专利名称：自会聚内偏转装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种显示器件的内偏转装置，尤其是用于内偏转显示器件的自会聚内偏转装置。
在现有技术中，由于采用了窄缝形结构的行偏转装置，使得显示管的偏转角得以增大，偏转功耗降低，但由于在其结构中的磁极对之近电子抢一面上的曲面与磁极对等宽，从而使三基色电子束不能在荧光屏上实现自会聚。
本实用新型的发明目的在于提供一种能够提高电子束会聚性能的自会聚内偏转装置。
本实用新型采用如下技术方案来实现其发明目的本实用新型由行偏转装置2与帧偏转装置3组成，行偏转装置2为窄缝磁极对5，在磁极对5之相对的表面上设有凹陷7，在磁极对5近枪面上设有突起6且突起6的宽度小于磁极对5的宽度。
与现技术相比较，本实用新型具有如下优点由于本实用新型的行偏转场在近枪端为弱的桶形场，而在近屏端是一强枕形场，故它可以使得从电子枪射出的红、绿、兰三基色电子束在荧光屏水平方向上的任意点都能实现会聚。另外，模拟实验表明对于21″90°彩色显像管，当激励为51鞍匝数时就可使三色电子束偏至满屏，而对于现有的偏转线圈，激励需达到109鞍匝数时才能使电子束偏至满屏。
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是本实用新型行偏转装置结构示意图。
图3是本实用新型行偏转装置结构俯示意图。
图4是本实用新型行偏转装置结构主示意图。
图5是本实用新型方形突起示意图。
图6是本实用新型三角形突起示意图。
图7是本实用新型椭圆形突起示意图。
下面参照附图对本实用新型的实施方案作一详细描述本实用新型由行偏转装置2与帧偏转装置3组成，行偏转装置2为窄缝形磁极对5，在磁极对5之相对的表面上设有凹陷7，在磁极对5近枪面上设有突起6且突起6的宽度小于磁极对5的宽度，该突起6可以是圆弧形突起，也可以是方形突起、三角形突起、椭圆形突起、异形突起或其它形状的突起，在本实施例中，可以从便于加工的角度考虑，突起6为圆弧形突起，圆弧形突起的曲率半径R1为2毫米～50毫米，其宽度为2毫米～20毫米，为提高自会聚效果，圆弧形突起的曲率半径R1为5毫米～20毫米，其宽度为8毫米～15毫米，例如，对于21″90°彩色显象管，通过优化设计，圆弧突起的曲率半径R1为12.4毫米，宽度为10毫米；在磁极对5之相对的表面上的凹陷为圆弧形，圆弧凹陷的曲率半径R2为5毫米～1000毫米，为进一步提高自会聚效果，圆弧凹陷的曲率半径R2为15毫米～200毫米，例如对于21″90°彩色显象管，经优化设计后，圆弧凹陷的曲率半径R2为117毫米。
权利要求1.一种用于内偏转显示器件的自会聚内偏转装置，由行偏转装置(2)与帧偏转装置(3)组成，行偏转置(2)为窄缝形磁极对(5)，在磁极对(5)相对的表面上设有凹陷(7)，其特征在于在磁极对(5)近抢面上设有突起(6)，且突起(6)的宽度小于磁极(5)宽度。
2.根据权利要求1所述的自会聚内偏转装置，其特征在于突起(6)为圆弧形凸起。
3.根据权利要求2所述的自会聚内偏转装置，其特征在于圆弧形凸起的曲率半径(R1)为2毫米～50毫米，其宽度为2毫米～20毫米。
4.根据权利要求3所述的自会聚内偏转装置，其特征在于圆弧形凸起的曲率半径(R1)为5毫米～20毫米，其宽度8毫米～15毫米。
5.根据权利要求1所述的自会聚内偏转装置，其特征在于突起(6)为三角形。
6.根据权利要求1所述的自会聚内偏转装置，其特征在于突起(6)为方形。
7.根据权利要求1或2或3或4或5或6或所述的自会聚内偏转装置，其特征在于在磁极对(5)之相对的表面上的凹陷为圆弧凹陷。
8.根据权利要求7所述的自会聚内偏转装置，其特征在于圆弧凹陷的曲率半径(R2)为5毫米～1000毫米。
9.根据权利要求8所述的自会聚内偏转装置，其特征在于圆弧凹陷的曲率半径(R2)为15毫米～200毫米。
专利摘要本实用新型公开了一种用于内偏转显示器件的自会聚内偏转装置,由行偏转装置与帧偏转装置组成,行偏转装置为窄缝形磁极对,在磁极对相对的表面上设有凹陷,在磁极对近枪面上设有突起且突起的宽度小于磁极对的宽度,在磁极对相对的表面上的凹陷为圆弧凹陷,本实用新型的行偏转场在近枪端为弱的桶形场,而在近屏端是一强枕形场,使得从电子枪射出的红、绿、蓝三基色电子束在荧光屏水平方向上的任意点都能实现自会聚。
文档编号H01J29/70GK2316722SQ9724763
公开日1999年4月28日 申请日期1997年10月31日 优先权日1997年10月31日
发明者汪琛, 汤勇明, 尹涵春, 李晓华, 薛坤兴 申请人:东南大学