后合并输出电压给电极B。
[0043]所述中央处理器包括芯片U1、短路保护单元及过流保护单元，所述短路保护单元的输出端连接所述芯片Ul的输入端，所述过流保护单元输出端连接所述芯片Ul的输入端。
[0044]所述短路保护单元包括电阻R13、电阻R14、电阻R15及电阻R16，所述电阻R13的一端分别连接所述芯片Ul的第7脚及电阻R14的一端，所述电阻R15的一端分别连接所述芯片Ul的第6脚及电阻R16的一端。
[0045]所述过流保护单元包括电阻R17及电阻R18，所述MOS管Q4的第1、2、3脚分别连接所述电阻R17的一端及芯片Ul的第3脚，所述MOS管Q8的第1、2、3脚分别连接所述电阻R18的一端及芯片Ul的第13脚。
[0046]所述整流模块包括桥式整流二极管D5、电容Cl、电容C2、二极管Dl、变压器Tl、二极管D2、二极管D3、电容C3、电容C4、芯片U2、芯片U3、光电耦合器N1、电阻R22、三极管Q9、电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻23、电容C5及稳压二极管D4，所述桥式整流二极管D5的第2脚连接所述电容Cl的负极，所述电容Cl的正极、桥式整流二极管D5的第I脚、电容C2的一端及电阻R23的一端分别连接所述变压器T的输入第I接线端，所述电容C2的另一端及电阻R23的另一端分别连接所述二极管Dl的阴极，所述二极管Dl的阳极分别连接所述变压器Tl的输入第2接线端及芯片U3的第3脚，所述变压器Tl的输出第6接线端连接二极管D2的阳极，所述二极管D2的阴极分别连接所述电容C3的正极、电阻R20的一端及输出电压，所述电阻R20的另一端经所述电阻R21接地及连接所述三极管Q9的基极，所述变压器Tl的输出第4接线端连接所述二极管D3的阳极，所述二极管D3的阴极分别连接所述电容C4的正极、电阻R22的一端、光电耦合器NI的第4脚及芯片U2的第3脚，所述电阻R22的另一端连接所述光电耦合器NI的第2脚，所述光电耦合器NI的第I脚连接所述三极管Q9的集电极，所述三极管Q9的发射极经所述稳压二极管D4接地，所述光电耦合器NI的第4脚连接所述芯片U3的第I脚，所述芯片U2的第I脚连接所述电容C5的正极且输出电压。
[0047]所述芯片U2的型号为78L05，所述芯片U3的型号T0P226，所述光电耦合器NI为四端光电耦合器，其型号为PC817。
[0048]所述MOS管Q3与所述MOS管Q7的型号为IRF6216。所述MOS管Q3、M0S管Q7采用的是PMOS管。
[0049]所述MOS管Q4与所述MOS管Q8的型号为Si4490DY。所述MOS管Q4、M0S管Q4采用的是NMOS管。
[0050]所述变压器T的第5、3脚接地，所述电容C3的负极接地，电容C4的负极接地，电阻R21的另一端接地，光电耦合器NI的第3脚接地，芯片U3的第2脚接地，桥式整流二极管的第2脚接地，稳压二极管D4的另一端接地，芯片U2的第2脚接地，电容C5的负极接地。
[0051]MOS管Q3的第1、2、3脚、电阻Rl的另一端、电阻R4的另一端、MOS管Q7的第1、
2、3脚、电阻R7的另一端、电阻RlO的另一端均连接二极管D2的阴极，三极管Ql的发射极、三极管Q2的发射极、三极管Q5的发射极、三极管Q6的发射极、电阻R6的另一端、电阻RlO的另一端、电阻R18的另一端、电阻R17的另一端、电阻R14的另一端、电阻R16的另一端及芯片Ul的第14脚均接地。
[0052]220V交流经过桥式整流再经TOP226变换产生稳定的80V直流电压，如图2所示。芯片(单片机或MCU) Ul，即中央处理器产生四个方波信号AN、AP、BN、BP，其中AN、AP信号经三极管Ql、Q2电平变换后驱动MOS管Q3、Q4后在A电极输出+80V的方波信号。BN、BP信号经Q5、Q6电平变换后驱动MOS管Q7、Q8后在A电极输出+80V的方波信号，如图4所示。
[0053]在图4中示出了短路保护电路，图中R13、R14、R15、R16是短路保护检测电路，当A电极和B电极短路时，Short_A和Short_B高电平电压会很快中央处理器检测到Short_A和Short_B高电平电压低于+3V时就关断两电极信号输出，保护电源不损坏。在图4中还示出了过流保护电路，图中R17、R18为过流检测的取样电阻，中央处理器检测到电流检测信号0ver_A、0ver_B高电平电压值大于1.2A时就会两电极信号输出，保护电源不损坏。
[0054]中央处理器输出AN、AP信号经Q1、Q2电平变换分别驱动PMOS管Q3和NMOS管Q4，经Q3和Q4互补推挽产生A电极方波。
[0055]中央处理器输出BN、BP信号经Q5、Q6电平变换分别驱动PMOS管Q7和NMOS管Q8，经Q7和Q8互补推挽产生B电极方波。
[0056]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种液晶调光玻璃的驱动电路，其特征在于:所述驱动电路包括整流模块、矩阵模块及中央处理器，所述整流模块的输入端与市电连接，所述整流模块的输出端连接所述矩阵模块的输入端，所述中央处理器的输出端连接所述矩阵模块的控制端，所述整流模块电性连接所述中央处理器。
