晶圆刻蚀装置制造方法
【专利摘要】本发明提供了一种晶圆刻蚀装置，包括：载体，所述载体具有多个可承载晶圆的卡槽，所述晶圆可在所述卡槽内转动；位于所述载体以及所述晶圆底部的传动装置，所述传动装置带动所述晶圆匀速转动，使所述晶圆与所述载体内的刻蚀溶液均匀反应。由于传动装置能够带动晶圆匀速转动，因此，就相当于将晶圆放置在流动的刻蚀溶液中，这样与晶圆反应后的废弃溶液就能够及时流动更新，从而提高了生产效率，缩短了生产周期；并且，由于晶圆与刻蚀溶液相对匀速运动，因此，晶圆各个区域的反应速度趋于一致，从而达到保证晶圆沟槽刻蚀均匀性的目的。
【专利说明】晶圆刻蚀装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体工艺【技术领域】，更具体地说，涉及一种晶圆刻蚀装置。
【背景技术】
[0002]晶圆是制作硅半导体集成电路所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在采用晶圆制作半导体器件的过程中，为了满足晶圆晶粒的分割以及半导体器件电特性的需求，人们对晶圆沟槽刻蚀均匀性的要求越来越高。
[0003]为了使刻蚀后的晶圆的沟槽深度和宽度都达到理想的要求，现有技术中通常采用减少一次蚀刻中晶圆数量的方式，来增加每个晶圆与刻蚀溶液的接触面积，保证晶圆沟槽刻蚀的均匀性，但是，这种刻蚀方式往往会导致生产周期较长，生产效率较低。
【发明内容】
[0004]本发明提供了一种晶圆刻蚀装置，以解决现有技术中采用减少一次蚀刻中晶圆数量，保证晶圆沟槽刻蚀的均匀性的方式，生产周期较长，生产效率较低的问题。
[0005]为实现上述目的，本发明提供了如下技术方案:
[0006]一种晶圆刻蚀装置，包括:
[0007]载体，所述载体包括多个可承载晶圆的卡槽，所述晶圆可在所述卡槽内转动；
[0008]位于所述载体以及所述晶圆底部的传动装置，所述传动装置带动所述晶圆转动，使所述晶圆与所述载体内的刻蚀溶液均匀反应。
[0009]优选的，所述传动装置包括:
[0010]位于所述晶圆底部且带动所述晶圆转动的传送带；
[0011]带动所述传送带勻速运行的传动轮；
[0012]通过传动轴与所述传动轮相连的电机。
[0013]优选的，所述电机按照预设速度运行，并带动所述晶圆匀速转动。
[0014]优选的，所述传送带、传动轮以及传动轴均为耐酸性材质。
[0015]优选的，所述载体为铁氟龙舟。
[0016]与现有技术相比，本发明所提供的技术方案至少具有以下优点:
[0017]本发明所提供的晶圆刻蚀装置，包括可承载晶圆的载体以及位于所述载体以及晶圆底部的传动装置，由于传动装置能够带动晶圆匀速转动，因此，就相当于将晶圆放置在流动的刻蚀溶液中，这样与晶圆反应后的废弃溶液就能够及时流动更新，从而提高了生产效率，缩短了生产周期；并且，由于晶圆与刻蚀溶液相对匀速运动，因此，晶圆各个区域的反应速度趋于一致，从而达到保证晶圆沟槽刻蚀均匀性的目的。
【专利附图】
【附图说明】
[0018]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为本发明的一个实施例提供的晶圆刻蚀装置结构示意图；
[0020]图2为本发明的一个实施例提供的传动装置的结构示意图。
【具体实施方式】
[0021]正如【背景技术】所述，现有技术中通常采用减少一次蚀刻中晶圆数量的方式，来增加每个晶圆与刻蚀溶液的接触面积，保证晶圆沟槽刻蚀的均匀性，但是，这种刻蚀方式往往会导致生产周期较长，生产效率较低。
[0022]基于此，本发明提供了一种晶圆刻蚀装置，以克服现有技术存在的上述问题，包括:
[0023]载体，所述载体包括多个可承载晶圆的卡槽，所述晶圆可在所述卡槽内转动；
[0024]位于所述载体以及所述晶圆底部的传动装置，所述传动装置带动所述晶圆匀速转动，使所述晶圆与所述载体内的刻蚀溶液均匀反应。
[0025]本发明所提供的晶圆刻蚀装置，包括可承载晶圆的载体以及位于所述载体以及晶圆底部的传动装置，由于传动装置能够带动晶圆匀速转动，因此，就相当于将晶圆放置在流动的刻蚀溶液中，这样与晶圆反应后的废弃溶液就能够及时流动更新，从而提高了生产效率，缩短了生产周期；并且，由于晶圆与刻蚀溶液相对匀速运动，因此，晶圆各个区域的反应速度趋于一致，从而达到保证晶圆沟槽刻蚀均匀性的目的。
