专利名称：浅药囊抛光布的制作方法
技术领域：
本实用新型属于晶片抛光用具及材料,特别涉及一种浅药囊抛光布。
技术背景现行的晶片双面抛光所使用的抛光垫的下垫采用根双面抛光上垫一样的 材料——聚氮酯发泡。见(
图1)由于砷化镓双面抛光的特殊工艺，使用和双 面抛光上垫同一种材料制造的双面抛光下垫所抛出来的晶片背面不合格。原 因是砷化镓在抛光过层中需要使用氯，对晶片表面进行腐蚀。在晶片加工过 程结束前加入还原剂，将药液中的氯在很短的时间内完全的中和掉，不再进 行腐蚀已达到很高的光洁度。但是由于普通的双面抛光下垫的药囊较深，在 短时间内还原剂不能够将药液中的氯完全中和，使晶片背面产生腐蚀痕迹， 从而影响其表面的光洁度。发明内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种浅药囊抛光布。解决晶片 背面产生腐蚀痕迹问题，从而达到合格的表面的光洁度。 本实用新型的技术方案是一种浅药囊抛光布，在基材上面是药囊层，其特征在于药囊层上布满 上开口的药囊，药囊为水滴状，药囊从表面到底部深度为0.2—0.3毫米。 药囊层的材料是聚氨酯泡沫塑料。 药囊从表面到底部深度0. 2毫米。 本实用新型效果是使用这种浅药囊抛光布，加工出来的抛光垫可有效的提高晶片背面的光 洁度。本实用新型是技术方案是縮短抛光垫存药的药囊。实施方法为削掉或 磨掉药囊多余的部分使药囊縮短，从而在加入还原剂后使药剂中的氯完全快 速的中和，提高其表面的光洁度。 附圉说明
图1是原有的药囊抛光布的结构示意图图2是改进后浅药囊抛光布的结构示意图具体实施方式
一种浅药囊抛光布，在无纺布的基材1上面有一层聚氨酯泡沫塑料的药 囊层2，药囊层上布满上开口的药囊3，药囊为水滴状，药囊从表面到底部深 度为0. 2—0. 3毫米。一般药囊从表面到底部深度0. 2毫米较好。实施加工方法为削掉或磨掉药囊层上形长药囊(如
图1上的形状)上面 较细长的部分4，使药囊縮短(见图2上的形状)，从而在加入还原剂后使药 剂中的氯完全快速的中和，提高其表面的光洁度。
权利要求1、一种浅药囊抛光布，在基材上面是药囊层，其特征在于药囊层上布满上开口的药囊，药囊为水滴状，药囊从表面到底部深度为0.2-0.3毫米。
2、 根据权利要求1所述的浅药囊抛光布，其特征在于药囊层的材料是聚氨 酯泡沫塑料。
3、 根据权利要求l所述的浅药囊抛光布，其特征在于药囊从表面到底部深度为0.2毫米。
专利摘要一种浅药囊抛光布，在基材上面是药囊层，药囊层上布满上开口的药囊，药囊为水滴状，药囊从表面到底部深度为0.2-0.3毫米。药囊层的材料是聚氨酯泡沫塑料。药囊从表面到底部深度0.2毫米。本实用新型效果是使用这种浅药囊抛光布，加工出来的抛光垫可有效的提高晶片背面的光洁度。本实用新型是技术方案是缩短抛光垫存药的药囊。实施方法为削掉或磨掉药囊多余的部分使药囊缩短，从而在加入还原剂后使药剂中的氯完全快速的中和，提高其表面的光洁度。
文档编号B24D11/00GK201023216SQ200720095669
公开日2008年2月20日 申请日期2007年4月2日 优先权日2007年4月2日
发明者田鸿义 申请人:天津市克鲁格科工贸有限公司