专利名称：利用间歇前驱气流工艺形成金属层的方法
技术领域：
本发明涉及半导体处理，更具体地涉及在间歇前驱气流工艺中由金属-羰基前驱体的热分解形成金属层的方法。
背景技术：
将铜(Cu)金属引入用于生产集成电路的多层金属化方案中可能需要使用扩散阻挡层/衬里，以促进Cu层的粘附和生长，并使Cu和介电材料化学隔离以防止Cu扩散进介电材料内。
沉积到介电材料上的阻挡层/衬里可以包括折射材料，例如钨(W)、钼(Mo)和钽(Ta)，它们与Cu不反应且不混溶，并且可以提供低的电阻率。W的基本材料性质，例如电阻率、热稳定性和扩散阻挡性质，使得W层适合用在高级Cu基互连应用中。当前集成Cu金属和介电材料的集成方案可能需要在约400℃-约500℃或更低的衬底温度下进行W阻挡层/衬里沉积工艺。
W层可以在热化学气相沉积(TCVD)工艺中通过在例如氢或硅烷的还原气体的存在下热分解例如六氟化钨(WF6)的钨卤化物前驱体而形成在衬底上。使用钨卤化物前驱体的缺陷是卤化物副产物结合到W层中，这可能会降低W层的材料性质。不含卤素的钨前驱体，例如钨-羰基前驱体，可以用来减少以上提到的与钨卤化物前驱体有关的缺陷。但是，通过钨-羰基前驱体(例如W(CO)6)的热分解所形成的W层的材料性质可能会由于CO反应副产物结合到该热沉积W层中而恶化，从而导致W层的电阻率增大，所形成的W层保形性差。
发明内容
本发明提供了一种方法，通过将衬底提供到处理室中，使衬底暴露于还原气中，使衬底暴露于一个金属-羰基前驱气脉冲中，从而在衬底上形成金属层，以及重复这些暴露工艺直至形成期望厚度的金属层而在衬底上形成金属层。
在另一实施方案中，提供了一种在包含多个微结构的衬底上形成金属层的方法，通过将衬底提供到处理室中，使衬底暴露于还原气中，使衬底暴露于一个金属-羰基前驱气脉冲中，从而在衬底上形成金属层，以及重复这些暴露工艺直至形成期望厚度的金属层。该方法包括在至少一个微结构的底部上形成具有第一厚度的金属层，在至少一个微结构的侧壁上形成具有第二厚度的金属层，并且在至少一个微结构的顶部上形成具有突出物的金属层。
在一种实施方案中，该金属层可以形成在衬底上，或者该金属层可以形成在金属成核层上。
在附图中图1是根据本发明实施方案用于形成金属层的处理系统的简化框图；图2是根据本发明实施方案利用间歇前驱气流工艺而形成金属层的流程图；图3示意性地示出了根据本发明实施方案在用于形成金属层的间歇前驱气流工艺过程中的气流；以及图4示意性示出了根据本发明实施方案形成在Si微结构上的W层的横截面视图。
具体实施例方式
图1是根据本发明实施方案用于形成金属层的处理系统的简化框图。该处理系统100包括具有上室部分1a、下室部分1b的处理室1和排出室23。环状开口22形成在下室部分1b的中间，其中下室部分1b与排出室23相连接。
在处理室1的内部提供有用于水平固定待处理衬底(晶圆)50的衬底托架2。衬底托架2由圆柱状支撑件3支撑，该支撑件从排出室23的下部中心向上延伸。用于将衬底50定位在衬底托架2上的导环4设置在衬底托架2的边缘上。而且，衬底托架2包括由电源6控制的用于加热衬底50的加热器5。加热器5可以是电阻加热器。或者，加热器5可以是灯加热器。
在处理期间，经加热的衬底50使W(CO)6前驱体热分解，并能够在衬底50上形成W层。衬底托架2被加热到适于使所期望的W层沉积到衬底50上的预定温度。在处理室1的壁中嵌有加热器(未示出)，以将处理室加热到预定温度。加热器可以将处理室1的壁温保持在约40℃-约80℃。
喷头10位于处理室1的上室部分1a中。喷头10底部的喷头板10a包括多个气体输送孔10b，用于将包含W(CO)6前驱气的处理气输送到位于衬底50上方的处理区60内。处理区60是由衬底直径和衬底50与喷头10之间的间隙所限定出的空间。
