专利名称：耐热性优良的等离子腐蚀电极及使用它的干腐蚀装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及制造半导体装置时使用的干腐蚀装置用等离子腐蚀电极及使用它的干腐蚀装置，进而详细地是涉及通过环氧树脂系粘结剂接合至少由硅制电极板和支承该电极板的台座构成的2个以上部件的耐热性优良的等离子腐蚀电极及使用它的干腐蚀装置。
背景技术：
随着以计算机为代表的信息设备的发展，对于构成这些设备的主要器件的半导体集成电路，进一步强烈要求提高集成度。在半导体装置的制造时，从确保性能角度看，原料极不希望在制造工序阶段也混入杂质，所以要在清洁室类的清净环境下进行作业。当然，对于构成制造装置的各部件也需要不产生杂质。
离子注入、干腐蚀、溅射为代表的晶片的处理在称为腔室的高真空中能够减压的反应室内进行，但随着半导体集成电路的集成度的提高，必须满足更高水平的纯度标准，即使对于腔室或构成它的各部件也要求具有杂质污染少的材料特性。
以干腐蚀为例，若用图3说明腔室内部的各部件时，通常在腔室内以相对的形式设置由上部电极和下部电极4构成的一对电极，通过下部电极与高频率电源7连接，在相对的电极间发生等离子。硅晶片5是通过搭载用材料置于下部电极的正上方，在等离子6氛围下通过腐蚀气进行腐蚀处理。
以往，对含有上部电极的等离子腐蚀电极3，在装置的结构上有形状复杂的类型，材质大多使用玻璃状碳或硅或碳化硅(SiC)，但是将这些材料成型为一体时，价格非常高。
为此，对于干腐蚀装置的上部电极，使用在金属或金属氧化物制台座(或支承环)上接合硅制等的电极板，其接合是通过铟或银钎焊等的金属焊接来进行的。金属钎焊作为导电性及热传导性的材质，是没有特别问题的。
可是，随着等离子腐蚀装置的性能提高同时，处理晶片的温度上升，但对于以往的通过铟等的金属焊接的接合，虽然具有粘结强度，但耐热温度低，即，例如，由于铟的熔点是156℃，所以担心接合面超过此温度时会剥落，另外，在制造工序的前处理，例如金属膜的溅射等底层处理或在高温作业时的烦杂，其结果存在着作业性和处理的费用变高的问题。
进而，钎焊材料本身也成为对于晶片的污染的原因。因此，存在着得不到干腐蚀的良好的腐蚀特性，半导体装置也就是硅晶片的成品率降低的问题。
因此，为了解决上述问题，在美国专利5,074,456号公开了用含金属环氧树脂接合的上部电极或在美国专利6,073,577号公开了用含金属粒子的弹性材料接合的上部电极。
按照这些发明，由于粘结层的厚度均匀薄到金属粒子的直径，所以可高精度地接合电极板和台座，可良好地保持上部电极和下部电极间的平行度的同时，也可除去杂质污染。
可是，这些发明，在粘结层中可含有金属填料，但是由于电极板和台座间的热传导率比用钎焊接合时低，所以在电极板的周边部和中央部存在不均匀，存在腐蚀特性降低的顾虑。
为此，在接合型的等离子腐蚀电极中，在其接合面上必须具有导电性、热传导性、耐热性，强烈希望具有这些优良性能的接合型的等离子腐蚀电极。
发明内容
本发明的目的在于解决上述以往的干腐蚀装置的接合型等离子腐蚀电极所具有的问题点，并提供没有杂质污染，在电极板和台座(或支承环)的接合面上具有良好的热传导性、导电性及耐热性，其结果，腐蚀特性提高，硅晶片的成品率高的等离子腐蚀电极及使用它的干腐蚀装置。
