相移光栅制作方法及相移光栅的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种相移光栅的制作方法，该方法包括：在基板上形成第一层模板；根据预设的掩模版对第一层模板进行光刻，将第一层模板割裂成多个分离的第一凸台，第一凸台之间的第一缝隙底部为暴露的基板；在第一凸台的外表面及基板暴露的表面形成第二层模板；对第二层模板进行刻蚀，将第二层模板割裂成多个分离的第二凸台；第一凸台位于相邻的第二凸台之间；去除第一凸台；在第二凸台之间的空隙涂覆光刻胶，形成第一光刻胶软模板；对第一光刻胶软模板进行全息曝光及显影，在第一光刻胶软模板上形成第二缝隙，将第二缝隙底部的基板暴露出来；对基板中暴露出来的部分进行刻蚀并刻蚀去掉第二凸台形成光栅。本发明实施例提供的相移光栅制作方法效率较高。
【专利说明】
相移光栅制作方法及相移光栅
技术领域
[0001]本发明涉及光栅技术领域，尤其涉及一种相移光栅制作方法及相移光栅。【背景技术】
[0002]分布反馈(Distributed Feed Back，简称DFB)激光器是在目前光通信中应用非常普遍的一种芯片。由于相移光栅在DFB激光器的光栅内部引入折射率不变区域，提升了 DFB 激光器的单模成品率，因此在DFB激光器中的应用越来越广泛。
[0003]目前相移光栅的制作方法是采用电子束光刻(EBL)，EBL通过将所需制作的光栅图形记录在设备系统内，然后利用波长极短的高能电子束按照设备系统内的光栅图形在基板上进行逐步扫描，EBL是一种典型的串行式光刻工艺，其最大的缺点是制作速率慢、效率低。
【发明内容】
[0004]本发明提供一种相移光栅制作方法及相移光栅，解决了现有技术中相移光栅生产成本高、生产效率低的问题。
[0005]第一方面，本发明实施例提供一种相移光栅制作方法，包括:
[0006]在基板上形成第一层模板；
[0007]根据预设的掩模版对所述第一层模板进行光刻，将所述第一层模板割裂成多个分离的第一凸台，所述第一凸台之间的第一缝隙底部为暴露的基板；
[0008]在所述第一凸台的外表面及所述基板暴露的表面形成第二层模板；[〇〇〇9]对所述第二层模板进行刻蚀，将所述第二层模板割裂成多个分离的第二凸台；所述第一凸台位于相邻的所述第二凸台之间；除所述第一凸台；[〇〇1〇]在所述第二凸台之间的空隙涂覆光刻胶，形成第一光刻胶软模板；
[0011]对所述第一光刻胶软模板进行全息曝光及显影，在所述第一光刻胶软模板上形成至少一条第二缝隙，将所述第二缝隙底部的基板暴露出来；
[0012]对所述基板中暴露出来的部分进行刻蚀，并刻蚀去掉所述第二凸台，形成光栅。
[0013]第二方面，本发明实施例提供一种采用上述第一方面所述的光栅制作方法制作的光栅。
[0014]本发明相移光栅制作方法及相移光栅，在基板上形成第一层模板;根据预设的掩模版对所述第一层模板进行光刻，将所述第一层模板割裂成多个分离的第一凸台，所述第一凸台之间的第一缝隙底部为暴露的基板;进一步地，在所述第一凸台的外表面及所述基板暴露的表面形成第二层模板;对第二层模板进行刻蚀，将所述第二层模板割裂成多个分离的第二凸台；所述第一凸台位于相邻的所述第二凸台之间;进一步地，去除所述第一凸台在所述第二凸台之间的空隙涂覆光刻胶，形成第一光刻胶软模板;对所述第一光刻胶软模板进行全息曝光及显影，在所述第一光刻胶软模板上形成至少一条第二缝隙，将所述第二缝隙底部的基板暴露出来;进一步地，对所述基板中暴露出来的部分进行刻蚀，并刻蚀去掉所述第二凸台，形成光栅，由于采用的工艺流程为并行式处理工艺，可以通过单次工艺在基板上形成相移光栅，相较于传统的串行式处理方法需要通过逐个光栅条依次曝光来完成， 本发明的光栅制作方法效率较高。【附图说明】
