专利名称：等离子显示屏的封接方法
技术领域：
本发明涉及等离子显示屏制造领域，具体而言，涉及一种等离子显示屏的封接方法。
背景技术：
最近几年，液晶，PDP等平板电视有了迅猛的发展。PDP电视因为易于实现大型化， 在42寸以上电视中占据主要的地位。按照放电方式的不同，PDP分为直流型(DC-PDP)和交流型(AC-PDP)，其中前者的电极暴露在放电空间中，后者的电极被介质层所覆盖，未直接暴露在放电空间中。在目前的市场中，AC-PDP占主导地位。AC-PDP的介质层抗离子溅射能力较弱，如果直接暴露在放电空间中，其表面将因受到离子溅射而发生变化，最终导致PDP着火电压升高，寿命降低，因此需要在介质层表面覆盖一层保护膜。在众多的材料中，MgO — 直被用作传统的保护膜。由于介质保护膜容易与空气中和H2O和CO2发生如下反应(以纯MgO为例)MgCHCO2 =MgC03、MgCHH2O = Mg(OH)2，反应生成的碳酸物和氢氧化物附着在保护膜表面，严重影响保护膜性能，致使PDP屏着火电压升高，因此在PDP屏制作的过程中，应尽量减少保护膜与杂质气体接触，发生反应而变质。通常，PDP屏的封接工艺包括以下步骤提供设置有PDP 放电电极、介质层及介质保护膜的上基板和设置有寻址电极及障壁的下基板，将上基板与下基板叠置在一起放入封排炉，其中上基板或下基板的边缘涂覆有低熔点玻璃作为封接材料，封接曲线示意图如图1所示，经过升温(Ο-a)、第一次保温(a_b)、第一降温(b-c)、第二次保温(c-d)、及第二次降温(d-e)步骤完成等离子显示屏的封接，其中，Tl表示低熔点玻璃的软化点温度，T2表示第一次保温的温度，T3表示第二次保温的温度，Tl处的温度低于 T2，使得封接材料能够充分熔化，前后基板形成密闭空间。在整个过程中还包括上基板和下基板形成的放电单元中杂质气体的抽出及封接将近完成时放电气体(又叫工作气体)的充入。为了封接的稳定性，通常在第二次保温阶段的起始点开始对屏进行抽气，在T3保温阶段的排气是为了杂质气体的有效排出。但是由于第二次保温阶段的温度低于一定真空度下保护膜变质生成的碳酸物与氢氧化物的热分解温度，因此，采用该封接工艺，在升温、第一次保温及第一降温过程中，保护膜仍然与屏内的杂质气体接触并发生反应而变质，在保温阶段，根据碳酸物与氢氧化物的热分解曲线，其示意图如图2所示(以MgC03、CaC03、SrCO3 为例)，在保温温度低于一定真空度下保护膜变质生成的碳酸物与氢氧化物的热分解温度的情况下，先前的变质生成物不能分解，仍然附着在保护膜表面。因此，应开发新型的封接工艺，减少封接过程中保护膜与杂质气体的接触，并促使保护膜变质生成物充分分解并还原成氧化物，杂质气体被充分排出。
发明内容
本发明旨在提供一种等离子显示屏的封接方法，以解决现有技术中封接过程中保护膜与屏内的杂质气体较长时间的接触并发生反应而变质的技术问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供一种等离子显示屏的封接方法，包括以下步骤提供设置有PDP放电电极、介质层及介质保护膜的上基板和设置有寻址电极、障壁及荧光粉的下基板；将上基板与下基板叠置在一起放入封排炉，其中上基板或下基板的边缘涂覆有低熔点玻璃作为封接材料，经过第一升温、第一次保温、第二次升温、第二次保温、第一次降温、第三次保温及第二降温步骤完成等离子显示屏的封接，第一次保温的温度高于低熔点玻璃的软化点，在温度升至低熔点玻璃的软化点至第二次保温起始点之间任意时间点开始抽气，以排出上基板与下基板形成的放电单元中的杂质气体。进一步地，第一次保温的温度为350_500°C，保温时间为5-30min，第二次保温温度为400-550°C，时间为10-30min，第三次保温温度为300-550°C，时间为3_10h。进一步地，第一次保温的温度为350-500°C，保温时间为5-30min，第二次保温温度为400-550°C，时间为10-30min，第三次保温温度与第二次保温温度相同，时间为3_10h。进一步地，当温度升至低熔点玻璃的软化点时开始抽气，以排出上基板与下基板形成的放电单元中的杂质气体。进一步地，抽气的过程中间断性的插入向放电单元中充入保护气体的步骤。进一步地，保护气体选自由N2、He、Ne、Ar、Kr、Xejn、去除(X)2的干洁空气组成的组中的一种或多种。