一种释放应力集中的焊接结构的制作方法

文档序号:24360346发布日期:2021-03-23 10:51阅读:130来源:国知局
一种释放应力集中的焊接结构的制作方法

本发明属于焊接技术领域,尤其涉及一种释放应力集中的焊接结构。



背景技术:

焊接应力,是焊接构件由于焊接而产生的应力。焊接过程中焊件中产生的内应力和焊接热过程引起的焊件的形状和尺寸变化。焊接过程的不均匀温度场以及由它引起的局部塑性变形和比容不同的组织是产生焊接应力和变形的根本原因。当焊接引起的不均匀温度场尚未消失时,焊件中的这种应力和变形称为瞬态焊接应力和变形;焊接过程中,在焊缝接头处造成高温然后又急速冷却,接头的热影响区部位温差极大,由于温差大且冷却速度快从而造成此处晶格严重位错且排列不整齐,从而形成极大的焊接残余应力,焊接应力和变形在一定条件下会影响焊件的功能和外观。通常解决的办法是进行时效处理,高温回火或者振动时效,超声波时效,解决应力集中的问题。上述方法操作比较麻烦、不便,大大增加了焊接的不便。



技术实现要素:

为了克服上述现有技术的不足之处,本发明提供一种释放应力集中的焊接结构,通过在易产生应力集中位置增加一个释放应力槽,以在焊接应力集中处释放或缓解应力集中,避免此处由于应力集中或应力叠加导致开裂。

为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:一种释放应力集中的焊接结构,包括两个或多个焊接的连接件,在其中一个或多个连接件上靠近焊缝处设有用于释放应力的释放应力槽,所述释放应力槽的截面为u型结构。

在上述技术方案中,所述释放应力槽为条形槽。

在上述技术方案中,所述释放应力槽为环形结构。

在上述技术方案中,所述释放应力槽的宽度为焊缝宽度的5-30%,释放应力槽底部为半圆形,释放应力槽的深度是宽度的两倍。

本发明的有益效果是:该结构简单,便于操作,释放应力槽能够让焊接过程的应力有释放的空间,能够有效对焊接应力集中位置进行释放或缓解,避免此处由于应力集中或应力叠加导致开裂。

附图说明

图1为本发明的第一实施例的剖视结构示意图。

图2为本发明的第二实施例的剖视结构示意图。

图3为本发明的第三实施例的剖视结构示意图。

图4为本发明的第四实施例的剖视结构示意图。

其中:1.释放应力槽,2.第一连接件,3.第二连接件。

具体实施方式

下面结合附图及具体实施例对本发明作进一步说明。

一种释放应力集中的焊接结构,包括两个或多个焊接的连接件,分别为第一连接件2和第二连接件3,在其中一个或多个连接件上靠近焊缝处设有用于释放应力的释放应力槽1,所述释放应力槽1的截面为u型结构。

如图1所示,所述释放应力槽1为条形槽。第一连接件2和第二连接件3均为板,为板-板单面坡口形式释放应力集中的焊接结构,释放应力槽1开在其中一个板上,释放应力槽1为条形槽。

如图2所示,所述释放应力槽2为环形结构。本实施例的第一连接件2和第二连接件3分别为管和板,为管-板角接形式释放应力集中的焊接结构,释放应力槽1开在板上,且为环形槽。

如图3所示,本实施例的第一连接件2和第二连接件3分别为管和板,为管-板自熔形式释放应力集中的焊接结构,释放应力槽1开在板上,且为环形槽。

如图4所示,本实施例的第一连接件2和第二连接件3分别为法兰和筒体,为法兰与筒体焊接形式释放应力集中的焊接结构,释放应力槽1卡在法兰底部,且为环形槽。

在在上述技术方案中,所述释放应力槽1的宽度为焊缝宽度的5-30%,释放应力槽底部为半圆形,释放应力槽的深度是宽度的两倍。即释放应力槽上部分为矩形结构,下部分为半圆形结构。

以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。



技术特征:

1.一种释放应力集中的焊接结构,包括两个焊接的连接件,其特征是:在其中一个连接件上靠近焊缝处设有用于释放应力的释放应力槽,所述释放应力槽的截面为u型结构。

2.根据权利要求1所述的释放应力集中的焊接结构,其特征是:所述释放应力槽为条形槽。

3.根据权利要求1所述的释放应力集中的焊接结构,其特征是:所述释放应力槽为环形结构。

4.根据权利要求1所述的释放应力集中的焊接结构,其特征是:所述释放应力槽的宽度为焊缝宽度的5-30%,释放应力槽底部为半圆形,释放应力槽的深度是宽度的两倍。


技术总结
本发明公开了一种释放应力集中的焊接结构,包括两个或多个焊接的连接件,在其中一个或多个连接件上靠近焊缝处设有用于释放应力的释放应力槽,所述释放应力槽的截面为U型结构。通过在易产生应力集中位置增加一个释放应力槽,以在焊接应力集中处释放或缓解应力集中,避免此处由于应力集中或应力叠加导致开裂。

技术研发人员:江水;桂林
受保护的技术使用者:武汉重型机床集团有限公司
技术研发日:2020.11.27
技术公布日:2021.03.23
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