[0015]为了更清楚地说明本发明实施例或已有技术中的技术方案，下面将对实施例或已有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1为本发明相移光栅制作方法实施例一的流程示意图；
[0017]图2为本发明相移光栅制作方法实施例一的工艺示意图；
[0018]图3为本发明相移光栅制作方法另一实施例的工艺示意图；
[0019]图4为本发明相移光栅制作方法另一实施例的流程示意图。【具体实施方式】
[0020]为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0021]本发明实施例提供的光栅制作方法旨在解决现有技术中，光栅制作时，制作速率慢、效率低的问题。
[0022]下面结合附图通过具体实施例对本发明实施例提供的光栅制作方法进行详细说明。
[0023]图1为本发明相移光栅制作方法实施例一的流程示意图，图2为本发明相移光栅制作方法实施例一的工艺示意图。如图1、图2所示，本实施例的相移光栅制作方法可以包括: [〇〇24]101、在基板上形成第一层模板。
[0025]本步骤中，可以通过金属有机物化学气相淀积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposit1n，简称M0CVD)设备或等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit1n，简称PECVD)设备在基板上生长形成第一层模板。
[0026]可选地，第一层模板的材料可以为砷磷化铟镓InGaAsP，当然，第一层模板的材料还可以为其它材料，本发明实施例对此并不作限制。
[0027]可选地，第一层模板的厚度可以为200-500nm，当然，第一层模板的厚度还可以为其它数值，本发明实施例对此并不作限制。
[0028]102、根据预设的掩模版对第一层模板进行光刻，将第一层模板割裂成多个分离的第一凸台，第一凸台之间的第一缝隙底部为暴露的基板。[〇〇29]本步骤中，可选的，利用PECVD设备在第一层模板上淀积二氧化硅Si02刻蚀掩模， 利用预设的掩模版，通过紫外光刻将掩模版图形转移到Si02刻蚀掩模上，然后再利用刻蚀技术，将Si02刻蚀掩模上的图形转移到第一层模板上，以在第一层模板上形成至少一条第一缝隙，将第一层模板割裂成多个分离的第一凸台，使得第一缝隙底部的基板暴露出来，如图2所示。
[0030]在实际应用中，引入相移的位置可由掩模版图形的尺寸控制，即上述第一缝隙的间距，如图2所示。
[0031] 103、在第一凸台的外表面及基板暴露的表面形成第二层模板。[〇〇32]本步骤中，可以通过M0CVD设备或PECVD设备在第一凸台的外表面以及基板暴露的表面上生长形成第二层模板。[0〇33]可选地，第二层模板的厚度可以为200-600nm，当然，第二层模板的厚度还可以为其它数值，本发明实施例对此并不作限制。
[0034]本发明实施例中，第二层模板的材料可以为Si02。
[0035]值得说明的是，第二层模板具有非平直的表面，可选地，如图2所示，第二层模板在第一凸台的上表面形成凸起，在第一凸台之间形成凹槽，且凸起的高度h和凹槽的高度h相同；凹槽的高度为凹槽的底部与基板之间的距离。
[0036]优选的，本实施例中可以选择保角性较好的PECVD设备形成第二层模板。
[0037] 104、对第二层模板进行刻蚀，将第二层模板割裂成多个分离的第二凸台；第一凸台位于相邻的第二凸台之间。