本发明者们为了解决上述问题，对于最适宜的干腐蚀装置的等离子腐蚀电极的开发进行了精心的研究，其结果，发现作为台座，采用不用担心杂质污染的石墨部件，且对台座和硅晶片制电极板的接合用作为热传导性、导电性填料选择碳粉末并含有聚碳化二亚胺的环氧树脂系粘结剂进行时，电极板和台座的接合即使在高温下也能坚固，而且电极板和台座间可以得到良好的热传导性和导电性的情况。本发明是基于这些见解而完成的。
即，按照本发明之1，提供具有优良耐热性的干式腐蚀装置用的等离子腐蚀电极，是由硅制电极板和支持它的台座构成的，两者是用粘结剂均匀且坚固地接合的等离子腐蚀电极，其特征是，(a)作为台座是使用了石墨制作的台座，(b)作为粘结剂是使用包括含有聚碳化二亚胺树脂的环氧树脂和碳粉末的粘结剂。
按照本发明之2，提供干式腐蚀装置用的等离子腐蚀电极，其特征是在第1发明中的粘结剂，对于环氧树脂100重量份是配合聚碳化二亚胺树脂5～20重量份、碳粉末12～440重量份。
按照本发明之3，提供干式腐蚀装置用的等离子腐蚀电极，其特征是在第1发明中的粘结剂中，进而含有固化剂和固化促进剂。
按照本发明之4，提供干式腐蚀装置用的等离子腐蚀电极，其特征是在第3发明中的固化剂是从胺系化合物、肼系化合物、酚系化合物或者酸酐系化合物中选择出来的化合物，另一方面，固化促进剂是从咪唑、叔胺、或者金属络合物中选择出来的化合物。
按照本发明之5，提供干式腐蚀装置用的等离子腐蚀电极，其特征是在第3发明中的固化剂或者固化促进剂，对于环氧树脂100重量份是配合1～150重量份。
按照本发明之6，提供干式腐蚀装置用的等离子腐蚀电极，其特征是在第1发明中的聚碳化二亚胺树脂是芳香族系化合物。
按照本发明之7，提供干式腐蚀装置用的等离子腐蚀电极，其特征是在第1发明中的环氧树脂是双酚A型环氧树脂。
按照本发明之8，提供干式腐蚀装置用的等离子腐蚀电极，其特征是在第1发明中的碳粉末的杨氏模量是6×109～68×109N/m2。
按照本发明之9，提供干式腐蚀装置用的等离子腐蚀电极，其特征是在第1发明中的台座，除了与硅制电极板接合的部分，其表面是用玻璃状的碳涂层。
按照本发明之10，提供干式腐蚀装置用的等离子腐蚀电极，其特征是在第9发明中，涂层了的玻璃状碳膜的厚度是1～3μm。
按照本发明之11，提供干式腐蚀装置用的等离子腐蚀电极，其特征是在第1发明中的硅制电极板是由单晶硅构成的，而且有贯通孔。
按照本发明之12，提供装有发明1～11中任何一项的干式腐蚀装置用的等离子腐蚀电极的干式腐蚀装置。
本发明如上所述，是涉及耐热性优良的干式腐蚀装置用的等离子腐蚀电极，其是由硅制电极板和支持它的台座构成的，两者是用粘结剂均匀且坚固地接合的等离子腐蚀电极，其中，(a)作为台座是使用了用石墨制作的台座，(b)作为粘结剂是使用包括含有聚碳化二亚胺树脂的环氧树脂和碳粉末的粘结剂。其优选的实施方式包括以下的内容。
(1)发明中的等离子腐蚀电极是上部电极。
本发明的等离子腐蚀电极是由硅制电极板和支持它的台座构成的，两者是用粘结剂坚固地接合的等离子腐蚀电极，其特征是，(a)作为台座是使用了用石墨制作的台座，(b)作为粘结剂是使用包括含有聚碳化二亚胺树脂的环氧树脂和碳粉末。其具有优良的耐热性。
通过这样的构成，在以往的粘结电极中不能处理的高温的温度域内也可以使用，导电性及耐热性得到了提高。另外不用担心杂质的污染，可以得到良好的腐蚀特性。因此，能够提高半导体装置的成品率，进而电极板和台座的接合作业，在室温下也可以，不需要衬底处理，所以可廉价地制造，降低了制造成本。
图1是等离子腐蚀电极(上部电极)的模式图。
图2是等离子腐蚀电极(上部电极)的立体图。