开口10c设置在上室部分1b中，用于将处理气从气体管道12引入到气体分配室10d内。提供同心的冷却剂流道10e用于控制喷头10的温度，从而防止W(CO)6前驱体在喷头10内分解。例如水的冷却液可以从冷却液源10f供应到冷却剂流道10e，用于将喷头10的温度控制在约20℃-约100℃。
气体管道12将气体输送系统300连接到处理室1。前驱体容器13包含固体W(CO)6前驱体55，并且提供前驱体加热器13a用于加热前驱体容器13，以使W(CO)6前驱体55保持在产生期望的W(CO)6前驱体气压的温度下。W(CO)6前驱体55可以具有相对高的气压，在65℃下Pvap～1Torr。因此，仅需要对前驱体源13和前驱气输送管道(例如气体管道12)进行中度加热而将W(CO)6前驱气输送到处理室1。而且，W(CO)6前驱体在约200℃以下的温度不会热分解。这可以明显减少W(CO)6前驱体由于与经加热的室壁的相互作用和气相反应而发生分解。
在一种实施方案中，W(CO)6前驱气可以在不使用载气下输送到处理室1中，或者可以用载气来加强前驱气到处理室1中的输送。气体管道14可以将来自气源15的载气提供给前驱体容器13，并且质量流量控制器(MFC)16可以用来控制载气流量。当使用载气时，可以将它引入到前驱体容器13的下部，以渗过固体W(CO)6前驱体55。或者，可以将载气引入到前驱体源13内，并分布在固体W(CO)6前驱体55的顶部。提供传感器45用于测量来自前驱体容器13的总气体流量。传感器45例如可以包括MFC，利用传感器45和质量流量控制器16可以测定输送到处理室1的W(CO)6前驱体的量。或者，传感器45可以包括光吸收传感器，以测量W(CO)6前驱体在到处理室1的气流中的浓度。
旁通管道41位于传感器45的下游，并将气体管道12连接到排出管道24。提供旁通管道41用于抽空气体管道12并稳定W(CO)6前驱体对处理室1的供应。此外，位于气体管道12支路下游的阀42设置在旁通管道41上。
提供加热器(未示出)来独立地加热气体管道12、14和41，这样可以控制气体管道的温度以避免W(CO)6前驱体在气体管道中冷凝。气体管道的温度可以控制在约20℃-约100℃，或约25℃-约60℃。
利用气体管道18，稀释气体可以从气源19供应到气体管道12。稀释气体可以用来稀释处理气或调节处理气的分压。气体管道18包括MFC 20和阀21。MFC 16和20、阀17、21和42受控制器40的控制，该控制器40控制着载气、W(CO)6前驱气和稀释气体的供应、关闭和流量。传感器45也连接到控制器40，并且基于传感器45的输出，控制器40可以通过质量流量控制器16控制载气流量，以获得期望的W(CO)6前驱气到处理室1中的流量。利用气体管道64、MFC 63和阀62，还原气可以从气源61供应到处理室1。利用气体管道64、MFC 67和阀66，清洗气可以从气源65供应到处理室1。控制器40可以控制还原气和清洗气的供应、关闭和流量。
排出管道24将排出室23连接到真空抽气系统400。真空泵25用来将处理室1抽空到期望的真空度，并在处理期间从处理室中移出气相物质(gaseous species)。自动压力控制器(APC)59和捕集器57可以与真空泵25串联使用。真空泵25可以包括抽气速率能够高达约5000l/s(和更高)的涡轮分子泵(TMP)。或者，真空抽气系统400可以包括干泵。在处理期间，可以将处理气引入到处理室1内，并且通过APC 59调节室压。APC 59可以包括蝶型阀或闸式阀。捕集器57可以从处理室1收集未反应的前驱体原料和副产物。
