专利名称：发光二极管的制作方法
技术领域：
发光二极管技术领域：
本实用新型涉及一种发光二极管。背景技术：
如图i所示，现有的发光二极管在线路基板r上设有一个或多个发光二极管芯片2，；于发光二极管芯片2'上方设置环氧树脂，所述环氧树脂包覆发光二极管芯片2'于其内，将发光二极管芯片2'发出的光导出至外界。蓝光及紫光系列的发光二极管芯片2'在发光过程中都会同时发射出大量的紫外线，传统发光二极管芯片2'—般在焊线完毕后直接在芯片2，上方用环氧树脂透光胶体3，进行封胶，使得该紫外线长期直接照射在环氧树脂透光胶体3，上，虽然环氧树脂含有可吸收紫外线的芳香族，但仍在吸收紫外线之后，会形成发色团，造成树脂变色，此外环氧树脂遇热后也会变色，进而造成短波长领域的穿透率下跌，该现象对蓝光晶片LED发光光度影响极大，会使发光二极管亮度衰减，直接影响发光二极管使用寿命。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种发光二极管，其能减緩环 氧树脂胶体的老化，延长其使用寿命。为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是提供一种发光二极管， 包括一线路基板，所述线路基板上设有至少一个发光二极管芯片；于发光二 极管芯片上方设置一透光材料；其中，所述透光材料覆盖在芯片表面上，所述透光材料为硅胶。与现有技术相比较，上述发光二极管的芯片外设置硅胶，提高了发光二极管封装胶体抗紫外线以及耐高温特性，减緩了发光二极管的亮度的衰减，延长了其使用寿命。
图1是现有技术发光二极管封装结构的剖视示意图。图2是本实用新型的第一较佳实施例的剖视示意图。图3是图2所示实施例第二较佳实施例的剖视示意图。图4是本实用新型的第三较佳实施例的剖视示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚 明白，
以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理 解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实 用新型。请参阅图2，是本实用新型发光二极管的第一较佳实施例，其包括一线 路基板1,所述线路基板1上设有一个或多个发光二极管芯片2.;于发光二极 管芯片2上方设置环氧树脂胶体3，所述环氧树脂胶体3包覆发光二极管芯 片2于其内，将发光二极管芯片2发出的光导出至外界。于发光二极管芯片2的正上方设置有硅胶4,所述硅胶4以点胶的方式 设置于发光二极管芯片2的正上方。请一同参阅图3,作为本实施例的第二较佳实施例，其与第一较佳实施例的区别在于所述硅胶4可包覆住发光二极管芯片2的外围。上述第一及第二实施例中，在发光二极管芯片2正上方设置硅胶4，然 后再用环氧树脂胶体3进行封胶，所述硅胶4可有效阻止一部分紫外线透射 到环氧树脂胶体3上，减緩环氧树脂胶体3的老化，从而提高了发光二极管 的亮度，延长其使用寿命。请一同参阅图4,本实用新型发光二极管的第三较佳实施例与上述实施 例的区别在于所述环氧树脂胶体3由硅胶4来替代，包覆发光二极管芯片 2于其内，将发光二极管芯片2发出的光导出至外界。在发光二极管芯片2外围设置硅胶4,与传统的环氧权脂封装相比，硅 胶4除了对低波长有较佳的抗受性、较不易老化外，硅胶4的光透率、折射 率、耐热性都很理想。这样一来使环氧树脂胶体3不会直接受发光二极管芯 片2所发出的紫外线照射，可有效减緩环氧树脂胶体3老化、发黄现象的产 生。因而，提高了抗紫外线以及耐高温特性，减緩了发光二极管的亮度的衰 减，延长了其使用寿命。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新 型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等， 均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种发光二极管，包括一线路基板，所述线路基板上设有至少一个发光二极管芯片；于发光二极管芯片上方设置一透光材料；其特征在于所述透光材料覆盖在芯片表面上，所述透光材料为硅胶。
2. 如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于所述透光材料上方还覆 盖有环氧树脂胶体，所述硅胶设置在发光二极管芯片的正上方；所述环氧树 脂胶体包覆在硅胶外。
3. 如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于所述透光材料上方还覆 盖有环氧树脂胶体，所述硅胶包覆在发光二极管芯片的外围；所述环氧树脂 胶体包覆在硅胶外。
专利摘要本实用新型提供一种发光二极管，包括一线路基板，所述线路基板上设有至少一个发光二极管芯片；于发光二极管芯片上方设置一透光材料；其中，所述透光材料覆盖在芯片表面上，所述透光材料为硅胶。上述发光二极管的芯片外设置硅胶，提高了发光二极管封装胶体抗紫外线以及耐高温特性，减缓了发光二极管的亮度的衰减，延长了其使用寿命。
文档编号F21V19/00GK201083361SQ200720171738
公开日2008年7月9日 申请日期2007年9月6日 优先权日2007年9月6日
发明者宋文洲 申请人:深圳市龙岗区横岗光台电子厂;今台电子股份有限公司