[0038]本步骤中，可选地，可以通过干法刻蚀对第二层模板进行刻蚀，具体可以将经过步骤2处理的基板置于干法刻蚀设备中，通过控制刻蚀功率，通入甲烷和氢气对第二层模板进行刻蚀，将第二层模板割裂成多个分离的第二凸台，如图2所示。[〇〇39] 可选地，控制刻蚀功率为60-120W，通入氧气和三氟甲烷CHF3对第二层模板进行刻蚀;其中氧气流量为3_10sccm，CHF3流量为100-200sccm，本实施例中对刻蚀时长不做限制， 刻蚀时长可根据第二层模板的厚度进行调整，需保证电泳显示EH)信号走平后，过刻蚀10s。
[0040]当然，所述刻蚀功率、所述甲烷的流量、所述氢气的流量还可以为其它数值，本发明实施例对此并不作限制。
[0041] 105、去除第一凸台。
[0042] 本步骤中，可选地，可以通过湿法腐蚀去除第一凸台，具体可以通过控制腐蚀时长和腐蚀温度，采用腐蚀液(即能够溶解第一层模板的有机溶剂)对第一凸台进行腐蚀，去掉所述第一凸台，如图2所示。[〇〇43] 可选地，所述腐蚀时长可以为10-30S和腐蚀温度可以为22±2°C，其中，具体的腐蚀时长由所述第一层模板的厚度决定；当然，所述腐蚀时长和所述腐蚀温度还可以为其它数值，本发明实施例对此并不作限制。
[0044] 106、在第二凸台之间的空隙涂覆光刻胶，形成第一光刻胶软模板。
[0045]本步骤中，在第二凸台之间的空隙涂覆光刻胶，形成第一光刻胶软模板。
[0046]可选地，如图2所示，所述第一光刻胶软模板的厚度小于第二凸台的高度。[〇〇47] 可选地，所述光刻胶可为正性光刻胶。[〇〇48] 107、对第一光刻胶软模板进行全息曝光及显影，在第一光刻胶软模板上形成至少一条第二缝隙，将第二缝隙底部的基板暴露出来。
[0049]本步骤中，通过控制曝光功率和曝光时长，对第一光刻胶软模板先进行全息曝光 (Holography)，其中，通过干涉形成的明暗条纹照射到所述第一光刻胶软模板上，明条纹处的光照强度可使正性光刻胶发生光分解反应(正性光刻胶为如图2中的斜线部分，其中，分解反应后所生成的物质可溶解于显影液)，暗条纹处的光照强度可近似为〇(正性光刻胶不发生反应，即不可溶解于显影液)；进而通过控制对曝光后的第一光刻胶软模板进行显影， 由此在所述第一光刻胶软模板上形成至少一条第二缝隙，以使所述第二缝隙底部的基板暴露出来。
[0050] 可选地，所述曝光功率可以为40-70mW、所述曝光时长可以为60-120S以及所述显影时长可以为20-50S;当然，所述曝光功率、所述曝光时长和所述显影时长还可以为其它数值，本发明实施例对此并不作限制。[0051 ]108、对基板中暴露出来的部分进行刻蚀，并刻蚀去掉第二凸台，形成光栅。[〇〇52] 本步骤中，可选的，可以通过干法刻蚀对所述基板中暴露出来的部分进行刻蚀，具体是可以将经过步骤107处理的基板置于干法刻蚀设备中，通过控制刻蚀功率，通入甲烷和氢气对所述基板中暴露出来的部分进行刻蚀，以形成具有多条缝隙的光栅;可选地，所述刻蚀功率可以为80-120W、所述甲烷的流量可以为l〇-5〇SCCm、所述氢气的流量可以为50-150sccm以及刻蚀时长可以为60-108s (具体的刻蚀时长可根据刻蚀深度确定)；当然，所述刻蚀功率、所述甲烷的流量、所述氢气的流量以及所述刻蚀时长，还可以为其它数值，本发明实施例对此并不作限制。
[0053]可选地，本步骤中的干法刻蚀工艺可以采用电感耦合等离子体ICP干法刻蚀工艺。
[0054]然后，可以通过湿法腐蚀去掉所述第二凸台，最终形成相移光栅。
[0055]具体是可以控制腐蚀时长和腐蚀温度，采用腐蚀液对第二凸台进行腐蚀，去掉所述第二凸台。