进一步地，保护气体包括体积百分含量为85% 99. 5%惰性气体以及体积百分含量为0. 5% 15%的含碳、氢的还原性有机气体。进一步地，含碳、氢的还原性有机气体选自乙烯、乙炔、丙烯、乙烷、丙烷、丁炔、丁烷、甲基乙炔、丙乙烯、环丙烷中的一种或两种。进一步地，充入保护气体的气压在0. 2-0. 9atm,时间为0_5min。进一步地，抽气步骤中间断性的包括多次充入保护气体的步骤。应用本发明的技术方案，由于在温度升至低熔点玻璃的软化点至第二次保温起始点之间任意时间点进行杂质气体的排出，排出了上基板与下基板形成的放电单元中的杂质气体，减少了保护膜与屏内的杂质气体接触并发生反应而变质的时间，有利于等离子显示屏放电电压和光效等性能的提高。
说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中图1示出了现有技术中封接曲线示意图；图2示出了碳酸物热分解曲线示意图；图3示出了根据本发明实施例的封接曲线示意图；以及图4示出了根据本发明另一实施例的封接曲线示意图。
具体实施例方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。根据本发明一种典型的实施方式，等离子显示屏的封接方法包括以下步骤提供设置有PDP放电电极、介质层及介质保护膜的上基板和设置有寻址电极、障壁及荧光粉的下基板；将上基板与下基板叠置在一起放入封排炉，其中上基板或下基板的边缘涂覆有低熔点玻璃作为封接材料，经过第一升温、第一次保温、第二次升温、第二次保温、第一次降温、第三次保温及第二降温步骤完成等离子显示屏的封接，第一次保温的温度高于低熔点玻璃的软化点，在温度升至低熔点玻璃的软化点至第二次保温起始点之间任意时间点开始抽气，以排出上基板与下基板形成的放电单元中的杂质气体。应用本发明的技术方案，由于在温度升至低熔点玻璃的软化点至第二次保温起始点之间任意时间点开始进行杂质气体的排出，排出了上基板与下基板形成的放电单元中的杂质气体，减少了保护膜与屏内的杂质气体接触并发生反应而变质的时间，有利于等离子显示屏放电电压和光效等性能的提尚ο根据本发明一种典型的实施方式，第一次保温的温度为350-500°C，保温时间为 5-30min。由于本发明可以采用市售的耐高温的低熔点玻璃作为封接材料，在此第一次保温过程中抽气也不会引起放电单元出现密封问题。第二次保温的温度为400-550°C，保温时间为10-30min，第三次保温温度为300-550°C，保温时间为3_10h，第二次保温温度与第三次保温温度高于现有技术中最高的保温温度，能够使污染形成的碳酸化合物更彻底地分解并还原成氧化物，提高保护膜发射二次电子的性能。根据本发明一种典型的实施方式，第一次保温的温度为350-500°C，保温时间为 5-30min，第二次保温温度为400-550°C，时间为10-30min，第三次保温温度与第二次保温温度相同，时间为3-10h。采用此种方式可以更彻底地促使保护膜变质生成的碳酸化物和氢氧化物发生分解，还原成氧化物。根据本发明一种典型的实施方式，当温度升至低熔点玻璃的软化点时开始抽气， 以排出上基板与下基板形成的放电单元中的杂质气体。尽早去除杂质气体，减缓介质保护膜与空气中的H2O和(X)2发生反应进而变质，并在温度上升至较高温度时进行真空保温，促使保护膜变质生成的碳酸化物和氢氧化物发生分解，还原成氧化物。根据本发明一种典型的实施方式，在抽气的过程中间断性的插入向放电单元中充入保护气体的步骤，促使介质保护膜变质生成的碳酸化物和氢氧化物发生分解，还原成氧化物。优选地，保护气体选自由N2、He、Ne、Ar、Kr、Xe、1 、去除(X)2的干洁空气组成的组中的一种或多种；保护气体选自惰性气体时，其中还可以掺入0.5% 15%的含碳、氢的还原性有机气体，如乙烯、乙炔、丙烯、乙烷、丙烷、丁炔、丁烷、甲基乙炔、丙乙烯、环丙烷等，以促使保护膜变质生成的碳酸化物和氢氧化物尽快分解。优选地，充入保护气体的气压在0. 2-0. 9atm之间，保持0-5min后抽出保护气体， 以此来保护保护膜不被进一步污染，并完成排出杂质气体的过程。充入保护气体与抽出保护气体的步骤可以重复多次以上，使得保护膜更彻底地被保护。