图3是干腐蚀装置的模式图。
具体实施例方式
以下，对每个项目详细地进行说明。
1.等离子腐蚀电极本发明的等离子腐蚀电极，是由硅制电极板和支持它的台座构成的，两者是用粘结剂坚固地接合的等离子腐蚀电极，其特征是，(a)作为台座是使用了用石墨制作的台座，(b)作为粘结剂是使用包括含有聚碳化二亚胺树脂的环氧树脂和碳粉末的粘结剂。
所以其耐热性优良。
通常，等离子腐蚀电极(即上部电极)实际上是由二部分组成的，包括对与晶片相对的气体起分散作用的部分和、固定在装置上的部分。对与晶片相对的气体起分散作用的部分是电极板，大多是由硅制成的。另外，固定在装置上的部件(即台座)，只要导电性和热传导性优良就可以，可以从金属、碳、陶瓷等中选择。
进而，说明电极板和台座、接合面。
(1)电极板本发明的等离子腐蚀电极，通常是使用硅制的电极板，该硅制电极板是在板面上具有多个腐蚀气体喷出孔的圆板。而且，进行腐蚀时，腐蚀气体通过上部电极板的气体喷出孔时被等离子化，其中的反应性离子被吸引到置于下部电极上的硅晶片上进行腐蚀。
作为电极板，对构成基体的硅没有特殊的限制，但是优选的是高纯度、高密度的单晶硅。作为这样的硅可以举出掺杂材料(掺杂剂)是硼(B)的P型的单晶硅等，该结晶方位是(100)。另外，电阻率，一般是1μΩ·cm～30Ω·cm的范围。
(2)台座本发明的等离子腐蚀电极中，作为与上述硅制电极板内面接合的台座(或支持环)通常是使用石墨制的。石墨制的台座，使用石墨制的台座是因为在腐蚀工序中不会对硅晶片产生杂质污染，可以提高发生在上部电极的热的冷却效率(热传导率)。
由于作为冷却用环使用了石墨制的台座，所以优选并需要热传导性好(即热传导率高)，与硅制的电极板的热膨胀率的差是小的。如果热传导性差，热膨胀率的差大，则在电极上，圆板的中心附近和周边部产生温度梯度，这成为造成腐蚀特性不均匀的一个原因。另外，也不能适应硅晶片的大口径化、处理温度的高温化、急热、急冷处理的要求等。
作为石墨制的台座，构成基体的石墨没有特殊的限制，但是因为是在硅晶片腐蚀时的杂质污染少，热传导率高，与硅制的电极板的热膨胀率的差是小的，所以最好使用高纯度的。作为这样的石墨，可以举出半导体级的，例如，市售的，炉碳社制的CX-2123、CX-2114、CX-2206、E+25和日本碳社制的EGF-262、EGF-264等。
另外，石墨制的台座也可以是石墨和玻璃状碳制的复合体。
进而，石墨的表面，最好是用玻璃状碳涂层的。被涂层的部位，至少是在干腐蚀时可与腐蚀气体接触的部位，也就是除与硅制电极板接合的部分的部位，例如，台座的侧面和内面。
涂敷了的玻璃状碳，其厚度通常是1～3μm，涂敷的方法没有特别的限制，可以从以往的方法中适宜地选择出，特别是在石墨上喷涂或含浸某种树脂，例如聚碳化二亚胺、酚树脂等，通过煅烧形成玻璃状的碳被覆层。
含浸处理时，玻璃状碳层，可以从台座的表面向内部形成，可以将玻璃状碳层的厚度做成3μm以上。
该玻璃状碳层是起到石墨保护层的作用，抑制石墨的粉尘的发生，对耐腐蚀性是有利的。特别是在干腐蚀时，可以抑制等离子气氛中的来自石墨的气体发生，另外，还可以防止构成石墨表面的氧化层的剥离，附着在晶片上的粒子的产生。
作为玻璃状碳是难以石墨化的碳或称为硬碳的，只要是通过有机物质的固相碳化而生成的，使用何种原料及制法都可以，对此没有特殊的限制。作为原料，可以举出赛路芬、糠醇等的热固化树脂及热塑性树脂，另外作为制法，以这些原料为基础可以提出各种的制法。