[0056]本发明实施例中，利用一种特殊的第二凸台(Spacer)结构作为相移光栅的掩膜结合改良的全息曝光(Holography Exposure)工艺通过单次曝光及显影在大尺寸基板上完成相移光栅的制作。本发明实施例提供的相移光栅制作方法可以通过控制第一层模板的第一缝隙的间距控制引入相移的尺寸，控制第二层模板的厚度精确的控制引入相移光栅的尺寸;通过调整掩膜板的图形的条纹尺寸及间距可在同一激光器芯片内引入多个相移光栅结构，最终形成的多相移结构的光栅可进一步提升DFB激光器的单模性能。[〇〇57]本发明实施例中，由于采用的改良的全息曝光工艺流程为并行式处理工艺，可以通过单次曝光在基板上形成大面积的光栅掩膜条纹(面积尺寸可由扩大后光强分布均匀的光斑面积决定，一般不低于5cm*5cm)，相较于传统的串行式处理方法需要通过逐个光栅条依次曝光来完成，本发明光栅制作方法效率较高。[〇〇58]本发明实施例提供的光栅制作方法，在基板上形成第一层模板;根据预设的掩模版对所述第一层模板进行光刻，将所述第一层模板割裂成多个分离的第一凸台，所述第一凸台之间的第一缝隙底部为暴露的基板;进一步地，在所述第一凸台的外表面及所述基板暴露的表面形成第二层模板;对第二层模板进行刻蚀，将所述第二层模板割裂成多个分离的第二凸台；所述第一凸台位于相邻的所述第二凸台之间;进一步地，去除所述第一凸台在所述第二凸台之间的空隙涂覆光刻胶，形成第一光刻胶软模板;对所述第一光刻胶软模板进行全息曝光及显影，在所述第一光刻胶软模板上形成至少一条第二缝隙，将所述第二缝隙底部的基板暴露出来;进一步地，对所述基板中暴露出来的部分进行刻蚀，并刻蚀去掉所述第二凸台，形成光栅，由于采用的工艺流程为并行式处理工艺，可以通过单次工艺在基板上形成相移光栅，相较于传统的串行式处理方法需要通过逐个光栅条依次曝光来完成，本发明的光栅制作方法效率较高。
[0059]图3为本发明相移光栅制作方法另一实施例的工艺示意图。图4为本发明相移光栅制作方法另一实施例的流程示意图。在上述实施例的基础上，进一步的，如图3、图4所示，步骤102中的根据预设的掩模版对第一层模板进行光刻，将第一层模板割裂成多个分离的第一凸台，第一凸台之间的第一缝隙底部为暴露的基板具体可以通过如下步骤实现:
[0060]1021、在第一层模板上利用PECVD设备淀积Si02刻蚀掩膜，并涂覆光刻胶，形成第二光刻胶软模板。[0061 ]本步骤中，Si02刻蚀掩膜厚度可以为200nm-500nm，在所述第一层模板上涂覆光刻胶，形成第二光刻胶软模板;可选地，所述第二光刻胶软模板(图3中未示出)的厚度可以为 1000-2000nm当然，所述Si02刻蚀掩膜和第二光刻胶软模板的厚度还可以为其它数值，本发明实施例对此并不作限制。[〇〇62]可选地，所述光刻胶可为正性光刻胶或者负性光刻胶，本发明的附图中以正性光刻胶为例进行说明。[〇〇63]1022、对第二光刻胶软模板进行紫外光刻及显影，在第二光刻胶软模板上形成至少一条第三缝隙，对Si02掩膜进行刻蚀，使得第三缝隙底部的第一层模板暴露出来。
[0064]可选的，本实施例中，对Si02掩膜进行刻蚀之后，可以利用等离子体去胶工艺，去除第二光刻胶软模板。
[0065]具体的，通过等离子体去胶工艺对基板进行清洗，去除表面杂质及光刻胶，即去除第二光刻胶软模板。本步骤中，通过控制曝光功率和曝光时长，对第二光刻胶软模板进行紫外光刻及显影，其中紫外光照射到正性光刻胶上，可使正性光刻胶发生光分解反应(分解后所生成的物质可溶解于显影液)，由此在所述第二光刻胶软模板上形成至少一条第三缝隙， 以使所述第三缝隙底部第一层模板暴露出来。可选地，所述曝光功率可以为18_30mW、所述曝光时长可以为6-20s及所述显影时长可以为40-120S;当然，所述曝光功率、所述曝光时长和所述显影时长还可以为其它数值，本发明实施例对此并不作限制。
