处理室、串列式涂覆设备和用于处理衬底的方法

专利名称：处理室、串列式涂覆设备和用于处理衬底的方法
技术领域：
本发明涉及处理室，其用于处理衬底，尤其用于通过PECVD (等离
子体增强化学汽相沉积)方法涂覆衬底，该处理室包括容器、用于产生
处理衬底用的反应条件的处理工具、容器中的至少一个可动载具(所述载 具用于承载至少一个衬底)、以及用于沿着通过移动界定的传送路径将载 具传送到容器中或从容器传送出来的传送装置，其中传送装置具有用于沿 着传送路径导引至少一个载具的至少一个导引装置。此外，本发明涉及串
列式PECVD (等离子体增强化学汽相沉积)涂覆设备、以及用于处理布 置在载具处的衬底的方法(尤其是用于通过PECVD (等离子体增强化学 汽相沉积)方法进行涂覆的方法)。
背景技术：
用于涂覆衬底的各种方法是公知的。这些方法之一是PECVD (等离 子体增强化学汽相沉积)方法，其例如用于制造光电池。在PECVD涂覆 的前后过程中的不同层通常在集群设备中施加的。
在集群PECVD设备的情况下，尤其是传送以及衬底载具与设置在涂 覆室中的电极或电极连接部之间的接触成为问题，并限制了产量。不良接 触的通常原因是衬底载具由于高处理温度而产生的热膨胀。
由于复杂的传送和接触措施，这导致了反应室相对复杂的结构、高维 护费用和产量的降低。此外，在接触期间的错误会导致不正确的接触结果 以及设备停机。

发明内容
由此，本发明的目的是提供一种涂覆室、涂覆设备和方法，其每个都 能确保简单的传送以及与反应室中的衬底载具的可靠接触。本发明的目的通过下面所述的处理室、串列涂覆设备以及方法实现。 用于衬底处理(尤其是用于通过PECVD (等离子体增强化学汽相沉 积)方法涂覆衬底)的根据本发明的处理室(反应室)，包括容器；用 于产生处理所述衬底的反应条件的处理工具；所述容器中的至少一个可移 动的载具，所述载具用于承载至少一个衬底；和传送装置，用于沿着由移 动界定的传送路径，将所述载具传送到所述容器中，以及从所述容器传送 所述载具，其中所述传送装置具有至少一个导引装置，其用于沿着所述传 送路径导引至少一个载具。而且，所述处理室包括在所述容器内用于将位 于传送位置的载具与所述导引装置解耦的解耦装置、和用于从所述导引装 置接收所述载具的接收装置，其中所述接收装置具有用于将所述载具从所 述传送位置垂直于传送方向转移到处理位置的转移装置。
该处理室特别用于固定PECVD涂覆处理。载具例如包括框架，衬底
紧固到该框架。转移装置接收载具并在与导引装置解耦之后垂直(即，侧 向)于传送路径将其移除。通常，本发明的根本理念在于从功能上分别将 传送和导引与转移和接触两者分开。
特别地，所述处理室形成为布置在所述载具处的所述衬底可借助于所 述传送装置沿着所述传送路径基本竖直地传送。
优选地，所述转移方向基本垂直于所述传送路径，使得在所述载具的 处理位置上所述衬底的布置基本平行于在所述载具的所述传送位置上所述 衬底的布置。
特别地，所述处理室具有布置在所述容器内或所述容器处的接触框 架，所述框架的目的在于将所述处理位置上的所述载具布置并接触在所述 接触框架处。因此，在处理位置，载具从传送路径(传送轨道、传送方 向)侧向地偏移，从而其在处理位置与接触框架接触。
为了确保与接触框架的可靠接触，可以首先借助于位置确定装置将载 具粗略地定位在接触框架前方。为了精细定位，可以将具有保持凸缘的对 中芯轴横向插入到设置在载具下部中的对中孔内。这样，载具相对精确地 抵达接触框架，并产生了布置在接触框架处的电极与设置在载具中的对应 电极之间的可靠接触，使得可以无问题地进行处理。处理工具具体而言是涂覆工具，其包括至少一个电极。在处理位置， 此电极与设置在载具处的对应电极进行接触。
其他的涂覆工具可以设置为例如气体入口、气体出口、设置在载具处 的对应电极、用于对电极提供电能以产生反应条件来产生用于衬底处理的 等离子体的电能供应体等的形式。
特别地，所述电极布置在所述接触框架处。这样，确保与接触电极相 对布置的载具被牢固地定位，使得在载具和衬底的热膨胀期间，设置在载 具处的对应触头也与接触框架处相应的对应电极进行可靠接触。