下面将结合具体实施例进一步详细说明本发明的有益效果。实施例本发明的等离子显示屏封接方法的主要步骤如下，具体工艺参数参见表1，表1中未示出的工艺参数视为采用现有技术中的常规手段操作。提供设置有PDP放电电极、介质层及介质保护膜的上基板和设置有寻址电极、障壁及荧光粉的下基板，将上基板与下基板对合在一起放入封排炉，其中上基板或下基板的边缘涂覆有低熔点玻璃作为封接材料，经过第一次升温、第一次保温、第二次升温、第二次保温、第一次降温，第三次保温及第二次降温步骤完成等离子显示屏的封接，在温度升至低熔点玻璃的软化点至第二次保温起始点之间任意时间点开始进行杂质气体的排出，排出上基板与下基板形成的放电单元中的杂质气体。实施例1的封接曲线如图4所示，实施例2 的的封接曲线如图3所示。封接好的等离子显示屏内充有15%的Xe和85%的Ne作为工作气体。表 权利要求
1.一种等离子显示屏的封接方法，包括以下步骤提供设置有PDP放电电极、介质层及介质保护膜的上基板和设置有寻址电极、障壁及荧光粉的下基板；将所述上基板与所述下基板叠置在一起放入封排炉，其中所述上基板或所述下基板的边缘涂覆有低熔点玻璃作为封接材料，经过第一升温、第一次保温、第二次升温、第二次保温、第一次降温、第三次保温及第二降温步骤完成所述等离子显示屏的封接，其特征在于，所述第一次保温的温度高于所述低熔点玻璃的软化点，在温度升至所述低熔点玻璃的软化点至第二次保温起始点之间任意时间点开始抽气，以排出所述上基板与所述下基板形成的放电单元中的杂质气体。
2.根据权利要求1所述的封接方法，其特征在于，所述第一次保温的温度为 350-500°C，保温时间为5-30min，所述第二次保温温度为400-550°C，时间为KKBOminJjf 述第三次保温温度为300-550°C，时间为3-10h。
3.根据权利要求1所述的封接方法，其特征在于，所述第一次保温的温度为 350-500°C，保温时间为5-30min，所述第二次保温温度为400-550°C，时间为KKBOminJjf 述第三次保温温度与所述第二次保温温度相同，时间为3-10h。
4.根据权利要求1所述的封接方法，其特征在于，当温度升至所述低熔点玻璃的软化点时开始抽气，以排出所述上基板与所述下基板形成的放电单元中的杂质气体。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的封接方法，其特征在于，所述抽气的过程中间断性的插入向所述放电单元中充入保护气体的步骤。
6.根据权利要求5所述的封接方法，其特征在于，所述保护气体选自由队、He、Ne、Ar、 Kr、Xe、foi、去除(X)2的干洁空气组成的组中的一种或多种。
7.根据权利要求5所述的封接方法，其特征在于，所述保护气体包括体积百分含量为 85% 99. 5%惰性气体以及体积百分含量为0. 5% 15%的含碳、氢的还原性有机气体。
8.根据权利要求7所述的封接方法，其特征在于，所述含碳、氢的还原性有机气体选自乙烯、乙炔、丙烯、乙烷、丙烷、丁炔、丁烷、甲基乙炔、丙乙烯、环丙烷中的一种或两种。
9.根据权利要求5所述的封接方法，其特征在于，充入所述保护气体的气压在 0. 2-0. 9atm,时间为 0_5min。
10.根据权利要求9所述的封接方法，其特征在于，所述抽气步骤中间断性的包括多次所述充入保护气体的步骤。
全文摘要
本发明公开了一种等离子显示屏的封接方法。该封接方法包括以下步骤提供上基板和下基板；将上基板与下基板叠置在一起放入封排炉，其中上基板或下基板的边缘涂覆有低熔点玻璃作为封接材料，经过第一升温、第一次保温、第二次升温、第二次保温、第一次降温、第三次保温及第二降温步骤完成等离子显示屏的封接，第一次保温的温度高于低熔点玻璃的软化点，在温度升至低熔点玻璃的软化点至第二次保温起始点之间任意时间点开始抽气，以排出上基板与下基板形成的放电单元中的杂质气体。应用本发明的技术方案，减少了保护膜与屏内的杂质气体接触并发生反应而变质的时间，有利于等离子显示屏放电电压和光效等性能的提高。
文档编号H01J9/26GK102436994SQ20111041865
公开日2012年5月2日 申请日期2011年12月14日 优先权日2011年12月14日
发明者严群, 卢正险, 邢芳丽, 陈立国 申请人:四川虹欧显示器件有限公司