在处理室1中，提供3个衬底顶杆(substrate lift pin)26(仅示出了2个)用于固定、抬高和降低衬底50。衬底顶杆26固定在板27上，并可以降低到衬底托架2上表面以下。例如利用气缸的驱动机构28提供抬高和降低板27的手段。衬底50可以经机械转移系统(未示出)通过闸式阀30和室进入-穿出通道29转移入/出处理室1，并由衬底顶杆接收。一旦从转移系统接收了衬底50，通过降低衬底顶杆26可以将衬底降低到衬底托架2的上表面。
处理系统控制器500包括微处理器、存储器和数字I/O端口，该控制器能够产生足以传送并启动处理系统100的输入以及监测处理系统100的输出的控制电压。而且，处理系统控制器500与处理室1、包括控制器40和前驱体加热器13a的气体输送系统300、真空抽气系统400、电源6和冷却液源10f相耦合，并与它们交换信息。在真空抽气系统400中，处理系统控制器500与用于控制处理室1中压力的自动压力控制器59相耦合，并与其交换信息。存储在存储器中的程序用来根据所存储的制程配方控制处理系统100的前述组件。一个处理系统控制器500的例子是可从得克萨斯州达拉斯Dell Corporation得到的DELL PRECISION WORKSTATION610TM。
用于形成W层的处理系统可以包括如图1中示意性示出和描述的单个晶圆处理室。或者，处理系统可以包括能够同时处理多个衬底(晶圆)的分批式处理室。除了半导体衬底(例如Si晶圆)之外，衬底可以包括例如LCD衬底、玻璃衬底或化合物半导体衬底。处理室例如可以处理任何尺寸的衬底，例如200mm衬底、300mm衬底或甚至更大的衬底。
一般而言，可以由各种相应的金属-羰基前驱体沉积不同金属阻挡层/衬里。这包括分别由W(CO)6、Ni(CO)4、Mo(CO)6、Co2(CO)8、Rh4(CO)12、Re2(CO)10、Cr(CO)6和Ru3(CO)12前驱体沉积W、Ni、Mo、Co、Rh、Re、Cr和Ru金属层。
金属层可以在不使用还原气下由含金属的前驱体热沉积出。或者，例如H2气体的还原剂可以用来辅助金属层的沉积。金属-羰基前驱体的热分解和金属层的形成被认为主要通过消除CO和从衬底上解吸CO副产物而进行。CO副产物结合到金属层内可能由于金属-羰基前驱体分解不完全、所吸附的CO副产物没有完全从金属层移除以及处理室中的CO副产物再吸附到金属层上而引起的。CO反应副产物结合到金属层内可能会增大金属层的电阻率，并导致由于节瘤(金属颗粒)在金属层表面上和/或金属层中的不规则生长而造成差的表面形态。
在本发明的一种实施方案中，金属层在一系列金属-羰基前驱气脉冲过程中形成。每次脉冲形成厚约5埃()-约60的金属层。在本发明的另一实施方案中，每次金属-羰基前驱气脉冲过程中形成的金属层厚度可以为约5-约10。在本发明的一种实施方案中，在多次金属前驱气脉冲之后，金属层的总厚小于约500。循环处理不同于通常是非循环工艺的常规化学气相沉积(CVD)工艺，这种工艺在沉积工艺过程中前驱气仅接触衬底一次。
图2是根据本发明实施方案利用间歇前驱气流工艺而形成金属层的流程图。在200，开始该工艺。在202，将衬底提供到处理室中，并且在204，衬底暴露于还原气中。在206，衬底暴露于一个金属-羰基前驱气脉冲中，从而由金属-羰基前驱气热分解而在衬底上形成金属层。在208，确定是否结束该工艺。当达到所期望的厚度时，在210结束该工艺；当没有达到所期望的厚度时，该工艺返回到206。