2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述矩阵模块为MOS管矩阵模块。
3.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述MOS管矩阵模块包括三极管Ql、三极管Q2、三极管Q5、三极管Q6、MOS管Q3、MOS管Q4、MOS管Q7、MOS管Q8、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻Rll及电阻R12，所述MOS管Q3的第4脚分别连接所述电阻Rl的一端及三极管Ql的集电极，所述三极管Ql的基极连接所述电阻R3的一端，所述MOS管Q4的第4脚分别连接所述电阻R6的一端、三极管Q2的集电极及电阻R4的一端，所述MOS管Q4的第5、6、7、8脚并联后与所述MOS管Q3的第5、6、7、8脚并联后合并输出电压给电极A，所述三极管Q2的基极连接所述电阻R5的一端，所述MOS管Q7的第4脚分别连接所述电阻R7的一端及电阻R8的一端，所述电阻R8的另一端连接所述三极管Q5的集电极，所述三极管Q5的基极连接所述电阻R9的一端，所述MOS管Q8的第4脚分别连接所述电阻R12的一端、三极管Q6的集电极及电阻RlO的一端，所述三极管Q6的基极连接所述电阻Rll的一端，所述MOS管Q7的第5、6、7、8脚并联后与所述MOS管Q8的第5、6、7、8脚并联后合并输出电压给电极B。
4.根据权利要求3所述的驱动电路，其特征在于，所述中央处理器包括芯片U1、短路保护单元及过流保护单元，所述短路保护单元的输出端连接所述芯片Ul的输入端，所述过流保护单元输出端连接所述芯片Ul的输入端。
5.根据权利要求4所述的驱动电路，其特征在于，所述短路保护单元包括电阻R13、电阻R14、电阻R15及电阻R16，所述电阻R13的一端分别连接所述芯片Ul的第7脚及电阻R14的一端，所述电阻R15的一端分别连接所述芯片Ul的第6脚及电阻R16的一端。
6.根据权利要求5所述的驱动电路，其特征在于，所述过流保护单元包括电阻R17及电阻R18，所述MOS管Q4的第1、2、3脚分别连接所述电阻R17的一端及芯片Ul的第3脚，所述MOS管Q8的第1、2、3脚分别连接所述电阻R18的一端及芯片Ul的第13脚。
7.根据权利要求6所述的驱动电路，其特征在于，所述整流模块包括桥式整流二极管D5、电容Cl、电容C2、二极管D1、变压器Tl、二极管D2、二极管D3、电容C3、电容C4、芯片U2、芯片U3、光电耦合器N1、电阻R22、三极管Q9、电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻23、电容C5及稳压二极管D4，所述桥式整流二极管D5的第2脚连接所述电容Cl的负极，所述电容Cl的正极、桥式整流二极管D5的第I脚、电容C2的一端及电阻R23的一端分别连接所述变压器T的输入第I接线端，所述电容C2的另一端及电阻R23的另一端分别连接所述二极管Dl的阴极，所述二极管Dl的阳极分别连接所述变压器Tl的输入第2接线端及芯片U3的第3脚，所述变压器Tl的输出第6接线端连接二极管D2的阳极，所述二极管D2的阴极分别连接所述电容C3的正极、电阻R20的一端及输出电压，所述电阻R20的另一端经所述电阻R21接地及连接所述三极管Q9的基极，所述变压器Tl的输出第4接线端连接所述二极管D3的阳极，所述二极管D3的阴极分别连接所述电容C4的正极、电阻R22的一端、光电耦合器NI的第4脚及芯片U2的第3脚，所述电阻R22的另一端连接所述光电耦合器NI的第2脚，所述光电耦合器NI的第I脚连接所述三极管Q9的集电极，所述三极管Q9的发射极经所述稳压二极管D4接地，所述光电耦合器NI的第4脚连接所述芯片U3的第I脚，所述芯片U2的第I脚连接所述电容C5的正极且输出电压。
8.根据权利要求7所述的驱动电路，其特征在于，所述芯片U2的型号为78L05，所述芯片U3的型号T0P226，所述光电耦合器NI为四端光电耦合器，其型号为PC817。
9.根据权利要求8所述的驱动电路，其特征在于，所述MOS管Q3与所述MOS管Q7的型号为 IRF6216。
10.根据权利要求9所述的驱动电路，其特征在于，所述MOS管Q4与所述MOS管Q8的型号为Si4490DY。
【专利摘要】本实用新型适用于电控液晶调光领域，提供了一种液晶调光玻璃的驱动电路，所述驱动电路包括整流模块、矩阵模块及中央处理器，所述整流模块的输入端与市电连接，所述整流模块的输出端连接所述矩阵模块的输入端，所述中央处理器的输出端连接所述矩阵模块的控制端，所述整流模块电性连接所述中央处理器。开关电源效率高，发热量小，不用采用风扇强制散热，降低了电源成本。
【IPC分类】G02F1-133, H02M7-217
【公开号】CN204422913
【申请号】CN201520065633
【发明人】赵超, 刘欢, 高安生, 李冀科
【申请人】深圳市立昱迅科技有限公司
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2015年1月30日