用于晶圆的icp刻蚀装置制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种用于晶圆的ICP刻蚀装置，包括腔体、下电极和托盘，所述的腔体侧壁上开设支撑槽，所述的下电极一端设置于支撑槽内部，所述的下电极上部设有一圆形托盘，下电极沿托盘周缘设有限位凸块，所述的圆形托盘表面环形排列若干用于放置晶圆的容置槽，容置槽深0.6～1mm，本实用新型在用于晶圆刻蚀时具有更好的效果，并且使用寿命更长，即使在生产过程中由于刻蚀而造成容置槽变浅，也可以通过机床铣至原来的深度。
【专利说明】用于晶圆的ICP刻蚀装置
[【技术领域】]
[0001]本实用新型涉及一种晶圆刻蚀装置，具体涉及一种用于晶圆的ICP刻蚀装置。
[【背景技术】]
[0002]晶圆(wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电
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[0003]晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护层，因此在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。其中刻蚀一般采用ICP (Inductively Coupled Plasma)刻蚀，即反应耦合等离子体刻蚀，是一种非常重要的半导体干法刻蚀技术。当气体以等离子体形式存在时，它具备两个特点:一方面等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多，根据被刻蚀材料的不同，选择合适的气体，就可以更快地与材料进行反应，实现刻蚀去除的目的；另一方面，还可以利用电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，会将被刻蚀物材料的原子击出，从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。因此，干法刻蚀是晶圆片表面物理和化学两种过程平衡的结果。
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【发明内容】
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[0004]为了使ICP更好的用于晶圆的刻蚀，并且为了能够增加刻蚀设备的寿命，提供一种用于晶圆的ICP刻蚀装置，其结构如下:
[0005]包括腔体、下电极和托盘，其特征在于所述的腔体侧壁上开设支撑槽，所述的下电极一端设置于支撑槽内部，所述的下电极上部设有一圆形托盘，下电极沿托盘周缘设有限位凸块，所述的圆形托盘表面环形排列若干用于放置晶圆的容置槽，容置槽深0.6?1_。
[0006]上述ICP刻蚀装置还具有如下优化结构:
[0007]所述的限位凸块优选为与所述下电极螺纹连接的螺丝。
[0008]所述的托盘优选为碳化硅托盘。
[0009]本实用新型在用于晶圆刻蚀时具有更好的效果，并且使用寿命更长，即使在生产过程中由于刻蚀而造成容置槽变浅，也可以通过机床铣至原来的深度。
[【专利附图】
【附图说明】]
[0010]图1位本实用新型的结构示意图；
[0011]图中1.腔体2.支撑槽3.托盘4.容置槽5.限位凸块6.下电极。
[【具体实施方式】]
[0012]下面通过具体实施例对本实用新型做进一步说明，下述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例，而并非是对本实用新型的实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在本实用新型内容说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无需对所有的实施方式予以例举。
[0013]实施例1
[0014]本实施例的ICP刻蚀装置包括腔体、下电极和碳化硅托盘，其特征在于所述的腔体侧壁上开设支撑槽，所述的下电极一端设置于支撑槽内部，所述的下电极上部设有一圆形托盘，下电极沿托盘周缘设有限位凸块，限位凸块为与所述下电极螺纹连接的螺丝，所述的圆形托盘表面环形排列若干用于放置晶圆的容置槽，容置槽深0.6?1_。
【权利要求】
1.一种用于晶圆的ICP刻蚀装置，包括腔体、下电极和托盘，其特征在于所述的腔体侧壁上开设支撑槽，所述的下电极一端设置于支撑槽内部，所述的下电极上部设有一圆形托盘，下电极沿托盘周缘设有限位凸块，所述的圆形托盘表面环形排列若干用于放置晶圆的容置槽，容置槽深0.6?1_。
2.如权利要求1所述的ICP刻蚀装置，其特征在于所述的限位凸块为与所述下电极螺纹连接的螺丝。
3.如权利要求1所述的ICP刻蚀装置，其特征在于所述的托盘为碳化硅托盘。
【文档编号】H01J37/04GK203503601SQ201320614157
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年9月30日 优先权日:2013年9月30日
【发明者】林宇杰, 董庆安, 杨辉, 吴伟 申请人:上海博恩世通光电股份有限公司