图3示意性地示出了根据本发明实施方案在用于形成金属层的间歇前驱气流工艺过程中的气流。在图3中所示的实施方案中，包含例如H2的还原气和例如Ar的清洗气的气流在处理室中形成。接着，一个金属-羰基前驱气脉冲在时段250内流入处理室。时段250的长度例如可以取决于金属-羰基前驱体的反应性、金属-羰基前驱体被载气和稀释气体的稀释和处理系统的流动特性。在时段250结束时，处理室被清洗气和还原气清洗持续时段260。如图3中所示的，清洗气和还原气的流速在该工艺过程中可以是恒定的。或者，清洗气和还原气的流速在该工艺过程中可以变化。
金属-羰基前驱气可以包含金属-羰基前驱体和可选的载气和稀释气体。金属-羰基前驱气的流量例如可以为约0.1sccm-约200sccm。载气、稀释气体和清洗气例如可以包含惰性气体，例如Ar、He、Kr、Xe和N2。在本发明的一种实施方案中，载气流量可以为约10sccm-约1000sccm，清洗气流量可以为约50sccm-约1000sccm，稀释气体流速可以为约10sccm-约1000sccm。
一般而言，还原气可以包括一种能够有助于从金属层上移除反应副产物的气体。在本发明的一种实施方案中，还原气可以包含含氢的气体，例如H2。在本发明的另一实施方案中，还原气可以包含含硅的气体，例如硅烷(SiH4)、乙硅烷(Si2H6)和二氯甲硅烷(SiCl2H2)。在本发明的另一实施方案中，还原气可以包含含硼的气体，例如通式为BXH3X的含硼气体。这包括例如甲硼烷(BH3)、乙硼烷(B2H6)、三硼烷(B3H9)和其它。在本发明的另一实施方案中，还原气可以包含含氮的气体，例如氨气(NH3)。在本发明的一种实施方案中，还原气的流量可以为约10sccm-约500sccm。
在图3中示意性所示的实施方案中，沉积循环270由时段250和260组成。在时段250期间，薄金属层由金属-羰基前驱体的热分解形成到衬底上。在时段260期间，处理室被清洗气和还原气清洗。可以重复沉积循环270，直至期望厚度的金属层形成在衬底上。
能够形成期望厚度的金属层的合适工艺条件可以通过直接实验和/或实验设计(DOE)来确定。可调节的工艺参数例如可以包括时段250和260的长度、温度(例如衬底温度)、处理压力、处理气和相对气体流量。每个时段250和260的长度可以独立变化，以使金属层的厚度和保形性达到最佳。时段250和260的长度可以在每个沉积循环保持恒定，或者时段250和260的长度可以在沉积循环270中独立地变化。一般而言，时段250的长度可以为约1s-约500s，例如约25s，时段260的长度可以小于约120s，例如约30s。
在本发明的一种实施方案中，处理室压力例如可以是约0.01Torr-约5Torr。在本发明的另一实施方案中，处理室压力可以小于约0.2Torr，可以是约0.04Torr。衬底温度可以是约250℃-约600℃，或者约400℃-约500℃。金属-羰基前驱体在前驱体容器中例如可以保持在约35℃-约45℃的温度下。
在本发明的一种实施方案中，金属成核层可以在利用上述的间歇金属-羰基前驱气流工艺形成金属层之前形成在衬底上。可以利用各种公知的沉积方法，包括但不限于，CVD、等离子体增强CVD(PECVD)和物理气相沉积(PVD)，沉积金属成核层。最初金属成核层的厚度例如可以为约10-约1000。在一个实施例中，沉积金属成核层的CVD工艺可以利用金属-羰基前驱气，处理压力约0.5Torr，暴露时间约60s。
图4示意性示出了根据本发明实施方案形成在Si微结构上的W层的横截面视图。在图4中，W层310的厚度随着衬底370上所形成的整个微结构300的形貌而变化。微结构300的高宽比约3∶1(孔或沟槽的深度∶宽度)。孔和沟槽的深度390约1.1微米(11,000)，孔和沟槽的平均宽度380约0.36微米(3,600)。
