一种高效、节能环保的金属陶瓷x射线管的制造方法

文档序号:8913377阅读:465来源:国知局
一种高效、节能环保的金属陶瓷x射线管的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及工业检测设备的生产技术,尤其是一种高效、节能环保的金属陶瓷X 射线管的制造方法。
【背景技术】
[0002] 金属陶瓷X射线管是工业探伤机的核心部件,其加工工艺中的焊接部份是金属陶 瓷X射线管的关键工艺,直接影响到产品的质量和合格率。传统的加工工艺是:原料加工成 零部件一清洗一组装一应用氢气钎焊炉进行单台各零部件焊接一在专用排气台中升温至 600 °C左右抽真空一打靶除气(800 °C以上)一老练试验一合格品入库。传统工艺存在的问题 是:1.单台焊接抽真空作业,生产效率低;2.应用钎焊炉需使用氢气,极不安全;3.由于是 先焊接再抽真空排气,因此抽真空排气的温度不能高于AgGu焊料的熔点温度,否则焊料熔 化脱落,一般控制在600°C左右,严重影响排气效果,并且需要进行打靶工序(升温至800°C 以上)再次除气,打靶时间长,打靶过程中产生射线、溴氧等有害气体和现象,对环境和工作 人员身心健康危害极大,同时打靶会减少产品寿命,影响产品质量;4.整个工艺周期长,达 100小时;5.能耗高,单位水电气费为150元以上,工时费高。

