一种有机发光二极管阵列基板、显示装置和制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示器加工领域，特别涉及一种有机发光二极管阵列基板、显示装置和制作方法。
【背景技术】
[0002]OLED(Organic Light-Emitting D1de，有机发光二极管)显示装置具有超轻、超薄、高亮度、大视角、低电压、低功耗、快响应、高清晰度、抗震、可弯曲、低成本、工艺简单、使用原材料少、发光效率高和温度范围广等优点，被认为是最有发展前途的新一代显示技术。
[0003]目前，由于OLED发光材料的发光谱带较宽，无法满足所需光源的色纯度，因此OLED的发光效率和亮度受限，从而导致相应的显示装置对比度低、显示效果欠佳，OLED显示装置多采用微谐振腔技术提高显示效果。
[0004]在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题:
[0005]在目前OLED显示面板中，像素单元的微腔结构需要多次构图工艺，制作工艺复杂，良品率低，导致制作成本高，制作的效率低下。
【发明内容】
[0006]为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供了一种有机发光二极管阵列基板、显示装置和制作方法。所述技术方案如下:
[0007]—方面，本发明实施例提供了一种有机发光二极管阵列基板，所述阵列基板包括:基板、设置在基板上的多个子像素单元；
[0008]每个子像素单元包括依次设置在基板上的复合电极、有机材料功能层和第一电极;不同种类的子像素单元包括的复合电极的厚度不同；
[0009]同一子像素单元包括的复合电极、有机材料功能层和第一电极构成微腔结构。
[0010]可选地，多个子像素单元包括红绿蓝三种子像素单元。
[0011]可选地，红子像素单元的复合电极包括顺次设置的第二电极、第一微腔调节层、第二微腔调节层和设置在基板上的反射层；
[0012]绿子像素单元的复合电极包括顺次设置的第二电极、第二微腔调节层和设置在基板上的反射层；
[0013]蓝子像素单元的复合电极包括顺次设置的第二电极和设置在基板上的反射层。
[0014]可选地，第一电极为半透半反层。
[0015]可选地，每个子像素单元还包括连接层，每个子像素单元包括的连接层设置在反射层和基板之间。
[0016]可选地，红子像素单元的复合电极包括顺次设置的第二电极、第一微腔调节层、第二微腔调节层和设置在基板上的半透半反层；
[0017]绿子像素单元的复合电极包括顺次设置的第二电极、第二微腔调节层和设置在基板上的半透半反层；
[0018]蓝子像素单元的复合电极包括顺次设置的第二电极和设置在基板上的半透半反层。
[0019]可选地，第一电极为反射层。
[0020]可选地，每个子像素单元还包括连接层，每个子像素单元包括的连接层设置在半透半反层和基板之间。
[0021 ]可选地，连接层的材料包括金属氧化物。
[0022]可选地，第一微腔调节层的材料包括金属氧化物，第二微腔调节层的材料包括无机钝化层材料。
[0023]可选地，所述阵列基板还包括设置在基板上的像素定义层，像素定义层用于分隔任意两个相邻的子像素单元。
[0024]另一方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括所述有机发光二极管阵列基板。
[0025]另一方面，本发明还实施例提供了一种有机发光二极管阵列基板的制作方法，所述制作方法包括:
[0026]在基板上形成多个子像素单元；
[0027]每个子像素单元包括形成在基板上的复合电极、形成在复合电极上的有机材料功能层以及形成在有机材料功能层上的第一电极;不同种类的子像素单元包括的复合电极的厚度不同；
[0028]同一子像素单元包括的复合电极、有机材料功能层和第一电极构成微腔结构。
[0029]可选地，多个子像素单元包括红绿蓝三种子像素单元。
[0030]可选地，基板包括用于设置红子像素单元的第一区域、用于设置绿子像素单元的第二区域和用于设置蓝子像素单元的第三区域；
[0031]在基板上形成复合电极，包括:
[0032]在基板上形成反射层，在反射层上形成第二微腔调节层，以及在第二微腔调节层上形成第一微腔调节层；
[0033]刻蚀位于第二区域和第三区域上方的第一微腔调节层，裸露出第二区域和第三区域上方的第二微腔调节层；
