检测电路结构、阵列基板及显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种检测电路结构、阵列基板及显示面板。
【背景技术】
[0002]在薄膜晶体管液晶显示器的制作过程中，为了检测显示区域的像素单元中各像素单元的子像素能否正常工作，需要在阵列基板的周边区域制作检测电路。
[0003]如图1所示，阵列基板上的检测电路一般包括在衬底基板上相互绝缘且横纵交叉设置的多个待检测走线I和多个信号通入走线2，其中所述信号通入走线2用于对所述待检测走线I输入检测信号，且所述多个待检测走线I与所述多个信号通入走线2在垂直于所述衬底基板的方向上具有重合区域3。
[0004]所述信号通入走线2与所述待检测走线之间可以通过连接线4进行连接，其中，所述连接线4的一端通过第一过孔11与所述待检测走线I连接;所述连接线4的另一端在重合区域通过第二过孔21与所述信号通入走线2;且所述第二过孔21位于与所述第一过孔11距离最近的重合区域3。
[0005]这样由于第一过孔11和第二过孔21距离较近，在制作连接线4时，例如，沉积氧化铟锡(ITO)作为连接线4时，ITO爬坡处膜质差，有电流通过时，容易发生ITO烧断的现象，导致检测失效。具体的测试方法可以将信号源的针脚插入上述过孔处进行检测。
【实用新型内容】
[0006]本实用新型的目的在于提供一种检测电路结构、阵列基板及显示面板，能够解决上述连接线(ITO)爬坡处膜质差，易烧断的现象。
[0007]本实用新型实施例中所提供的技术方案如下:
[0008]—种检测电路结构，包括在衬底基板上设置的多个待检测走线和用于向所述待检测走线输入检测信号的多个信号通入走线，多个待检测走线和多个信号通入走线相互绝缘且交叉布置；
[0009]每一所述信号通入走线上包括断开的至少两个子走线，且每一所述信号通入走线的各子走线之间的断开区域对应有待检测走线，每一所述信号通入走线上的各子走线之间通过连接线进行连接，且各子走线之间的断开区域所对应的待检测走线与所述连接线之间形成第一重合区域；
[0010]其中所述连接线的两端分别通过第一过孔和第二过孔与所述信号通入走线连接，并通过第三过孔在所述第一重合区域与所述待检测走线连接。
[0011]进一步的，所述信号通入走线与所述待检测走线之间交叉布置而形成多个第二重合区域，其中所述第一过孔和所述第二过孔位于所述第二重合区域。
[0012]进一步的，不同所述信号通入走线上的断开区域错开设置，每一所述信号通入走线与对应的所述待检测走线通过所述连接线连接。
[0013]进一步的，所述连接线设置于所述信号通入走线的远离所述待检测走线的一侧。
[0014]进一步的，所述连接线与所述信号通入走线的之间设有绝缘层。
[0015]进一步的，所述多个待检测走线沿第一方向平行设置;所述多个信号通入走线沿第二方向平行设置;所述第一方向和所述第二方向相互垂直。
[0016]进一步的，所述待检测走线包括栅线。
[0017]进一步的，所述连接线由沉积在衬底基板上的氧化铟锡层形成。
[0018]—种阵列基板，包括如上所述的检测电路结构。
[0019]一种显示面板，包括如上所述的阵列基板。
[0020]本实用新型的有益效果如下:
[0021]本实用新型提供的检测电路结构、阵列基板及显示面板，增加了过孔之间的距离，在制作连接线时，例如，沉积氧化铟锡(ITO)作为连接线时，使得ITO爬坡处膜质比较好，有电流通过时，不容易发生ITO烧断的现象，导致检测失效。
【附图说明】
[0022]图1为现有技术中检测电路的连接线在过孔处俯视示意图；
[0023]图2为本实用新型实施例中提供的一种检测电路的俯视示意图。
【具体实施方式】
[0024]以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。
[0025]针对现有技术中阵列基板上的检测电路上过孔设计间距过小，导致ITO爬坡处膜质差，有电流通过时，容易发生ITO烧断的现象，而导致检测失效的问题，本实用新型提供了一种检测电路结构，增加了过孔之间的距离，在制作连接线时，例如，沉积氧化铟锡(ITO)作为连接线时，使得ITO爬坡处膜质比较好，有电流通过时，不容易发生ITO烧断的现象。
[0026]如图2所示，本实用新型实施例中所提供的检测电路结构包括:
[0027]在衬底基板上设置的多个待检测走线100和用于向所述待检测走线100输入检测信号的多个信号通入走线200，多个待检测走线100和多个信号通入走线200相互绝缘且交叉布置;每一所述信号通入走线200上包括断开的至少两个子走线，且每一所述信号通入走线200的各子走线之间的断开区域对应一个待检测走线100，每一所述信号通入走线200上的各子走线之间通过一连接线300进行连接，各子走线之间的断开区域所对应的待检测走线100与所述连接线300之间形成第一重合区域;其中所述连接线300的两端分别通过第一过孔401和第二过孔402与所述信号通入走线200连接，并通过第三过孔403在所述第一重合区域与所述待检测走线100连接。
[0028]上述方案中，将所述信号通入走线200断开设计，并利用连接线300将所述信号通入走线的两子走线以及待检测走线100通过过孔来进行连接，如此，由于第一过孔401、第二过孔402和第三过孔403的距离可以比较远，在制作连接线300时，例如，沉积氧化铟锡(ITO)作为连接线300时，ITO爬坡处膜质比较好，有电流通过时，不容易发生ITO烧断的现象，而导致检测失效。
[0029]此外，上述方案中，将所述信号通入走线200断开设计，减少信号通入走线200和待检测走线100的交叠面积，可以缓解静电(ESD)问题。
[0030]上述检测电路结构在对待检测走线100进行信号检测时，可以将信号源插入上述第一过孔401、第二过孔402和第三过孔403处进行检测。
[0031]在本实用新型实施例中所提供的检测电路结构中，优选的，如图2所示，所述信号通入走线200与所述待检测走线100之间交叉布置，而形成多个第二重合区域，其中所述第一过孔401和所述第二过孔402位于所述第二重合区域。
[0032]采用上述方案，所述连接线300与所述信号通入走线200之间在所述信号通入走线200与所述待检测走线100之间重叠的区域(S卩，第二重合区域)通过第一过孔401和第二过孔402连接，这样，第一过孔401和第二过孔402之间的距离能够保证连接线300的沉积膜层的膜质较好。
[0033]应当理解的是，所述第二过孔402和所述第一过孔401的距离可以根据沉积膜层的厚度，第二过孔402和第一过孔401的深度等条件进行调节，只要与第三过孔403具有足够的距离，而不影响ITO膜层的连接线300的沉积膜层的膜