(3)接合面(接合层)上述的2个以上的部件是用以下说明的特定的环氧树脂系粘结剂接合的，但是为了在装入装置时产生等离子，所以接合层需要有导电性。另外，为了冷却与等离子直接接触的晶片对向面，固定在装置的部分虽然可以被冷却，但是为了有效地进行热交换，接合层也需要具有热传导性。
另外，该接合层的气体分散侧有时可以上升到200℃，所以接合层需要具有耐热性。
2.粘结剂如上所述，在2个以上的部件接合层上，需要具有导电性、热传导性及耐热性。因此，在本发明中，用于接合的粘结剂，其特征是含有聚碳化二亚胺树脂的环氧树脂和碳粉末。
另外，在廉价地进行接合时，作为耐热性的粘结剂也可以考虑硅系粘结剂，但是，热膨胀率是10-4/℃，所以作为接合材料的硅和石墨(热膨胀率是10-6/℃)都使用在高温下时，热膨胀率的差也可以大到2位数字，有可能使接合部产生剥离，所以在本发明中没有使用。另外，环氧树脂粘结剂，由于热膨胀率是10-5/℃的单位，所以与硅粘结剂比较，热膨胀率的差更小，剥离的可能性减少。
(1)聚碳化二亚胺树脂作为聚碳化二亚胺树脂，可以使用各种方法制造的产品，基本上是用以往的聚碳化二亚胺树脂的制造方法(参照美国专利第2941956号说明书、日本专利公告33279/1972等)，具体的是使用通过有机聚异氰酸酯的脱二氧化碳的缩合反应(即脱碳酸缩合反应)来制造的、异氰酸酯末端聚碳酰二亚胺。
上述的制造方法中，作为聚碳化二亚胺的合成原料的有机聚异氰酸酯可以使用芳香族聚异氰酸酯、脂肪族聚异氰酸酯、脂环族聚异氰酸酯和这些的混合物，具体的可以举出1，5-萘二异氰酸酯、4，4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、4，4’-二苯基二甲基甲烷二异氰酸酯、1，3-亚苯基二异氰酸酯、1，4-亚苯基二异氰酸酯、2，4-亚甲苯基二异氰酸酯、2，6-亚甲苯基二异氰酸酯、2，4-亚甲苯基二异氰酸酯和2，6-亚甲苯基二异氰酸酯的混合物、六亚甲基二异氰酸酯、环己烷-1，4-二异氰酸酯、亚二甲苯基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、二环己基甲烷-4，4’-二异氰酸酯、甲基环己烷二异氰酸酯、四甲基亚二甲苯基二异氰酸酯、2，6-二异丙基苯基异氰酸酯、1，3，5-三异丙基苯-2，4-二异氰酸酯等。
其中，本发明所使用的聚碳化二亚胺树脂，优选的是至少由1种的芳香族聚碳化二亚胺树脂得到的(芳香族聚碳化二亚胺树脂是指连接在芳香环上的异氰酸基在一个分子中存在2个以上的异氰酸酯)。
进而，聚碳化二亚胺树脂，可以举出芳香族系、脂肪族系、脂环系化合物等，从耐热性的观点看，优选的是芳香族化合物。
另外，上述有机二异氰酸酯，可以使用与一异氰酸酯等的碳化二亚胺化合物的末端异氰酸酯反应的化合物，适当地控制聚合度而得到的产品。
作为这样链终止聚碳化二亚胺的末端而控制其聚合度的一异氰酸酯，可以举出苯基异氰酸酯、甲苯基异氰酸酯、二甲基苯基异氰酸酯、环己基异氰酸酯、丁基异氰酸酯、萘基异氰酸酯等。
进而，其他的，作为链终止剂，可与末端异氰酸酯反应的化合物，可使用脂肪族化合物、芳香族化合物、指环族化合物，例如，(1)具有-OH基的甲醇、乙醇、苯酚、环己醇、N-甲基乙醇胺、聚乙二醇单甲基醚、聚丙二醇单甲基醚；(2)具有＝NH基的二乙基胺、二环己基胺等；(3)具有-NH2基的丁胺、环己胺等；(4)具有-COOH基的丙酸、苯甲酸、环己烷羧酸等；(5)具有-SH基的乙基硫醇、烯丙基硫醇、硫酚等和(6)具有环氧基等的化合物。