表I示出了根据本发明实施方案在图4中示意性示出的形成在Si微结构上的W层的厚度和保形性。为评估不同处理条件下W层310的保形性，将W层310在微结构300上不同位置处的厚度与W层310邻近微结构300的厚度320作比较。这包括W层在微结构300顶部突出的厚度360、W层310在微结构300顶部开口处的厚度350、W层310在微结构300底部的厚度330和W层在微结构300的垂直侧壁上的最小厚度340。
表I中的W层是利用下面的工艺条件形成的a)在约500℃的衬底温度下的W CVD工艺，b)在约500℃的衬底温度下的间歇前驱气流工艺，和c)在约400℃的衬底温度下的间歇前驱气流工艺。在根据a)-c)沉积W层之前，利用包含W(CO)6的W(CO)6前驱气、Ar载气和Ar清洗气在衬底上沉积薄W成核层。在约0.5Torr的处理室压下W成核层沉积60<p>CS2212 ALU Opcode补充以下的opcode将被加入CS2212ADD8SUB8ADDSUB16SUBADD16操作 ADD88位加法运算Out[7:0]＝A[7:0]+B[7:0]Out[15:8]＝A[15:8]+B[15:8]Out[23:16]＝A[23:16]+B[23:16]Out[31:24]＝A[31:24]+B[31:24]Opcode
比特粒度8位操作受影响标志 无可用标志操作 SUB88位减法运算Out[7:0]＝A[7:0]+～B[7:0]+1Out[15:8]＝A[15:8]+～B[15:8]+1Out[23:16]＝A[23:16]+～B[23:16]+1Out[31:24]＝A[31:24]+～B[31:24]+1Opcode
比特粒度8位操作受影响标志 无可用标志操作 ADDSUB1616位加法和减法运算Out[31:16]＝A[31:16]+B[31:16]Out[15:0]＝A[15:0]+～B[15:0]+1Opcode
工艺条件a)-c)下W层310中的W粒尺寸可从SEM显微照片视觉观察到。通过CVD工艺形成的W表现出尺寸约100-约350的W粒，而间歇前驱气流工艺b)和c)表现出在约500℃的衬底温度下尺寸约100-约150的W粒，在约400℃的衬底温度下尺寸约300-约350的W粒。因此，通过间歇前驱气流工艺所形成的W粒比通过CVD工艺所形成的W粒具有更窄的尺寸分布。
衬底可以包含多个微结构。在一种实施方案中，微结构的宽度可以小于约0.4微米。在另一实施方案中，它可以小于约0.15微米。在另一实施方案中，它可以小于约0.1微米。在另一实施方案中，微结构的深度可以大于约1微米。
在一种实施方案中，微结构的高宽比可以大于约3∶1。在另一实施方案中，在微结构底部上的W层厚度可以大于约10。在另一实施方案中，它可以大于约50。实际上，它可以大于约150。在一种实施方案中，在微结构侧壁上的W层厚度大于约10。在另一实施方案中，它可以大于约50。实际上，它可以大于约150。
在一种实施方案中，金属层在微结构底部上的厚度与金属层邻近微结构的厚度的比大于约0.1。在另一实施方案中，金属层在微结构侧壁上的厚度与金属层邻近微结构的厚度的比大于约0.1。在另一实施方案中，金属层在微结构顶部的突出厚度与金属层邻近微结构的厚度的比可以小于约0.7。在另一实施方案中，该比可以小于约0.5。
在间歇前驱气流工艺的另一实施例中，利用60次沉积循环，在400℃的衬底温度下，在热生长的SiO2层上形成W层。W(CO)6前驱气的每次脉冲的持续时间为约25s，Ar载气的流量为约50sccm。H2还原气流量为约100sccm。通过该工艺形成的W层厚约389，每次沉积循环中的平均沉积速度为约6.5。W层的电阻率约34.9μohm-cm。
应该理解到，在实施本发明中可以对本发明进行各种修改和变化。因此，要理解到，在所附权利要求的范围内，本发明可以不按这里具体所述的来实施。