[0026]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的【具体实施方式】做详细的说明。
[0027]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
[0028]其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示装置结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
[0029]本实施例提供了一种晶圆刻蚀装置，用于晶圆深槽的刻蚀，以制作集成电路及半导体器件。如图1所示，本实施例中的晶圆刻蚀装置包括:载体10和传动装置20，其中，所述载体10具有多个可承载晶圆的卡槽101，所述卡槽101可放置晶圆102，且晶圆102可在所述卡槽101内自由转动；传动装置20位于所述载体10的底面以及所述晶圆102的底部，在所述晶圆102上刻蚀深槽时，所述传动装置20带动所述晶圆102转动，使所述晶圆102与所述载体10内的刻蚀溶液均匀反应。
[0030]本实施例中，载体10优选为铁氟龙舟，其材质是铁氟龙，耐酸碱，不易被刻蚀溶液腐蚀，且其内部为弧形设计，且具有多个卡槽，在卡槽内放置晶圆后，晶圆可自由转动。
[0031]并且，本实施例中的传动装置20,如图2所示，包括:位于所述晶圆102底部且带动所述晶圆102转动的传送带201 ;带动所述传送带201匀速运行的传动轮202 ;通过传动轴203与所述传动轮202相连的电机204。其中，传送带201可带动晶圆102的边缘沿某一方向转动，当然，在其他实施例中，传送带也可带动晶圆以其他方式转动，本发明并不仅限于此。
[0032]由于载体10内承载有刻蚀溶液，因此，位于载体10底面的传送带201必须为耐酸性材质,并且,需要同样耐酸性材质的传动轮202以及传动轴203与电机204相连。在电机204设置一定的转速并启动后，电机204通过传动轴203的传动使传送带201转动起来，由于传送带102在转动的同时也带动了晶圆102的转动，因此，就增加了刻蚀溶液在晶圆102表面的流动，使得刻蚀反应快速且均匀，最终达到了沟槽深宽度蚀刻均匀的效果。
[0033]本实施例提供的晶圆刻蚀装置，包括可承载晶圆的载体以及位于所述载体以及晶圆底部的传动装置，由于传动装置能够带动晶圆匀速转动，因此，就相当于将晶圆放置在流动的刻蚀溶液中，这样与晶圆反应后的废弃溶液就能够及时流动更新，从而提高了生产效率，缩短了生产周期；并且，由于晶圆与刻蚀溶液相对匀速运动，因此，使得晶圆各个区域的反应速度趋于一致，从而达到保证晶圆沟槽刻蚀均匀性的目的。
[0034]虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
【权利要求】
1.一种晶圆刻蚀装置，其特征在于，包括: 载体，所述载体具有多个可承载晶圆的卡槽，所述晶圆可在所述卡槽内转动； 位于所述载体以及所述晶圆底部的传动装置，所述传动装置带动所述晶圆匀速转动，使所述晶圆与所述载体内的刻蚀溶液均匀反应。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述传动装置包括: 位于所述晶圆底部且带动所述晶圆转动的传送带； 带动所述传送带匀速运行的传动轮； 通过传动轴与所述传动轮相连的电机。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述电机按照预设速度运行，并带动所述晶圆匀速转动。
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述传送带、传动轮以及传动轴均为耐酸性材质。
5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述载体为铁氟龙舟。
【文档编号】H01L21/67GK104299933SQ201410498767
【公开日】2015年1月21日 申请日期:2014年9月25日 优先权日:2014年9月25日
【发明者】汪良恩, 汪曦凌 申请人:安徽安芯电子科技有限公司