使SiC锭块1依次沿X轴方向、Y轴方向相对移动一边在SiC锭块1的内部形成分离层5。
[0033](2)重复工序
[0034]在实施初始分离层形成工序之后，如图3所示，在第1锭块la的内部形成多个与初始分离层形成工序中所形成的分离层5同样的分离层。具体而言，如图3的(a)所示，激光照射构件10使激光光线13的聚光点P从分离层5向SiC锭块1的端面2侧移动规定的距离的量。规定的距离是指与将要对第1锭块la进行切片所得到的1块SiC板的厚度D相同的距离。SiC板的厚度D被设定为例如1mm。
[0035]接下来，使向端面2侧移动了与厚度D相同的距离的聚光点P，与端面2平行地进行扫描，使激光光线13与端面2平行地照射到第1锭块la的内部而形成分离层5。如图3的(b)所示，一边使聚光点P向端面2侧每次移动与厚度D相同的距离，一边重复地形成与端面2平行的分离层5，在第1锭块la的内部形成多个分离层5。像这样形成的激光加工的切割余量(分离层5的厚度)为10 μ m左右，因此，与通过钢丝锯对SiC锭块进行切片相比，切割余量变小，提高了后述的分离工序的作业效率。
[0036](3)分离工序
[0037]在实施重复工序之后，使用图4所示的剥离构件20，对通过重复工序而形成的多个分离层5施加外力(例如，粘接力或按压力)，以分离层5为起点进行分离，从而，从第1锭块la得到SiC板6。剥离构件20具备载置SiC锭块1的载置台21和在载置台21的上表面竖立设置的竖立设置基台22。在载置台21上配设有用于保持SiC锭块1的保持块23，该保持块23能够保持并固定SiC锭块1。此外，在载置台21的内部埋设有旋转构件24，该旋转构件24能够使SiC锭块1向规定的方向旋转。
[0038]在竖立设置基台22的侧部具备保持部26，该保持部26用于经由升降构件25来剥离SiC板。在保持部26上形成有供给孔260，在该供给孔260上连接有粘接剂供给源27。升降构件25具备:滚珠丝杠250，其与竖立设置基台22平行地延伸；电机251，其与滚珠丝杠250的一端连接；和升降部252，其一侧与竖立设置基台22滑动接触，在其另一侧连结有保持部26。在升降部252的内部形成有螺母，该螺母与滚珠丝杠250螺合。并且，电机251使滚珠丝杠250转动，由此，能够使保持部26与升降部252 —起升降。
[0039]在欲使用剥离构件20从第1锭块la得到多块SiC板6时，首先，如图4所示，将SiC锭块1载置于载置台21上，并且，通过保持块23将SiC锭块1固定。
[0040]接下来，升降构件25使保持部26与升降部252 —起朝向接近SiC锭块1的端面2的方向下降。接下来，在保持部26即将抵接于端面2之前，使保持部26停止下降，如图5所示，使粘接剂28从粘接剂供给源27流入供给孔260，经由粘接剂28将第1锭块la中的处于最上部的SiC板6固定安装于保持部26。
[0041 ] 在保持部26经由粘接剂28保持SiC锭块1后，如图6所示，升降构件25使保持部26上升，由此，以分离层5为起点将1块SiC板6从第1锭块la剥离。此时，优选使旋转构件24动作，从而使SiC锭块1在图5中例如向箭头A方向旋转，由此，容易使分离层5分离。此后，对接下来的SiC板6重复进行与上述相同的剥离动作。并且，以所有的分离层5为起点进行分离，从第1锭块la得到多块SiC板6。
[0042]另外，在分离工序中，也可以使用未图示的按压构件对SiC锭块1的侧面部分施加按压力来使分离层5分离，从而，从第1锭块la获取多块SiC板6。
[0043](4)表面处理工序