[0066]可选地，对Si02掩膜进行刻蚀的条件如下:[〇〇67] 控制刻蚀功率为60-120W，通入氧气和三氟甲烷CHF3对所述Si02刻蚀掩膜进行刻蚀;其中，氧气流量为3-10sccm CHF3流量为100-200sccm，刻蚀时长为500-1000s〇 [0〇68] 对Si02掩膜进行刻蚀可以采用反应离子刻蚀(Reactive 1n Etching，简称RIE)工艺。[〇〇69]1023、对第一层模板中暴露出来的部分进行干法刻蚀和湿法腐蚀将第一层模板割裂成多个分离的第一凸台，第一凸台之间的第一缝隙底部为暴露的基板。
[0070]本步骤中，先进行干法刻蚀，对第一层模板进行初始刻蚀，然后利用湿法腐蚀清洗剩下的材料，这种方法有利于控制掩膜图形的形状。
[0071]可选地，干法刻蚀条件可以为:刻蚀功率为100-200W、甲烷流量和氢气流量的比值范围为1: 3-1:10，刻蚀时长为60-108s。当然，所述刻蚀功率、所述甲烷的流量、所述氢气的流量以及所述刻蚀时长，还可以为其它数值，本发明实施例对此并不作限制。[〇〇72] 可选地，湿法腐蚀的腐蚀时长可以为10-30s和所述腐蚀温度可以22±2°C，其中， 具体的腐蚀时长由所述第一层模板的厚度及所述第一缝隙的目标宽度决定；当然，所述腐蚀时长和所述腐蚀温度还可以为其它数值，本发明实施例对此并不作限制。
[0073]可选的，本实施例中，对第一层模板中暴露出来的部分进行干法刻蚀和湿法腐蚀将第一层模板割裂成多个分离的第一凸台之后，还可以通过湿法腐蚀去除Si02刻蚀掩膜。
[0074]其中，湿法腐蚀的条件可以根据实际情况进行确定。[〇〇75]在上述实施例的基础上，在本实施例中，步骤101中，通过M0CVD设备形成厚度为 300nm的第一层模板，且第一层模板的材料为InGaAsP。[〇〇76]步骤1021中，在所述第一层模板上利用PECVD设备淀积Si02刻蚀掩膜，并涂覆正性光刻胶，形成厚度为1.5um的第二光刻胶软模板。[〇〇77] 步骤1022中，控制曝光功率为20mW、曝光时长为6s和显影时长为50s，对第二光刻胶软模板进行紫外光刻及显影，在所述第二光刻胶软模板上形成至少一条第三缝隙，并控制刻蚀功率60,通入氧气和CHF3对Si02刻蚀掩膜进行刻蚀;其中氧气流量为3sCcm，CHF3流量为lOOsccm，刻蚀时长为500s，使得第三缝隙底部的第一层模板暴露出来。
[0078]可选的，本步骤之后，还可以利用等离子去胶工艺去除所述第二光刻胶软模板。 [〇〇79] 步骤1023中，控制腐蚀时长为20s和腐蚀温度为室温(如22°C)，采用腐蚀液(即能够溶解正性电致抗蚀剂的有机溶剂)对所述第一层模板中暴露出来的部分进行腐蚀将第一层模板割裂成多个分离的第一凸台，以使所述第一凸台之间的第一缝隙底部的基板暴露出来。
[0080]腐蚀溶液 H3P04:H202 = 2:1。[0081 ] 可选地，本步骤之后，可以通过湿法腐蚀去除所述Si02光刻掩膜。[〇〇82] 可选地，为了保证基板上的残胶和有机沾污的完全去除，进一步地，可通过等离子去胶工艺对所述基板进行清洗;步骤102中，通过PECVD设备形成厚度为300nm的第二层模板，且第二层模板的材料为Si02。[〇〇83]步骤103中、通过M0CVD设备或PECVD设备在第一凸台的外表面及所述基板暴露的表面形成第二层模板。[〇〇84] 步骤104中，将103处理的基板置于干法刻蚀设备中，控制刻蚀功率60,通入氧气和 CHF3对第二层模板进行刻蚀;其中氧气流量为3sCcm，CHF3流量为lOOsccm，本实施例中对刻蚀时长不做限制，刻蚀时长需根据刻蚀情况调整，保证EPD信号走平后，过刻蚀10s，时间需严格控制，本步骤对第二凸台尺寸影响严重。