优选地，在所述处理位置，所述接触框架的触头与布置在所述载具处 的相应的对应触头产生连接。例如，载具可以经由支撑臂被拉动抵靠电极 的接触框架，使得可以在.载具的后电极与接触框架的电极之间建立接触。 载具可以附加地配备有位于接触框架的部分中的弹性触头。本发明因而即 使在提高的工作温度和载具的相关热膨胀的情况下，也确保了在串列式涂 覆设备中可靠且可重复的传送以及载具的接触。
所述传送装置特别地具有至少一个驱动器和用于将用于沿着所述传送 路径传送所述载具的驱动力进行传递的驱动力传递装置。
在优选实施例中，所述驱动力传递装置至少具有第一辊定位器，其在 传送位置具有与载具的可操作的连接。与载具的可操作的连接可以例如是 第一辊定位器的辊体与载具的下导轨的摩擦啮合。此外，例如，可以设置 用于在传送期间竖直地布置载具的第二非被驱动的上辊定位器。可以通过 将真空导引到容器内来进行将设置在容器外部的驱动器的驱动力传递到辊 体。为了使辊定位器稍后可以与载具解耦，辊定位器能够通过磁性耦合件 来可拆卸地连接到驱动器。
特别地，所述导引装置具有至少一个辊定位器。上和/或下辊定位器可 以仅形成为导引元件或者形成为导引和驱动元件。载具具有相应的上下导 轨，其在传送位置与辊定位器啮合。在传送位置进行从涂覆设备的一个模 组到另一个模组的载具传送。辊定位器(具体而言，载具的上导引辊)可 以形成为使得由于受热引起的载具的膨胀是可能的，并且允许竖直膨胀的 改变。优选地，所述装置包括至少一个提升装置，用于将所述载具与所述导 引装置解耦。因为，根据本发明，必须在从传送或转移位置到处理位置的 转移期间完成竖直布置的载具的水平转移，在从传送位置到转移位置的转 变期间必须进行与导引装置的有效解耦。通过用于辊传送器的提升装置来 进行上述操作。下辊传送器横向向下移动，使得先前通过支撑臂保持的载 具与下辊传送器脱离啮合。可以通过上辊传送器向上的行程，或者优选地 通过在载具被接收装置接收之前降低载具来进行与上辊传送器的解耦。可 选的提升驱动器例如是具有主轴变速器的电动机或者气缸。
因而所述提升装置特别地被形成为用于降低和/或升高所述导引装置的 至少一部分、用于降低或升高所述载具、和/或用于将所述载具与所述导引 装置解耦。例如，行程发生为垂直于传送方向和/或垂直于转移方向，因而 通常基本竖直向下以用于降低下导引装置，并竖直向上以用于耦合载具
(例如，在载具涂覆之后传送远离涂覆台之前)。在解耦期间，载具与传 送装置从工作连接状态脱离，在耦合期间，建立工作连接。
所述用于接收的装置优选地至少包括框架和/或支撑臂，并具有用于移 动所述框架或所述支撑臂的致动装置。所述框架和/或支撑臂能够借助于致 动装置(驱动器)，使所述载具至少沿转移方向在所述转移位置与处理位 置之间移动。
所述接收装置特别地具有用于与形成在所述载具处的相应设备啮合的 啮合装置。啮合装置可以是例如至少一个(具体而言，数个)拾取叉，其 连接到支撑臂。
为了通过接收装置接收载具，例如，可以设置两个支撑臂，其在载具 的竖直布置侧的左右几个点位处啮合。于是，拾取叉能够横向移动到载具 的侧向凹槽中。通过降低辊定位器，载具被相似地降低并转移到拾取叉 中。
选择下辊定位器的行程，使得载具失去与上导引体的接触，并随后 (在通过转移装置接收期间)，下辊定位器松开载具的下导轨。选择载具 凹槽的位置和叉的位置，使得当载具达到接触框架时衬底中心和电极中心 处于相同高度。这样，确保无论温度如何变化，衬底总是相对于电极相似地定位。
通过支撑臂致动器对支撑臂的致动使得载具被拉动抵靠接触框架(电 极布置在接触框架处)，以可以在载具的后电极与前述电极之间建立接 触。
为了定位触头，布置在处理室的对中芯轴可以被紧固，使得通过对中 芯轴的保持凸缘而附加地将载具拉向接触框架。在载具的上部，可以设置 具有旋转装置的锁止螺栓，以用于额外的按压，其在降低的位置横向移动
到布置在载具处的开口中并在紧固期间旋转90度。
