专利名称：一种低热阻led灯及其制备方法
技术领域：
本发明涉及一种低热阻LED灯，本发明还涉及一种该低热阻LED灯制备方法。
背景技术：
随着电子工业的飞速发展，电子产品的体积尺寸越来越小，功率密度越来越大，解决散热问题是对电子工业设计的一个巨大的挑战。现有的LED灯其一般是直接设置在金属基覆铜板上，这种LED灯的散热效果不太理想，因为金属基覆铜板由三层结构所组成，分别是电路层、导热绝缘层和金属基层。LED芯片与金属基层之间并不能直接连接在一起，绝缘层的存在会相对增大其热阻。为了克服这个问题，现有技术中有采用在金属基覆铜板上打孔穿透导热绝缘层，然后再将LED芯片设置在金属基层上，但是这种方法对打孔的精度要求很高，加工非常困难，往往很容易造成金属基层的损坏。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种成本相对较低，热阻相对比较低的LED灯。本发明的另一个目的是提供一种制备所述LED灯的方法。为了达到上述目的，本发明采用以下方案一种低热阻LED灯，其特征在于包括导电铜箔，在所述的导电铜箔上压合有绝缘层，在所述的导电铜箔和绝缘层之间设有导热胶，在所述的绝缘层和导热胶上设有通孔， 在所述的通孔内设有LED芯片，所述的LED芯片装配在所述的导电铜箔上，在所述的导电铜箔蚀刻有电路。如上所述的一种低热阻LED灯，其特征在于所述的绝缘层为聚酰亚胺层。如上所述的一种低热阻LED灯，其特征在于所述的绝缘层为聚对苯二甲酸乙二酯层。如上所述的一种低热阻LED灯，其特征在于所述的导电金属层铜箔为电解铜箔或压延铜箔，其厚度为0. 5-50z。本发明制备如上所述任意一种低热阻LED灯的方法，其特征在于包括以下步骤a)在绝缘层上涂覆导热胶，经过60-180°C的烘箱干燥出去有机溶剂，使导热胶变成半固化状态；b)在所述绝缘层和导热胶层上开设通孔；c)将步骤B中带导热胶的绝缘层与导电铜箔进行压合；d)在压合后的导电铜箔上装配LED芯片，所述的LED芯片设置在所述的通孔内；e)通过蚀刻的方法在导电铜箔上蚀刻出电路。综上所述，本发明的有益效果本发明中采用先在绝缘层和导热胶层上打孔然后与导电铜箔压合，然后再通孔在装配LED芯片，有效解决了现有技术中打孔容易造成金属基层损坏的问题，也简化了加工工艺，降低了制作难度。
图1为本发明的结构示意图；图2为本发明制备方法的流程示意图。
具体实施例方式下面结合具体实施方式
对本发明做进一步描述 如图1所示，本发明一种低热阻LED灯，包括导电铜箔1，在所述的导电铜箔1上压合有绝缘层2，在所述的导电铜箔1和绝缘层2之间设有导热胶3，在所述的绝缘层2和导热胶3上设有通孔4，在所述的通孔4内设有LED芯片5，所述的LED芯片5装配在所述的导电铜箔1上，在所述的导电铜箔1蚀刻有电路。本发明中所述的绝缘层2可为聚酰亚胺层或为聚对苯二甲酸乙二酯层。所述的导电金属层铜箔1为电解铜箔或压延铜箔，其厚度为0. 5-50Z。如图2所述，制备本发明低热阻LED灯的方法，包括以下步骤a)在绝缘层2上涂覆导热胶3，经过60-180°C的烘箱干燥出去有机溶剂，使导热胶 3变成半固化状态；b)在所述绝缘层2和导热胶3层上开设通孔4 ；通过先打孔的方式大大降低了对打孔精度的要求，有效降低了对导电基层的损坏，从而有效保证产品的成本率。c)将步骤B中带导热胶3的绝缘层2与导电铜箔1进行压合；d)在压合后的导电铜箔1上装配LED芯片5，所述的LED芯片5设置在所述的通孔4内；这样有效降低LED芯片5与导电铜箔1之间的热阻，大大提高了散热效果e)通过蚀刻的方法在导电铜箔1上蚀刻出电路。本发明工艺方法简单，对打孔的精度要求小，加工方便。产品的成品率高散热效果好。
权利要求
1.一种低热阻LED灯，其特征在于包括导电铜箔(1)，在所述的导电铜箔(1)上压合有绝缘层O)，在所述的导电铜箔(1)和绝缘层( 之间设有导热胶(3)，在所述的绝缘层(2)和导热胶3上设有通孔，在所述的通孔内设有LED芯片(5)，所述的LED芯片 (5)装配在所述的导电铜箔(1)上，在所述的导电铜箔(1)蚀刻有电路。
2.根据权利要求1所述的一种低热阻LED灯，其特征在于所述的绝缘层O)为聚酰亚胺层。
3.根据权利要求1所述的一种低热阻LED灯，其特征在于所述的绝缘层O)为聚对苯二甲酸乙二酯层。
4.根据权利要求1所述的一种低热阻LED灯，其特征在于所述的导电金属层铜箔(1) 为电解铜箔或压延铜箔，其厚度为0. 5-50z。
5.制备权利要求1至4中任意一种低热阻LED灯的方法，其特征在于包括以下步骤A、在绝缘层(2)上涂覆导热胶(3)，经过60-180°C的烘箱干燥出去有机溶剂，使导热胶(3)变成半固化状态；B、在所述绝缘层( 和导热胶( 层上开设通孔；C、将步骤B中带导热胶(3)的绝缘层(2)与导电铜箔(1)进行压合；D、在压合后的导电铜箔⑴上装配LED芯片(5)，所述的LED芯片(5)设置在所述的通孔⑷内；E、通过蚀刻的方法在导电铜箔(1)上蚀刻出电路。
全文摘要
本发明公开了一种低热阻LED灯及其制备方法，该低热阻LED灯包括导电铜箔，在所述的导电铜箔上压合有绝缘层，在所述的导电铜箔和绝缘层之间设有导热胶，在所述的绝缘层和导热胶上设有通孔，在所述的通孔内设有LED芯片，所述的LED芯片装配在所述的导电铜箔上，在所述的导电铜箔蚀刻有电路。该制备方法包括以下步骤在绝缘层上涂覆导热胶，经过60-180℃的烘箱干燥出去有机溶剂，使导热胶变成半固化状态；在所述绝缘层和导热胶层上开设通孔；将步骤B中带导热胶的绝缘层与导电铜箔进行压合；在压合后的导电铜箔上装配LED芯片，所述的LED芯片设置在所述的通孔内；通过蚀刻的方法在导电铜箔上蚀刻出电路。
文档编号F21V19/00GK102252181SQ20111009472
公开日2011年11月23日 申请日期2011年4月15日 优先权日2011年4月15日
发明者刘沛然, 张家骥 申请人:新高电子材料(中山)有限公司