[0085]步骤105中，将经过干法刻蚀后的基板进行湿法腐蚀，控制腐蚀时长为10s和腐蚀温度为22°C，采用腐蚀液对干法刻蚀后的基板进行腐蚀去掉第一凸台，在基板上剩余第二凸台。
[0086]腐蚀液采用 H3P04:H202 = 2:1。[〇〇87]步骤106中，在第二凸台之间的空隙涂覆正性光刻胶，形成厚度为70nm的第一光刻胶软模板。[〇〇88] 步骤107中，控制曝光功率为55mW、曝光时长为90s和显影时长为30s，对基板进行光栅曝光和光栅显影，在所述第一光刻胶软模板上形成至少一条第二缝隙，以使所述第二缝隙底部的基板暴露出来。[〇〇89]可选地，为了保证基板上的残胶和有机沾污的完全去除，进一步地，在步骤108的干法刻蚀之前可通过等离子体去浮渣工艺对所述基板中暴露出来的部分进行清洗;其中， 等离子体去浮渣工艺是由微波源产生顺流等离子体，通入一定流量的反应气体，利用氧气对基板中暴露出来的部分进行等离子体清洗，进一步去除在正性电致抗蚀剂的腐蚀清洗过程中可能在基板表面所产生的有机物沾污。
[0090]可选地，通过等离子体去浮渣工艺对所述基板中暴露出来的部分进行清洗，包括: 控制微波等离子体发生器的功率为40-60W(如40W)，通入氧气对所述基板中暴露出来的部分进行清洗;可选地，氧气流量为30-100sccm(如50sccm)和去浮渣时长为6s-32s (如6s) 〇
[0091]步骤108中，将经过步骤107处理的基板置于干法刻蚀设备中，控制刻蚀功率为 120W，通入流量为3〇SCCm的甲烷和流量为lOOsccm的氢气对所述基板中暴露出来的部分进行刻蚀;其中，刻蚀时长为77s，具体可根据刻蚀深度确定。
[0092]可选的，通过等离子体去胶工艺对干法刻蚀之后的基板进行清洗，去除表面杂质及第一光刻胶软模板的光刻胶。[〇〇93] 步骤108中，将经过干法刻蚀后的基板进行湿法腐蚀，控制腐蚀时长为20s和腐蚀温度为22°C，采用腐蚀液(即能够溶解正性电致抗蚀剂的有机溶剂)对干法刻蚀后的基板进行腐蚀去掉第二凸台，形成最终的相移光栅。
[0094]本发明实施例中，通过等离子体去浮渣工艺对所述基板中暴露出来的部分进行清洗，进一步去除在正性电致抗蚀剂的腐蚀清洗过程中可能在基板表面所产生的有机物沾污。
[0095]本发明实施例还提供一种采用上述实施例所述的相移光栅制作方法制作的相移光栅，由于上述实施例所述的相移光栅制作方法，效率较高，因此采用上述实施例所述的方法制作的相移光栅成本较低。
[0096]最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
【主权项】
1.一种相移光栅制作方法，其特征在于，包括:在基板上形成第一层模板；根据预设的掩模版图形对所述第一层模板进行光刻，将所述第一层模板割裂成多个分 离的第一凸台，所述第一凸台之间的第一缝隙底部为暴露的基板；在所述第一凸台的外表面及所述基板暴露的表面形成第二层模板；对所述第二层模板进行刻蚀，将所述第二层模板割裂成多个分离的第二凸台；所述第 一凸台位于相邻的所述第二凸台之间；去除所述第一凸台；在所述第二凸台之间的空隙涂覆光刻胶，形成第一光刻胶软模板；对所述第一光刻胶软模板进行全息曝光及显影，在所述第一光刻胶软模板上形成至少 一条第二缝隙，将所述第二缝隙底部的基板暴露出来；对所述基板中暴露出来的部分进行刻蚀，并刻蚀去掉所述第二凸台，形成光栅。