上述的有机二异氰酸酯的脱碳酸缩合反应是在碳化二亚胺化催化剂的存在下进行的，作为碳化二亚胺化催化剂，可以使用1-苯基-2-亚膦基-1-氧化物、3-甲基-1-苯基-2-亚膦基-1-氧化物、1-乙基-2-亚膦基-1-氧化物、3-甲基-2-亚膦基-1-氧化物或者这些的3-亚膦基异构体等的亚膦基氧化物等，这些中，从反应性面上看，优选的是3-甲基-1-苯基-2-亚膦基-1-氧化物。
本发明所使用的聚碳化二亚胺树脂，与是否使用上述的链终止剂无关，其凝胶渗透色谱(GPC)的聚乙烯换算的平均分子量，优选的是3,000～50,000、更优选的是10,000～30,000、最优选的是15,000～25,000，数均分子量在3000以上，粘结剂可以得到充分的耐热性，另一方面，超过50,000时，则合成时间加长，不实用。
(2)环氧树脂本发明所涉及的粘结剂，作为所使用的环氧树脂可以使用一般公知的环氧树脂系粘结剂中的环氧树脂。具体的可以举出双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、酚醛树脂型环氧树脂、甲酚醛树脂型环氧树脂为代表的缩水甘油基醚型的环氧树脂、脂环式环氧树脂、缩水甘油基酯型的环氧树脂、缩水甘油基胺型的环氧树脂、杂环式环氧树脂、液体橡胶改性环氧树脂等的、一个分子中具有2个以上环氧基的环氧树脂的1种或这些的混合物。优选的是双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、酚醛树脂型环氧树脂、甲酚醛树脂型环氧树脂等。其中最优选的是双酚A型环氧树脂。另外，本发明所使用的环氧树脂并不受这些限制，但是上述的聚碳化二亚胺树脂最好作为固化剂使用。
(3)碳粉末本发明所涉及的粘结剂中，所使用的碳粉末是用于混练在粘结剂中，是赋予、提高热传导性和电传导性的，起到热传导性和电传导性填料功能作用的。
作为导电性填料，通常知道的有使用银、铜等金属或碳粉、镀银的微粒子等，但是在本发明中，从热稳定性和弹性度调整观点看，是使用碳粉(或石墨粉末)。
由于碳粉的形状或大小、配合量对导电性的效果是不同的，但是优选的是碳粉的粒径是1～100μm，更优选的是10～50μm，作为粒径的分布希望是比较整齐的。
另外，碳粉优选的是杨氏模量为6×109～68×109N/m2的。
(4)粘结剂的组成本发明中，通过至少混合含有聚碳化二亚胺树脂的环氧树脂和碳粉，而得到粘结剂。
本发明的粘结剂的组成中，聚碳化二亚胺树脂的含有量，通常对于环氧树脂100重量份，从粘结力的观点看优选的是5～20重量份。含有量低于5重量份时粘结力可能不坚固，另一方面，超过20重量份时，其添加效果不能发挥。例如，在固化后的剪断强度试验(JIS K6850)中，一般在不添加聚碳化二亚胺树脂时，是15MPa(大约150kg/cm2)，随着聚碳化二亚胺树脂的添加，慢慢地剪断强度上升，在含有量接近5～20重量份时，可达到最大的20MPa以上。
另外，作为碳粉的配合量，对于粘结剂整体100重量份是10～99重量份，即10～99重量％的范围，特别是从电极本身的电阻考虑，优选的是30～80重量份，即30～80重量％的范围。换句话说含有聚碳化二亚胺树脂(聚碳化二亚胺+环氧树脂)100重量份是使用11～400重量份，对于环氧树脂100重量份是使用12～440重量份的范围。从电极的电阻考虑，对于环氧树脂100重量份碳粉的使用量是47～440为优选的。