[0044]在实施分离工序之后，由于在图7所示的第2锭块lb的端面3上形成有凹凸，因此，例如使用磨削构件30对端面3进行期望的磨削加工。磨削构件30具备:主轴31，其能够旋转；和磨轮33，其经由轮座32安装于主轴31的下端，并且在下部具有呈环状固定安装的多个磨具34。
[0045]磨削构件30通过使主轴31旋转而使磨轮33旋转，同时使磨轮33向第2锭块lb的端面3下降。接下来，一边通过旋转的磨具34按压第2锭块lb的端面3，一边将端面3磨削至以点划线所示的平坦的加工面7，从而去除凹凸而实现平坦化。由此，在对第2锭块lb实施上述的初始分离层形成工序和重复工序时，能够使激光光线在加工面7上恰当地入射并在期望的聚光点聚光，从而能够良好地将第2锭块lb切片。
[0046]此外，也可以代替对端面3的磨削，如图8所示，将具有与SiC的折射率接近的折射率的液体41从配设于第2锭块lb的上方的液体供给部40滴下至第2锭块lb的端面3上，在该端面3上形成平坦的液面42，由此，使上述激光光线13恰当地入射到第2锭块lb的内部。
[0047]进而，也可以使用例如磨轮对第2锭块lb的端面3进行镜面加工而形成平坦的加工面。
[0048]这样，在本实施方式所示的SiC锭块的切片方法中，实施初始分离层形成工序，将激光光线13的聚光点P定位在从SiC锭块1的端面2离开的位置来形成最初的分离层5，并实施重复工序，使聚光点向端面2侧每次移动与SiC板的厚度D相同的距离而在SiC锭块1的内部形成多个分离层5，然后实施分离工序，因此，能够高效地从SiC锭块1得到多块的SiC板6。
【主权项】
1.一种SiC锭块的切片方法，其特征在于， 该SiC锭块的切片方法具备: 初始分离层形成工序，使对于SiC锭块具有透过性的波长的激光光线从SiC锭块的端面入射并在SiC锭块的内部形成聚光点，使该聚光点沿着与该端面平行的分离预定面呈面状扫描，在从该端面离开的深度位置形成分离层； 重复工序，在实施了该初始分离层形成工序后，使该聚光点从该分离层朝向该端面侧依次移动与待剥离的SiC板的厚度相同的距离，并使该聚光点与该端面平行地呈面状扫描，重复实施该分离层的形成，形成多个该分离层；和 分离工序，在实施了该重复工序后，对通过该重复工序形成的多个该分离层施加外力，使SiC板以该分离层为起点分离，得到多块SiC板。2.根据权利要求1所述的SiC锭块的切片方法，其中， 该SiC锭块的切片方法还具备下述这样的表面处理工序:在实施了所述分离工序后，使残留在SiC锭块的端面上的分离层形成为能够入射激光光线的面。
【专利摘要】本发明提供SiC锭块的切片方法，其能够高效地从SiC锭块切片出SiC基板。实施如下工序：初始分离层形成工序，使激光光线的聚光点(P)沿着分离预定面(4)与SiC锭块(1)的端面(2)平行地扫描，在离开端面的位置形成分离层(5)；重复工序，在该初始分离层形成工序后，使聚光点(P)从该分离层向端面侧每次移动与SiC板的厚度(D)相同的距离并与该端面平行地进行扫描，重复进行分离层的形成而形成多个分离层；和分离工序，对通过该重复工序形成的多个分离层施加外力，以分离层为起点进行剥离来获取多块SiC板(6)。能够减少用于使激光光线在SiC锭块的端面容易入射的镜面加工的次数，能够高效地从SiC锭块获取多块SiC板。
【IPC分类】B23K26/53, B23K26/38
【公开号】CN105414776
【申请号】CN201510586907
【发明人】平田和也, 西野曜子
【申请人】株式会社迪思科
【公开日】2016年3月23日
【申请日】2015年9月15日
【公告号】DE102015217288A1, US20160074960