【发明内容】

[0003] 本发明的目的就是要解决传统金属陶瓷X射线管生产工艺不安全,生产效率低, 产品质量不稳定,以及生产周期长,能耗高,生产成本高等问题,提供一种高效、节能环保的 金属陶瓷X射线管的制造方法。
[0004] 本发明的具体方案是:针对传统工艺进行改进,首先加工制作各零部件,主要包括 有阳极头、阳极靶、窗口、法兰盘、上环、阳极屏蔽环,陶瓷壳、阳极组件、外环、下环、芯柱、芯 柱瓷片、引脚线、阴极,然后进行清洗、组装,其特征是:组装中,在零部件需要焊接的A、B、 C、D、E、F、G、H、I、K十个焊接处放入AgGu28焊料片或圈,并在金属陶瓷X射线管的阴极中放 入钛钼吸气剂;将上述组装好的多个金属陶瓷X射线管垂直放置在一个料架中,然后送入 一个真空焊接炉内,启动抽真空,并升温至650~750°C,保温10~12小时后,升温至800°C保 温7-10分钟,使焊料熔化完成封焊,启动真空焊接炉的降温系统,4-6小时内降温至60°C, 停止抽真空出炉,一次完成材料除气+真空排气+焊接,然后进行8小时老练;最后检验 合格品入库;其中焊接处:A--指阳极头与阳极葩焊接处,B--指窗口与阳极头焊接处, C--指法兰盘与阳极头焊接处,D--指阳极屏蔽环与法兰盘焊接处,E--指上环与陶瓷 壳焊接处,F-一指上环与法拉盘焊接处,G-一指芯柱与芯柱瓷片焊接处,H一一指下环与 陶瓷壳焊接处,I一一指外环与陶瓷壳焊接处,K一一指引脚线与芯柱瓷片焊接处。
[0005] 本发明中所述AgGu28焊料熔点为779°C ;所述钛钼吸气剂激活温度为800°C。
[0006] 本发明中所述抽真空压力优于2. 3X10- 4Pa以上。
[0007] 本发明中所述料架具有1 一2层托盘,每层托盘一次摆放20~60个组装好的金属陶 瓷X射线管。
[0008] 本发明中所述料架的托盘上设有多个高低交错布置的凸台,对应每个凸台放置一 个金属陶瓷X射线管。
[0009] 本发明首次将真空焊接炉技术应用到金属陶瓷X射线管的加工领域,特别是改变 了传统工艺中先焊接再抽真空的方式,而采用了先抽真空一段时间,然后在抽真空的同时 进行封焊,并在真空状态下降温,一次性完成抽真空除气和焊接,并经过反复多次(长达一 年)的试验,优选了相关工艺曲线参数,使本发明具有以下优点: 1. 只处理零件(即对零件进行清洗),对产品不进行二次清洗,避免产品表面处理产生 废酸、废气; 2. 除气焊接温度高,不需打靶这项单独工艺,不产生射线和溴氧,对工作人员身体没损 伤,有利环境保护; 3. 除气、焊接温度高(彡778°C)产品质量提高,由原来只能生产低电压到可以生产高 电压X射线管; 4. 生产周期大大缩短,仅为传统的^,能耗水、电、气,费是原工艺不使用氢气,生 4 10 产安全; 5. 全自动焊接,焊接温度均匀,成品率高; 6. 产能大,生产效率高,一次抽真空40-120只,能实现大规模生产和标准化生产,效益 尚。
【附图说明】
[0010] 图1是金属陶瓷X射线管的结构示意图; 图2是料架盘的结构示意图。
[0011] 图中:1 一阳极头,2-阳极靶,3-窗口,4 一法兰盘,5-上环,6-阳极屏蔽环,7- 陶瓷壳,8-外环,9-下环,10-芯柱瓷片,11-弓丨脚线,12-芯柱,13 -阴极,14 -阴极组 件。
【具体实施方式】
[0012] 生产图1所示的金属陶瓷X射线管的工艺步骤如下:首先加工制作各零部件,主 要包括有阳极头1、阳极靶2、窗口 3、法兰盘4、上环5、阳极屏蔽环6,陶瓷壳7、阳极组件 14、外环8、下环9、芯柱12、芯柱瓷片10、引脚线11、阴极13,然后进行清洗、组装,其特征 是:组装中,在零部件需要焊接的A、B、C、D、E、F、G、H、I、K十个焊接处放入AgGu28焊料圈 (也可以是片),并在金属陶瓷X射线管的阴极中放入钛钼吸气剂;将上述组装好的多个金属 陶瓷X射线管垂直放置在一个料架中,然后送入一个真空焊接炉内,启动抽真空,并升温至 650~750°C,保温10~12小时后(具体为12小时),升温至800°C保温7 - 10分钟,使焊料熔 化完成封焊,启动真空焊接炉的降温系统,4-6小时(具体为5小时)内降温至60°C,停止抽 真空出炉,一次完成材料除气+真空排气+焊接,然后进行8小时老练;最后检验合格品入 库;其中焊接处:A--指阳极头1与阳极葩2焊接处,B--指窗口 3与阳极头1焊接处, C一一指法兰盘4与阳极头1焊接处,D-一指阳极屏蔽环6与法兰盘4焊接处,E-一指上 环5与陶瓷壳7焊接处,F--指上环5与法拉盘4焊接处,G--指芯柱12与芯柱瓷片10 焊接处,H--指下环9与陶瓷壳7焊接处,I--指外环8与陶瓷壳7焊接处,K--指引 脚线11与芯柱瓷片10焊接处。
[0013] 上述步骤中所述AgGu28焊料熔点为779°C ;所述钛钼吸气剂激活温度为800°C。
[0014] 上述步骤中所述抽真空压力优于2. 3X KT 4Pa以上。
[0015] 上述步骤中所述料架具有2层托盘,每层托盘一次摆放40个组装好的金属陶瓷X 射线管(也可以适当增加或减少,过少影响生产效率,过多需大的真空焊接炉)。
[0016] 上述步骤中所述料架的托盘上设有高低交错布置的凸台,对应每个凸台放置一个 金属陶瓷X射线管。
[0017] 采用上述工艺生产金属陶瓷X射线管,整个工艺只要24小时左右,单台水电气费 80元。
【主权项】
1. 一种高效、节能环保的金属陶瓷X射线管的制造方法,首先加工制作各零部件,主要 包括有阳极头、阳极靶、窗口、法兰盘、上环、阳极屏蔽环,陶瓷壳、阳极组件、外环、下环、芯 柱、芯柱瓷片、引脚线、阴极,然后进行清洗、组装,其特征是:组装中,在零部件需要焊接的 A、B、C、D、E、F、G、H、I、K十个焊接处放入AgGu28焊料片或圈,并在金属陶瓷X射线管的 阴极中放入钛钼吸气剂;将上述组装好的多个金属陶瓷X射线管垂直放置在一个料架中, 然后送入一个真空焊接炉内,启动抽真空,并升温至650~750°C,保温10~12小时后,升温至 800°C保温7-10分钟,使焊料熔化完成封焊,启动真空焊接炉的降温系统,4-6小时内降温 至60°C,停止抽真空出炉,一次完成材料除气+真空排气+焊接,然后进行8小时老练;最 后检验合格品入库; 其中焊接处:A--指阳极头与阳极靶焊接处, B--指窗口与阳极头焊接处, C一一指法兰盘与阳极头焊接处, D一一指阳极屏蔽环与法兰盘焊接处, E一一指上环与陶瓷壳焊接处, F一一指上环与法拉盘焊接处, G一一指芯柱与芯柱瓷片焊接处, H一一指下环与陶瓷壳焊接处, I--指外环与陶瓷壳焊接处, K一一指引脚线与芯柱瓷片焊接处。2. 根据权利要求1所述的一种高效、节能环保的金属陶瓷X射线管的制造方法,其特征 是:所述AgGu28焊料熔点为779°C;所述钛钼吸气剂激活温度为800°C。3. 根据权利要求1所述的一种高效、节能环保的金属陶瓷X射线管的制造方法,其特征 是:所述抽真空压力优于2. 3XKT4Pa以上。4. 根据权利要求1所述的一种高效、节能环保的金属陶瓷X射线管的制造方法,其特征 是:所述料架具有1一2层托盘,每层托盘一次摆放20~60个组装好的金属陶瓷X射线管。5. 根据权利要求1或3所述的一种高效、节能环保的金属陶瓷X射线管的制造方法,其 特征是:所述料架的托盘上设有多个高低交错布置的凸台,对应每个凸台放置一个金属陶 瓷X射线管。
【专利摘要】一种高效、节能环保的金属陶瓷X射线管的制造方法,首先加工制作各零部件,然后进行清洗、组装,其特征是:组装中,在零部件需要焊接的十个焊接处放入AgGu28焊料片或圈,并在金属陶瓷X射线管的阴极中放入钛钼吸气剂;将上述组装好的多个金属陶瓷X射线管垂直放置在一个料架中,然后送入一个真空焊接炉内,启动抽真空,并升温至650~750℃,保温10~12小时后,升温至800℃保温7—10分钟,使焊料熔化完成封焊,启动真空焊接炉的降温系统,4-6小时内降温至60℃,停止抽真空出炉,一次完成材料除气+真空排气+焊接,然后进行8小时老练,最后检验合格品入库;本发明解决了现有生产工艺效率低、不安全、环境污染大,能耗高等问题。
【IPC分类】B23K1/20, B23K1/008
【公开号】CN104889519
【申请号】CN201510199424
【发明人】潘兰桂, 方钢群
【申请人】黄石上方检测设备有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年4月24日
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