在结束涂覆处理之后，以相反顺序将载具从接触框架拆卸，并返回到 传送位置。在耦合到传送装置之后，传送到下个涂覆模组。
清楚的是，卑发明特别适用于串列式涂覆设备，其中数个涂覆台串联 布置。
在具体实施例中，所述致动装置被形成为通过所述致动和耦合到所述 用于接收的装置的所述载具的移动，所述传送路径空闲以用于传送其他载 具。例如，支撑臂可以被形成为具有行程延展。在用于衬底的静态涂覆处 理期间，不同的载具可以因此移动经过被占用的涂覆台并"追上"处于处 理位置的载具。因此避免了通过全部涂覆台的顺序解决方案。结果，根据 设备的循环时间，以此方式大致提高了沉积时间对于传送/接触时间的比 率，并提高了设备的产量。
通过将载具的传送和导引与接触进行在功能上的分离，用于对于电极 而言载具的下变形按压的设计范围(包括对应电极)增大。此外，传送与
接触的功能分离确保了在衬底涂覆期间辊定位器和导轨的松开，使得其他 载具能够移动经过涂覆模组。这对于串列式PECVD设备特别有利。
还通过提供包括如上所述的至少一个处理室的串列式涂覆设备，尤其 是串列式PECVD (等离子体增强化学汽相沉积)涂覆设备来实现其目 的。
具体而言，工具本发明的两个或更多处理室可以串联布置。处理室之 间的传送路径确定了传送方向。
对于PECVD方法使用串列式涂覆设备相对于传统集群PECVD设备的主要优点在于串列式设备更高的产率。给定相同产率，串列式设备的使 用可以减小空间需求。
如本发明所提供的，通过载具之间"追上过程"的优点，可以提高串 列式涂覆设备的工作期间的灵活性，并从而提高产量。
此外，通过用于处理布置在载具处的衬底的方法，尤其是用于通过 PECVD (等离子增强化学汽相沉积)方法来实现其目的所述方法包括
以下步骤a)借助于传送和导引装置将装载有所述衬底的所述载具沿着第
一传送路径传送到处理室的内部，特别是传送到如上所述的处理室的内 部，并传送到传送位置；b)致动接收装置；C)致动解耦装置，用于为所述 接收装置接收所述载具而产生啮合，并用于将所述载具与所述传送和导引 装置解耦；d)致动所述接收装置，用于相对于所述传送路径产生所述载昇
向从所述传送路径横向布置的解除框架的横向移动，所述框架用于将所述 载具与所述解除框架解除，并在形成于所述载具处的和形成于所述接触框
架处的触头之间产生接触；e)以及开始处理过程。
特别地，在所述方法的执行期间，所述衬底基本竖直地布置。衬底通 常是平坦的，在许多情况下是大表面积、平面、矩形的元件。处于空间原 因和衬底夹持的原因，正好将这样的衬底竖直传送通过设备。
特别地，在处理步骤c)中的解耦装置的致动包括借助于提升驱动器降 低所述辊定位器。
特别地，在步骤d)达到所述接触位置之后，所述载具横向地偏移，使 得所述传送路径空闲以能够沿着所述传送路径通过其他载具。
在特定实施例中，在串联布置的数个处理室中重复所述方法。


由对具体实施例的以下说明可以得到本发明的进一步的目的和优点。 这些在以下图中示出，这些图是
图1是根据本发明的处理室的剖视图； 图2是本发明的处理室的主要部件的立体图；以及 图3是本发明的处理室的主要部件的另一个立体图。
具体实施例方式
图1示出了通过用于进行PECVD (等离子体增强化学汽相沉积)涂
覆的处理室或反应室1的剖视图。
反应室1包括容器2，其具有至少一个门3，用于进入容器2的内 部。在本示例的情况中，反应室1被设计为用于涂覆两个衬底的双室。但 是，在本发明的内容中，这并非绝对必要的。
在容器2内，布置了两个载具4a和4b，其中在右侧以4a示出的第一 载具处于传送位置，而左侧的第二载具4b处于接触和/或处理位置。第一 载具4a承载第一衬底5a，第二载具承载第二衬底5b。
作为，于固定涂覆衬底5a、 5b的串列式PECVD涂覆设备的一部分的 反应室1具有用于将装载有衬底5a和5b的载具4a或4b传送在容器2内 并用于在不同的容器2、模组、室、涂覆台等之间进行传送的传送装置。 本实施例中的传送装置包括下辊定位器6a和6b，其辊体被驱动器(21， 见图3)驱动以传送布置在传送位置的第一载具4a。 一方面，第一下辊定 位器6a能够设定为运动并沿与纸面垂直的方向传送第一载具4a，另一方 面下辊定位器6a用作用于第一载具4a的下导引体并界定了其传送路径。 出于此目的，第一载具14的下导轨14a与辊定位器6a啮合。