[0034]刻蚀位于第三区域上方的第二微腔调节层，裸露出第三区域上方的反射层；
[0035]在位于第一区域上方的第一微腔调节层上、位于第二区域上方的第二微腔调节层上和位于第三区域上方的反射层上形成第二电极。
[0036]可选地，第一电极为半透半反层。
[0037]可选地，在基板上形成反射层之前，所述制作方法还包括:
[0038]在基板上形成连接层。
[0039]可选地，基板包括用于设置红子像素单元的第一区域、用于设置绿子像素单元的第二区域和用于设置蓝子像素单元的第三区域；
[0040]在基板上形成复合电极，包括:
[0041]在基板上形成半透半反层，在半透半反层上形成第二微腔调节层，以及在第二微腔调节层上形成第一微腔调节层；
[0042]刻蚀位于第二区域和第三区域上方的第一微腔调节层，裸露出第二区域和第三区域上方的第二微腔调节层；
[0043]刻蚀位于第三区域上方的第二微腔调节层，裸露出第三区域上方的半透半反层；
[0044]在位于第一区域上方的第一微腔调节层上、位于第二区域上方的第二微腔调节层上和位于第三区域上方的半透半反层上形成第二电极。
[0045]可选地，第一电极为反射层。
[0046]可选地，在基板上形成半透半反层之前，所述制作方法还包括:
[0047]在基板上形成连接层。
[0048]可选地，连接层的材料包括金属氧化物。
[0049]可选地，第一微腔调节层的材料包括金属氧化物，第二微腔调节层的材料包括无机钝化层材料。
[0050]可选地，在复合电极上形成有机材料功能层之前，制作方法还包括:
[0051]通过刻蚀分隔任意两个相邻的子像素单元，并裸露出基板；
[0052]在裸露出的基板上形成像素定义层。
[0053]本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
[0054]本发明实施例中的有机发光二极管阵列基板通过在基板上设置多个子像素单元，且多个子像素单元中的不同种类的子像素单元包括的所述复合电极的厚度不同，又通过同一子像素单元包括的所述复合电极、所述有机材料功能层和所述第一电极构成微腔结构，使得不同种类的子像素单元的微腔结构厚度不同，微腔结构的制作工艺简单，工艺上便于实现，降低了制作成本，提高了制作的效率和良率。
【附图说明】
[0055]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0056]图1是本发明实施例提供的一种有机发光二极管阵列基板的结构示意图；
[0057]图2是本发明实施例提供的一种有机发光二极管阵列基板的结构示意图；
[0058]图3是本发明实施例提供的一种有机发光二极管阵列基板的结构示意图；
[0059]图4是本发明实施例提供的一种有机发光二极管阵列基板的结构示意图；
[0060]图5?图25是本发明实施例提供的一种有机发光二极管阵列基板的制作方法示意图。
[0061 ]其中:
[0062]I基板，11玻璃基板，12无机缓冲层，13有源层，
[0063]14层间绝缘层，15栅极，16栅绝缘层，17平坦化层，
[0064]18 第一极，19 第二极，
[0065]2子像素单元，
[0066]21红子像素单元，22绿子像素单元，23蓝子像素单元，
[0067]3像素定义单元，
[0068]4第二电极，
[0069]5第一微腔调节层，
[0070]6第二微腔调节层，
[0071]71反射层，72连接层，73半透半反层，
[0072]8有机材料功能层，
[0073]81红有机材料功能层，82绿有机材料功能层，83蓝有机材料功能层，
[0074]9导电层，
[0075]10 第一电极，
[0076]R第一区域，G第二区域，B第三区域。
【具体实施方式】
[0077]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
[0078]实施例一
[0079]本发明实施例提供了一种有机发光二极管阵列基板，参见图1和图2，所述阵列基板包括:基板1、设置在基板I上的多个子像素单元2;
[0080]每个子像素单元2包括依次设置在基板I上的复合电极、有机材料功能层8和第一电极10;不同种类的子像素单元2包括的复合电极的厚度不同；
[0081]同一子像素单元2包括的复合电极、有机材料功能层8和第一电极10构成微腔结构。
[0082]本发明实施