权利要求
1.一种在衬底上形成金属层的方法，所述方法包括将衬底提供到处理室中；使所述衬底暴露于还原气中；使所述衬底暴露于一个金属-羰基前驱体脉冲中，从而在所述衬底上形成金属层；以及重复这些暴露工艺，直至形成期望厚度的金属层。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述金属-羰基前驱体包括W(CO)6、Ni(CO)4、Mo(CO)6、Co2(CO)8、Rh4(CO)12、Re2(CO)10、Cr(CO)6和Ru3(CO)12的其中至少之一。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述金属层包括W、Ni、Mo、Co、Rh、Re、Cr和Ru的其中至少之一。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述金属-羰基前驱气包括W(CO)6。
5.如权利要求2所述的方法，其中金属-羰基前驱体的流量为约0.1sccm-约200sccm。
6.如权利要求2所述的方法，其中所述金属-羰基前驱气还包括载气和稀释气体的其中至少之一。
7.如权利要求6所述的方法，其中所述载气和稀释气体的其中至少之一包括惰性气体。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述惰性气体包括Ar、He、Kr、Xe和N2的其中至少之一。
9.如权利要求6所述的方法，其中所述前驱气包括流量为约10sccm-约1000sccm的载气。
10.如权利要求6所述的方法，其中所述前驱气包括流量为约10sccm-约1000sccm的稀释气体。
11.如权利要求1所述的方法，其中所述还原气包括含氢气体、含硅气体、含硼气体和含氮气体的其中至少之一。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述还原气包括含氢气体，这包括H2。
13.如权利要求11所述的方法，其中所述还原气包括含硅气体，这包括SiH4、Si2H6和SiCl2H2的其中至少之一。
14.如权利要求11所述的方法，其中所述还原气包括含硼气体，这包括BH3、B2H6、B3H9的其中至少之一。
15.如权利要求11所述的方法，其中所述还原气包括含氮气体，这包括NH3。
16.如权利要求11所述的方法，其中所述还原气的流量为约10sccm-约1000sccm。
17.如权利要求1所述的方法，还包括使所述衬底暴露于清洗气体中。
18.如权利要求17所述的方法，其中所述清洗气体包括惰性气体。
19.如权利要求18所述的方法，其中所述惰性气体包括Ar、He、Kr、Xe和N2的其中至少之一。
20.如权利要求17所述的方法，其中所述清洗气的流量为约50sccm-约1000sccm。
21.如权利要求1所述的方法，其中所述金属-羰基前驱气脉冲的长度为约1s-约500s。
22.如权利要求1所述的方法，其中所述金属-羰基前驱气脉冲的长度为约25s。
23.如权利要求1所述的方法，其中所述金属-羰基前驱气脉冲之间的时段为约1s-约120s。
24.如权利要求1所述的方法，其中所述金属-羰基前驱气脉冲之间的时段为约30s。
25.如权利要求1所述的方法，其中所述衬底温度为约250℃-约600℃。
26.如权利要求1所述的方法，其中所述衬底温度为约400℃-约500℃。
27.如权利要求1所述的方法，其中处理室压为约0.01Torr-约5Torr。
28.如权利要求1所述的方法，其中处理室压小于约0.2Torr。