除此之外，还设置了具有导引辊的上导引体7a和7b，其中布置在传 送位置的第一载具4a被第一上导引体7a导引。第一载具4a的上导轨13a 与第一上导引体7a的导引辊啮合。上导引体7a形成为能够容许由于温度 改变引起的载具4a和4b的线性膨胀(例如，沿其竖直方向的膨胀)。
为了将载具4a或4b耦合到导引体和传送装置6a、 7a以及将载具4a 或4b与导引体和传送装置6a、 7a解耦，辊定位器6a和6b每个具有提升 装置8a、 8b。在右侧所示的第一载具4a的传送位置上，提升装置8a延 展，使得处于上位置的第一辊定位器6a与第一载具4a的下导轨14a啮 合。第一下辊定位器6a或第二下辊定位器经由磁性耦合件9a或9b磁耦合 到主导轮。在本实施例中，驱动器(未示出)布置在容器2的外部并经由 真空供给体IO和耦合的磁性离合器9a将力传递到第一下辊定位器6a的辊体。
此外，在容器2中，牢固地(即，在处理室内不可移动，例如，安装
到容器)布置了接触框架lla和llb。接触框架lla和llb被驱动靠近载 具4a和4b并且此后与它们进行接触。接触框架lla和llb每个都具有至 少一个电极12a和12b。第一接触框架lla的第一电极12a不与第一载具 4a接触，这是因为第一载具4a处于传送位置。相反，第二载具4b处于接 触或处理位置，并抵靠第二接触框架llb， S卩，压靠第二接触框架llb， 并使第二电极12b与设置在载具4b中相应的对应电极接触。
通过特别形成的转移/接收装置(图1中未示出)来进行在载具4a、 4b以及衬底5a、 5b的传送位置、与传送装置解耦的位置(解耦位置)、 以及接触或处理位置之间的转移。基于图2和图3更详细地描述用于从传 送装置接收载具的装置。它们将载具4a从如图1的右侧所示的传送位置转 移到如图1的左侧所示的接触位置。
图2示出了根据本发明的反应室的主要部件的立体图，尤其是还示出 了转移/接收装置15a、 16a和15b、 16b。
如在图1中，示出了两个载具4a和4b，其中第一载具4a处于传送位 置，第二载具4b处于转移位置(解耦位置)。
在传送位置，用于下辊定位器6a的提升装置8延展，使得第一载具 4a利用其上导轨13a和其下导轨14a与设备的传送和导引装置的相应的上 下导引辊或主导轮啮合。通过驱动下辊定位器6a的辊并通过摩擦将动力传 递给载具4a，进行沿着处理设备的模组之间的传送路径的传送。
用于第一载具4a的转移/接收装置15a、 16a不与传送位置的第一载具 4a啮合。转移/接收装置15a、 16a具有第一支撑臂15a，拾取叉16a布置在 第一支撑臂15a处。 一旦第一载具4a大致定位，拾取叉16a能够与相应形 成的载具凹槽17a啮合并因此接收载具4a并将其从传送位置移动到其他位 置，例如，与接触框架(未示出)接触的接触或涂覆位置。
使用第二载具4b所示的部件与己经描述的使用第一载具4a部件相对应。
但是，如图2所示的第二载具4b处于解耦位置。第二载具4b已经被具有支撑臂15b和拾取叉16b的第二转移/接收装置15b、 16b接收，艮P， 第二拾取叉16b与第二载具4b处相应的载具凹槽17b啮合并承载载具 4b。
在解耦位置，第二载具4b与导引体和传送装置解耦并分离。第二载 具4b的上导轨13b和下导轨14b不与上或下辊定位器7b和6b啮合或接 触。
为了从传送位置改变为解耦位置，首先将第二载具4b传送到传送路 径上被分配到第二接触框架(未示出)并相对于接触框架(未示出)粗略 对中的位置。为了精确对中，反应室具有下精确对中装置19和上精确对 中装置19'，其例如是具有保持凸缘的对中芯轴的形式，与载具4b的相应 对中孔啮合。