混合的手段虽然没有特殊的限制，可以举出用捏合机或热辊的混合机的熔融混合，或者对聚碳化二亚胺树脂及环氧树脂适当添加惰性的溶剂进行的。
本发明所涉及的粘结剂中，在不损害本发明的效果范围内也可以含有以往粘结剂组合物所使用的各种添加剂和填充料。这样的添加剂和填充料可以举出纤维质增强材料、粉末或结晶状填充材料(例如，熔融硅)、颜料、促进聚碳化二亚胺树脂和环氧树脂的反应固化的固化剂或固化促进剂。特别是含有促进聚碳化二亚胺树脂和环氧树脂的反应固化的固化剂或固化促进剂更为优选。作为固化剂或固化促进剂的配合量，对于环氧树脂100重量份是1～150重量份的范围，根据使用的环氧树脂的种类和固化剂的条件可以调节。
作为固化剂可以举出二氰基二酰胺等的胺系化合物、肼系化合物、酚系化合物、酸酐系化合物等，另外作为固化促进剂，可以举出咪唑、叔胺、金属络合物等的、可以促进环氧树脂和固化剂的反应，而且自身也结合的化合物。
这样的各种添加剂等可以在上述混合时的同时添加，也可以在上述混合后添加。另外，也可以配合在上述混合前的任何一种的树脂中。
本发明所涉及的粘结剂通常加热到80～200℃，优选的是加热到120～200℃时，可以变化成最终的固化物。
这种固化可以认为在聚碳化二亚胺树脂中的聚碳化二亚胺基和环氧基反应产生交联而引起的。
实施例以下对本发明通过使用图的实施例，及比较例进一步详细地说明，但是本发明不受这些实施例的限制。
实施例1～6[等离子腐蚀电极的概要和部件的接合]本发明的等离子腐蚀电极，即上部电极是硅晶片的干腐蚀装置中的部件，其干腐蚀装置的概要如图3所示，上部电极的概要如图1及2所示。
作为硅制电极板8，是使用下列的硅板，即对硅(Si)为单结晶、P型(B掺杂)、结晶方位(100)、电阻率15Ω·cm的硅板进行加工，加工成直径是223.5mm、厚度6.35mm的尺寸，气体喷出孔11(直径0.8mm)有3200个。
另外，作为石墨环(台座)9使用对LE-CARBON E制E+25的石墨进行加工，做成直径223.5mm、厚度19mm的尺寸，并带有固定在装置上的缘部的形状。
此硅制电极板8和石墨环9用粘结剂在接合面10接合，制作成等离子腐蚀电极1～6。上述粘结剂是通过以下制作的，即对于双酚A型环氧树脂100重量份，添加芳香族系聚碳化二亚胺树脂(日清纺制‘カルボジライト10M-SP’(注册商标))10重量份和、作为固化剂的二氰基二酰胺10重量份和、作为固化促进剂的咪唑2重量份，进而，对于环氧树脂100重量份添加石墨粉(川崎制铁制HA2500F)12、47、73、110、257、440重量份后混练调整后得到的。
这样制作的等离子腐蚀电极，作为硅晶片的干腐蚀装置的电极部件，用于实际的晶片腐蚀。
干腐蚀装置是LAMRESEARCH社制的Exel4250，作为评价项目，评价整体电阻值、腐蚀率、接合部的耐热性(在2000W下，腐蚀晶片5分钟，接着冷却2分钟的周期反复进行6000次后，观察有无剥离)。此外，整体的电阻是用三菱化学社制MCP-T600测定的。其评价结果如表1所示。
表1
比较例1～3与实施例1～6相同地使用硅制电极板8和石墨环9，在比较例1中，作为金属钎焊接合，是通过铟(In)，在比较例2中，作为粘结剂是使用对于硅系粘结剂100重量份混练100重量份碳粉(石墨粉)，另外在比较例3中，作为粘结剂是在固化剂中使用了二氰基二胺的环氧树脂系粘结剂中混练了碳粉的(石墨粉)(配合比，环氧树脂∶二氰基二胺∶石墨粉为100∶10∶110重量份)，在接合面10粘结，与实施例1～6相同地进行实验。其结果表示在表2中。