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二层模板在所述第一凸台的上表面 形成凸起，在所述第一凸台之间形成凹槽，且所述凸起的高度和所述凹槽的高度相同；所述 凹槽的高度为所述凹槽的底部与所述基板之间的距离。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，根据预设的掩模版对所述第一层模板 进行光刻，包括:在所述第一层模板上利用PECVD设备淀积二氧化硅Si02刻蚀掩膜，并涂覆光刻胶，形成 第二光刻胶软模板；对所述第二光刻胶软模板进行紫外光刻及显影，在所述第二光刻胶软模板上形成至少 一条第三缝隙，对所述Si02刻蚀掩膜进行刻蚀，使得所述第三缝隙底部的第一层模板暴露 出来；对所述第一层模板中暴露出来的部分进行干法刻蚀和湿法腐蚀，将所述第一层模板割 裂成多个分离的第一凸台，所述第一凸台之间的第一缝隙底部为暴露的基板。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对所述Si02刻蚀掩膜进行刻蚀之后，还包 括:利用等离子去胶工艺，去除所述第二光刻胶软模板；相应的，对所述第一层模板中暴露出来的部分进行干法刻蚀和湿法腐蚀之后，还包括: 通过湿法腐蚀去除所述Si02刻蚀掩模。5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，对所述第二层模板进行刻蚀，包括:控制刻蚀功率为60-120W，通入氧气和三氟甲烷CHF3对所述第二层模板进行刻蚀；其 中，氧气流量为3-10sccm，CHF3流量为100-200sccm〇6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，去除所述第一凸台，包括:控制腐蚀时长为10-30S和腐蚀温度为22±2°C，采用腐蚀液对所述第一凸台进行腐蚀， 去除所述第一凸台。7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，对所述第一光刻胶软模板进行全息曝 光及显影，在所述第一光刻胶软模板上形成至少一条第二缝隙，包括:控制曝光功率为40-70mW、曝光时长为60-120S和显影时长为20-50s，对所述第一光刻 胶软模板进行全息曝光及显影，在所述第一光刻胶软模板上形成至少一条第二缝隙。8.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，对所述基板中暴露出来的部分进行刻 蚀，包括:控制刻蚀功率为80-120W，通入甲烷和氢气对所述基板中暴露出来的部分进行刻蚀;其 中，甲烷流量为10-50sccm、氢气流量为50-150sccm和刻蚀时长为60-108s〇9.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述对所述基板中暴露出来的部分进 行刻蚀之前，还包括:通过等离子体去浮渣工艺对所述基板中暴露出来的部分进行清洗。10.—种相移光栅，其特征在于，包括:采用权利要求1-9中任一项所述的相移光栅制作方法制作的相移光栅。
【文档编号】G02B5/18GK106094085SQ201610457371
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年6月21日
【发明人】郭海侠, 尚飞, 纪家秋
【申请人】青岛海信宽带多媒体技术有限公司