激光加工设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种激光加工设备，尤其是涉及一种能够消除等离子屏蔽效应的激光加工设备。
【背景技术】
[0002]采用激光进行切割具有传统加工方式无法比拟的优势。但是在加工过程中会产生等离子体，会产生等离子体屏蔽效应。首先，等离子体会降低激光的透过率，即降低激光的强度，从而影响加工效率；其次，等离子体会伴随产生高温辐射，这种辐射对被加工材料有预热作用，从而提高被加工材料对激光的吸收率，而且等离子体云会吸收和折射激光，导致激光能量降低，影响加工效率。从而导致加工速度降低、加工质量变差。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型解决的技术问题是，提供一种能够有效消除等离子屏蔽效应的激光加工设备。
[0004]本实用新型解决上述技术问题的技术方案是，提供一种激光加工设备，包括控制中心，以及受控制中心操控的激光生发系统、聚焦系统，该聚焦系统发射出激光束并照射到待加工工件的加工位置，还包括受控制中心操控的离子风机及气体螺旋装置，该离子风机与气体螺旋装置通过离子风道相连，该气体螺旋装置还包括至少一气嘴，每一气嘴具有气嘴口，该至少一气嘴置于加工位置周围，且所有气嘴口均对准该加工位。
[0005]优选地，该气嘴口呈圆形或扁平型。
[0006]优选地，气嘴的数量为一个，其置于加工位一侧。
[0007]本实用新型提供的激光加工设备通过设置离子风机及气体螺旋装置产生螺旋状离子风，能够更均匀更有效地去除激光加工产生的等离子体、静电、带电体等，有效消除等离子屏蔽效应，提高激光加工质量和加工效率。
【附图说明】
[0008]图1为本实用新型一实施例提供的一种激光加工设备的模块结构示意图。
【具体实施方式】
[0009]下面通过【具体实施方式】结合附图对本实用新型作进一步详细说明。
[0010]请参阅图1，本实用新型一实施例提供一种激光加工设备，包括控制中心1、激光生发系统21、光学传递系统22、聚焦系统24、离子风机3、气体螺旋装置41及加工平台5。该待加工工件6置于加工平台5上。该激光生发系统21、聚焦系统24、离子风机3、气体螺旋装置41及加工平台5均受控制中心I操控以实现相应参数地调节。该激光生发系统21产生的激光经过光学传递系统22传送至聚焦系统24，聚焦系统24对激光进行汇聚产生激光束25，该激光束25照射至待加工工件待加工工件6的加工位置(未标号)上进行加工操作。该离子风机3与气体螺旋装置41通过离子风道43相连，该离子风机3产生的离子风经该离子风道43传送至气体螺旋装置41形成螺旋状离子风。该气体螺旋装置41设置一气嘴42，该气嘴42置于待加工工件6的加工位置的一侧，该气嘴42具有气嘴口(未标号)，该气嘴口呈圆形并对着相应的加工位置吹送螺旋离子风。该离子风机3受控制中心I操控可以调节离子风的气压，该气体螺旋装置41受控制中心I的操控可以调节气体旋转速率。
[0011]在另外的实施例中，该气嘴42的数量可以是多个，该多个气嘴42均连接于气体螺旋装置41上，并置于加工位周围，分别对准加工位置吹送螺旋离子风。
[0012]在替代实施例中，该气嘴口还可以是呈扁平型等形状。
[0013]本实用新型提供的激光加工设备通过设置离子风机3及气体螺旋装置41产生螺旋状离子风，能够更均匀更有效地去除激光加工产生的等离子体、静电、带电体等，有效消除等离子屏蔽效应，提高激光加工质量和加工效率。
[0014]以上内容是结合具体的实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换。
【主权项】
1.一种激光加工设备，包括控制中心，以及受控制中心操控的激光生发系统、聚焦系统，该聚焦系统发射出激光束并照射到待加工工件的加工位置，其特征在于，还包括受控制中心操控的离子风机及气体螺旋装置，该离子风机与气体螺旋装置通过离子风道相连，该气体螺旋装置还包括至少一气嘴，每一气嘴具有气嘴口，该至少一气嘴置于加工位置周围，且所有气嘴口均对准该加工位置。2.如权利要求1所述的激光加工设备，其特征在于，该气嘴口呈圆形或扁平型。3.如权利要求1所述的激光加工设备，其特征在于，气嘴的数量为一个，其置于加工位置一侧。
【专利摘要】本实用新型提供一种激光加工设备，包括控制中心，以及受控制中心操控的激光生发系统、聚焦系统，该聚焦系统发射出激光束并照射到待加工工件的加工位置，还包括受控制中心操控的离子风机及气体螺旋装置，该离子风机与气体螺旋装置通过离子风道相连，该气体螺旋装置还包括至少一气嘴，每一气嘴具有气嘴口，该至少一气嘴置于加工位置周围，且所有气嘴口均对准该加工位。本实用新型提供的激光加工设备通过设置离子风机及气体螺旋装置产生螺旋状离子风，能够更均匀更有效地去除激光加工产生的等离子体、静电、带电体等，有效消除等离子屏蔽效应，提高激光加工质量和加工效率。
【IPC分类】B23K26/38, B23K26/142
【公开号】CN204725005
【申请号】CN201520299766
【发明人】陈强智, 陆文革, 秦国双
【申请人】深圳市精益激光技术研究院
【公开日】2015年10月28日
【申请日】2015年5月11日