表2
从表1和表2可以明显地看出实施例1～6的电极接合部10耐热性良好，没有剥离，另一方面，比较例1、2的电极接合部10在实验中剥离，耐热性不好。
因此，本发明的等离子腐蚀电极，可以提高得到的芯片的成品率，是优良的。
另外，作为腐蚀率的规格最好是在6300±300的范围，实施例2～6是符合上述规格范围的。石墨粉的含有量超过440重量份时，由于粘度的问题难以向接合部10涂敷，腐蚀率也与实施例6几乎没有变化。为此，从腐蚀率的点上看，含有碳化二亚胺的环氧树脂系粘结剂的石墨粉的含有量，对于环氧树脂100重量份最合适的是47～440的范围内。
权利要求
1.一种具有优良耐热性的干式腐蚀装置用的等离子腐蚀电极，是由硅制电极板和支持它的台座构成的，两者是用粘结剂均匀且坚固地接合的等离子腐蚀电极，其特征是，(a)作为台座是使用了石墨制作的台座，(b)作为粘结剂是使用包括含有聚碳化二亚胺树脂的环氧树脂和碳粉末的粘结剂。
2.如权利要求1所述的干式腐蚀装置用的等离子腐蚀电极，其特征是粘结剂，对于环氧树脂100重量份是配合聚碳化二亚胺树脂5～20重量份、碳粉末12～440重量份。
3.如权利要求1所述的干式腐蚀装置用的等离子腐蚀电极，其特征是在粘结剂中，进而含有固化剂和固化促进剂。
4.如权利要求3所述的干式腐蚀装置用的等离子腐蚀电极，其特征是固化剂是从胺系化合物、肼系化合物、酚系化合物或者酸酐系化合物中选择出来的化合物，另一方面，固化促进剂是从咪唑、叔胺、或者金属络合物中选择出来的化合物。
5.如权利要求3所述的干式腐蚀装置用的等离子腐蚀电极，其特征是固化剂或者固化促进剂，对于环氧树脂100重量份配合1～150重量份。
6.如权利要求1所述的干式腐蚀装置用的等离子腐蚀电极，其特征聚碳化二亚胺树脂是芳香族系化合物。
7.如权利要求1所述的干式腐蚀装置用的等离子腐蚀电极，其特征是环氧树脂是双酚A型环氧树脂。
8.如权利要求1所述的干式腐蚀装置用的等离子腐蚀电极，其特征是碳粉末的杨氏模量是6×109～68×109N/m2。
9.如权利要求1所述的干式腐蚀装置用的等离子腐蚀电极，其特征是台座，除了与硅制电极板接合的部分，其表面是用玻璃状的碳涂层。
10.如权利要求9所述的干式腐蚀装置用的等离子腐蚀电极，其特征是涂层了的玻璃状碳膜的厚度是1～3μm。
11.如权利要求1所述的干式腐蚀装置用的等离子腐蚀电极，其特征是硅制电极板是由单晶硅构成的，而且有贯通孔。
12.装有权利要求1～11中任一项的干式腐蚀装置用的等离子腐蚀电极的干式腐蚀装置。
全文摘要
本发明涉及一种耐热性优良的等离子腐蚀电极及使用它的干腐蚀装置。一种具有优良耐热性的干式腐蚀装置用的等离子腐蚀电极，是由硅制电极板和支持它的台座构成的，两者是用粘结剂均匀且坚固地接合的等离子腐蚀电极，其特征是，(a)作为台座是使用了石墨制作的台座，(b)作为粘结剂是使用包括含有聚碳化二亚胺树脂的环氧树脂和碳粉末的粘结剂。其结果，导电性及耐热性得到了提高。不用担心杂质的污染，可以得到良好的腐蚀特性。因此，提高了硅晶片的成品率。
文档编号H01J37/32GK1453830SQ0212699
公开日2003年11月5日 申请日期2002年7月30日 优先权日2002年4月22日
发明者山口彰, 富田秀司 申请人:日清纺绩株式会社