一种阵列基板、显示面板及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示装置技术领域，更为具体的说，涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
【背景技术】
[0002]现有技术中，显示装置的阵列基板上具有多条电极走线，这些电极走线用于像素单元与驱动电路之间的信号传输等。为了实现等电阻布线，现有技术中将电阻较小的电极走线的直线部分改成Z字形，以通过延长这些电极走线的长度来增大这些电阻较小的电极走线的电阻，使之与电阻较大的电极走线的电阻相近。
[0003]但是，这样会导致走线Z字形部分的透光率下降，影响该区域的密封胶的固化。另夕卜，由于该区域的布线空间有限，因此，即便将走线设计成Z字形也不能使得电阻最小的电极走线的电阻增大到与电阻最大的电极走线完全相同，也就是不能实现真正意义上的等电阻。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，本发明提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，以实现各电极走线等电阻的目的。
[0005]为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下:
[0006]—种阵列基板，包括:基板和设置在所述基板上的多条电极走线，所述电极走线包括:
[0007]功能引线；
[0008]与阵列基板的驱动器件电连接的引出线；
[0009]以及，连通所述功能引线和引出线的辅助电极；
[0010]其中，所述辅助电极的方阻大于所述功能引线的方阻或所述引出线的方阻。
[0011]—种显示面板，所述显示面板包括如上任意一项所述的阵列基板。
[0012]—种显示装置，所述显示装置包括如上所述的显示面板。
[0013]相较于现有技术，本发明提供的技术方案至少具有以下优点:
[0014]本发明提供的阵列基板、显示面板及显示装置，包括基板和设置在基板上的多条电极走线，所述电极走线包括功能引线、与阵列基板的驱动器件电连接的引出线，以及连通功能引线和引出线的辅助电极，由于辅助电极的方阻大于功能引线的方阻或引出线的方阻，因此，可以通过设置不同方阻的辅助电极来使得各电极走线的总电阻相等。
【附图说明】
[0015]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0016]图1为本发明一个实施例提供的阵列基板的结构示意图；
[0017]图2为本发明一个实施例提供的辅助电极、功能引线和引出线的剖面结构示意图；
[0018]图3为本发明一个实施例提供的辅助电极、功能引线和引出线的平面结构示意图；
[0019]图4为本发明另一个实施例提供的辅助电极、功能引线和引出线的剖面结构示意图；
[0020]图5为本发明另一个实施例提供的辅助电极、功能引线和引出线的平面结构示意图；
[0021]图6为本发明又一个实施例提供的辅助电极、功能引线和引出线的平面结构示意图。
【具体实施方式】
[0022]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0023]本发明的一个实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括基板以及设置在该基板上的多条电极走线，如图1所示，该电极走线包括功能引线Al、与阵列基板的驱动器件IC电连接的引出线A2以及连通该功能引线AI和引出线A2的辅助电极BI，其中，辅助电极BI的方阻大于功能引线Al的方阻或引出线A2的方阻。
[0024]本实施例中，阵列基板包括多条栅极线、多条数据线以及由栅极线和数据线围成的像素单元，其中，驱动器件IC通过向栅极线和数据线提供驱动信号来驱动像素单元进行画面的显示。在本发明的另一实施例中，阵列基板还可以为触控显示基板，该触控显示基板包括多个阵列排布的触控电极，每一触控电极通过一触控走线与驱动器件IC连接，用于将触控信号传输至驱动器件1C，实现触控位置的检测等。
[0025]基于此，本实施例中的功能引线Al可以为栅极线、数据线或触控引线，但是，本发明并不仅限于此，该功能引线Al还可以为阵列基板上的其他功能引线，只要其需要通过辅助电极BI和引出线A2与驱动器件IC连接即可。
[0026]其中，本实施例中的多条电极走线可以用于传输同一类型信号，例如，本实施例中的功能引线Al都为栅极线、数据线或触控引线，或者功能引线Al是栅极线、数据线和触控引线中的部分走线。
[0027]本实施例中，辅助电极BI为透明导电材料，可选的，辅助电极BI可以为氧化铟锡(ITO)材料。功能引线Al或引出线A2为金属材料，可选的，功能引线Al或引出线A2为铝、钼或铜，其中，功能引线Al和引出线A2可以为同一种材料，也可以为不同种类的材料。
[0028]辅助电极BI的方阻可为功能引线Al的方阻或引出线A2的方阻的40至70倍。举例来说，当辅助电极BI的方阻是功能引线Al或者引出线A2方阻的60倍时，调节辅助电极BI电阻所需的走线增量是当辅助电极BI为金属材料(功能引线Al或者引出线A2为金属材料)时的1/60，因此可以节省大量布线空间。当然，也不是辅助电极BI的方阻越大越好，因为当其电阻太大时，其传导性能会大幅下降，而无法实现良好的导电效果。
[0029]当然，本发明并不仅限于此，辅助电极BI的方阻可根据与其连接的功能引线Al和引出线A2的方阻决定，以保证每条电极走线的总电阻值相等。
[0030]虽然在制作工艺的波动下，每条电极走线的总电阻并不能完全相同，但是，本实施例中的每条电极走线的总电阻值相互间的差值不大于5%，当然每条电极走线的总电阻值之间的差异随着具体情况的不同而不同。其中，每一电极走线的总电阻是指每一功能引线Al的电阻、与该功能引线Al连接的辅助电极BI的电阻以及与该辅助电极BI连接的引出线A2的电阻之和。
[0031]本实施例中，参考图2和图3，图2为辅助电极B1、功能引线Al和引出线A2的一种剖面结构示意图，图3为辅助电极B1、功能引线Al和引出线A2的一种平面结构示意图。辅助电极B1、功能引线Al和引出线A2均异层设置，即辅助电极B1、功能引线Al和引出线A2都不在同一结构层，功能引线Al朝向引出线A2的一端包括有一连接端子，引出线A2朝向功能引线Al的一端包括有一连接端子，且辅助电极BI的一端部通过至少一个第一过孔Bll与功能引线Al的连接端子相连，辅助电极BI的另一端部通过至少一个第二过孔B12与引出线A2的连接端子A21相连。
[0032]基于此，本实施例