随后，由支撑臂致动器17b将第二支撑臂15b朝向第二载具4b移动， 使得第二转移/接收装置15b、 16b的第二拾取叉16b被推入第二载具的载 具凹槽17b。支撑臂致动器17b可以适于帮助支撑臂15的竖直和水平移动 两者。
随后，如图1所示的磁性离合器9b解耦。第二提升装置8b，例如具 有旋转传动装置的电动机或者借助于气缸的提升驱动器，将接着横向移动 到降低的位置。结果，第二载具4b自身也降低了。这样降低使得上导轨 13b不与上辊定位器7b啮合。而在预定下降之后，第二载具4b与縮回到 凹槽17b中的拾取叉16b啮合，直到其被承载，第二提升装置8b自身进一 步降低，使得下辊定位器6b也将其从与第二载具4b的下导轨14b的啮合 松开。由支撑臂15b的拾取叉16b已经接收了载具4b。现在第二载具4b 采取了所示的解耦位置。
从使用第二载具4b所示的位置，第二载具4b能够转移或移动到其他 位置，尤其是与电极(12b，见图1)接触的期望(固定)涂覆位置(在该 位置进行涂覆处理)，或者与接触框架(llb，见图1)接触的接触位置 (未示出)。通过借助于支撑臂致动器18b进行的致动来移动支撑臂 15b，进行转移。
在涂覆处理已经结束之后，载具4b通过相反的过程返回到传送位置并被传送到下一个处理模组。
图3示出了根据本发明的反应室的其他主要部件的立体图。
载具4a处于传送位置，其中上导轨13a与上导引辊7a啮合。下导轨 14a与下导引辊6a啮合。下导引辊6a通过真空供给体10与相应的磁性离 合器耦合地或解耦地连接到用于下辊定位器6a的驱动器21。
载具4a粗略的定位在接触框架lla的前方。对于粗略的定位，设置了 位置确定系统23。在已经完成了粗略定位之后，将通过支撑臂驱动器18a 的致动，来横向移动支撑臂15a，如结合图2所述的。支撑臂15a的拾取 叉16a与载具4a中的相应接收器17a啮合。
为了使载具4a可以解除与传送装置6a、 7a的接触，辊定位器6a首先 借助于提升装置8a向下移动而与驱动器21解耦，对于舉升装置8a，示出 了提升导引体8aa和提升驱动器8ab。拾取叉16a在辊定位器6a降低过程 中接收载具4a。
在通过支撑臂15a接收载具4a之后，载具4a通过支撑臂15a的致动 而朝向接触框架lla移动，并与其进行接触(接触位置)。载具4a被支撑 臂15a拉动抵靠接触框架lla，接触框架lla具有布置在接触框架lla处的 电极(12a，见图1)，为此可以在触头20a (连接到载具4a的后电极)与 电极(12a，见图1)之间产生接触。关于此，设置在载具4a中的触头20a 与布置在接触框架lla (也见图1)处的对应触头24进行接触，使得便于 从接触空间lla到载具4a的电能输入。
为了可以确保可靠的接触，载具4a的触头20a也可以被设计为弹性触 头。此外，下对中芯轴19可以具有旋转设备，其能够进行载具4b的进一 步向前移动，以接触框架lla。锁止螺栓19被拧紧(例如，转动90 度)，使得载具4a经由相应的保持凸缘被压靠接触框架lla。
在特定实施例和支撑臂15a、 15b所给定的相应形状和/或接触框架 lla、 lib相对于传送路径的相应布置中，可以使其他载具4a、 4b经过布 置在涂覆位置的载具4a、 4b并超过载具4a、 4b。结果，对于在串列式设 备中的全部载具，避免了全部涂覆模组的严格顺序化的方案。可以有更大 的灵活性，并且可以增大设备的循环时间。总体而言，根据本发明的反应室(例如，串列式涂覆设备)的利用，因为根据设备的循环时间而基本提 高了沉积时间对于传送/接触时间的比率，而提高了产量。
权利要求
1.一种处理室(1)，用于处理衬底(5a、5b)，特别用于通过等离子体增强化学汽相沉积方法涂覆衬底(5a、5b)，包括容器(2)，用于产生处理所述衬底(5a、5b)的反应条件的处理工具，所述容器中的至少一个可移动的载具(4a、4b)，所述载具用于承载至少一个衬底，和传送装置，用于沿着由移动界定的传送路径将所述载具传送到所述容器(2)中，以及从所述容器传送所述载具，其中所述传送装置具有至少一个导引装置(6a、6b、7a、7b)，其用于沿着所述传送路径导引至少一个载具(4a、4b)，其特征在于所述处理室(1)包括在所述容器(2)内用于将位于传送位置的载具(4a、4b)与所述导引装置(6a、6b、7a、7b)解耦的解耦装置，和用于从所述导引装置(6a、6b、7a、7b)接收所述载具(4a、4b)的接收装置，其中所述接收装置具有用于将所述载具(4a、4b)从所述传送位置相对于传送方向横向地转移到处理位置。