29.如权利要求1所述的方法，其中处理室压约0.04Torr。
30.如权利要求1所述的方法，其中在金属-羰基前驱气的每个脉冲期间所形成的金属层厚为约5-约60。
31.如权利要求1所述的方法，其中在金属-羰基前驱气的每个脉冲期间所形成的金属层厚为约5-约10。
32.如权利要求1所述的方法，其中所述金属层的期望厚度小于约500。
33.如权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括半导体衬底、LCD衬底和玻璃衬底的其中至少之一。
34.如权利要求1所述的方法，还包括在所述衬底上沉积金属成核层。
35.如权利要求34所述的方法，其中所述沉积包括利用选自CVD、PECVD和PVD其中至少之一的工艺。
36.如权利要求34所述的方法，其中所述沉积利用CVD工艺，所述工艺包括使所述衬底暴露于金属-羰基前驱气中。
37.如权利要求34所述的方法，其中所述沉积利用CVD工艺，所述工艺采用约0.1Torr-约5Torr的处理室压。
38.如权利要求34所述的方法，其中所述沉积利用CVD工艺，所述工艺采用约0.5Torr的处理室压。
39.如权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括多个微结构，并且所述方法还包括形成金属层，所述层在至少一个微结构的底部上具有第一厚度，在所述至少一个微结构的侧壁上具有第二厚度，并且在所述至少一个微结构的顶部上具有突出物。
40.如权利要求39所述的方法，其中所述至少一个微结构的宽度小于约0.4微米。
41.如权利要求39所述的方法，其中所述至少一个微结构的宽度小于约0.15微米。
42.如权利要求39所述的方法，其中所述至少一个微结构的宽度小于约0.1微米。
43.如权利要求39所述的方法，其中所述至少一个微结构的深度大于约1微米。
44.如权利要求39所述的方法，其中所述至少一个微结构的高宽比大于约3∶1。
45.如权利要求39所述的方法，其中所述第一厚度大于约10。
46.如权利要求39所述的方法，其中所述第一厚度大于约50。
47.如权利要求39所述的方法，其中所述第一厚度大于约150。
48.如权利要求39所述的方法，其中所述第二厚度大于约10。
49.如权利要求39所述的方法，其中所述第二厚度大于约50。
50.如权利要求39所述的方法，其中所述第二厚度大于约150。
51.如权利要求39所述的方法，其中所述第一厚度与所述金属层邻近所述至少一个微结构的厚度的比大于约0.1。
52.如权利要求39所述的方法，其中所述第二厚度与所述金属层邻近所述至少一个微结构的厚度的比大于约0.1。
53.如权利要求39所述的方法，其中所述突出物的厚度与所述金属层邻近所述至少一个微结构的厚度的比小于约0.7。
54.如权利要求39所述的方法，其中所述突出物的厚度与所述金属层邻近所述至少一个微结构的厚度的比小于约0.5。
全文摘要
本发明提供了一种利用间歇前驱气流工艺在衬底上形成金属层的方法。该方法包括使衬底暴露于还原气中，同时使衬底暴露于金属－羰基前驱气脉冲中。该工艺进行到在衬底上形成期望厚度的金属层。该金属层可以形成在衬底上，或者该金属层可以形成在金属成核层上。
文档编号C23C16/16GK1860587SQ200480028497
公开日2006年11月8日 申请日期2004年9月7日 优先权日2003年9月30日
发明者山崎英亮, 松田司, 五味淳, 波多野达夫, 立花光博, 松泽兴明, 河野有美子, 格特·J·莱乌辛克, 芬顿·R·麦克非利, 桑德拉·G·马尔霍特拉, 安德鲁·H·西蒙, 约翰·J·尤尔坎斯 申请人:东京毅力科创株式会社, 国际商业机器公司