪
【申请人】中国建筑材料科学研究总院
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2016年3月3日