2. 根据权利要求1所述的处理室(1)， 其特征在于所述处理室(1)形成为使得布置在所述载具(4a、 4b)处的所述衬 底(5a、 5b)可借助于所述传送装置沿着所述传送路径基本竖直地传送。
3. 根据权利要求1或2所述的处理室(1)， 其特征在于所述转移方向基本垂直于所述传送路径，使得布置在所述载具(4a、 4b)的处理位置上的所述衬底基本平行于布置在所述载具(4a、 4b)的所 述传送位置上的所述衬底。
4. 根据权利要求1至3中任一项所述的处理室(1)，其特征在于-所述处理室(1)具有布置在所述容器(2)内的至少一个接触框架(lla、 lib)，用于将所述处理位置上的所述载具(4a、 4b)布置在所述 接触框架(12a、 12b)处并用于通过所述载具(4a、 4b)来接触所述接触 框架(lla、 lib)。
5. 根据权利要求1至4中任一项所述的处理室(1)，其特征在于所述处理工具包括至少一个电极(12a、 12b)。
6. 根据权利要求5所述的处理室(1)， 其特征在于所述一个电极(12a、 12b)至少布置在所述接触框架(lla、 lib)处。
7. 根据权利要求4至6中任一项所述的处理室(1.)， 其特征在于在所述处理位置，所述接触框架(lla、 lib)的触头(24)与布置在 所述载具(4a、 4b)处的相应的对应触头(20a、 20b)产生连接。
8. 根据权利要求1至7中任一项所述的处理室(1 )， 其特征在于所述传送装置具有至少一个驱动器(21)和用于将用于沿着所述传送 路径传送所述载具(4a、 4b)的驱动力进行传递的驱动力传递装置。
9. 根据权利要求8所述的处理室(1)， 其特征在于所述驱动力传递装置至少具有第一辊定位器(6a、 6b)。
10. 根据权利要求1至9中任一项所述的处理室(1)， 其特征在于所述导引装置(6a、 6b、 7a、 7b)具有至少一个辊定位器。
11. 根据权利要求1至10中任一项所述的处理室(1)， 其特征在于用于将所述载具(4a、 4b)与所述导引装置(6a、 6b、 7a、 7b)解耦的所述解耦装置包括至少一个提升装置(8a、 8b)。
12. 根据权利要求11所述的处理室(1)其特征在于所述提升装置'(8a、 8b)被形成为用于降低和/或升高所述导引装置 (6a、 6b、 7a、 7b)的至少一部分、用于降低或升高所述载具(4a、 4b)、和/或用于将所述载具(4a、 4b)与所述导引装置(6a、 6b、 7a、 7b)解耦。
13. 根据权利要求1至12中任一项所述的处理室(1)， 其特征在于所述接收装置至少包括框架和/或支撑臂(15a、 15b)，并具有用于移 动所述框架或所述支撑臂(15a、 15b)的致动装置(18a、 18b)。
14. 根据权利要求1至13中任一项所述的处理室(1)， 其特征在于所述接收装置具有用于与形成在所述载具(4a、 4b)处的相应装置 (17a、 17b)啮合的啮合装置(16a、 16b)。
15. 根据权利要求13或14所述的处理室(1)， 其特征在于所述致动装置(18a、 18b)被形成为，通过致动和耦合到所述接收装 置的所述载具(4a、 4b)的移动，所述传送路径空闲以用于传送其他载具 (4a、 4b)。
16. —种串列式涂覆设备，其特别是串列式等离子体增强汽相沉积涂 覆设备，包括根据权利要求1至15中任一项所述的至少一个处理室(1)。
17.根据权利要求16所述的串列式设备，其特征在于所述涂覆设备包括串联布置的根据权利要求1至15中任一项所述的两个或更多处理室(1)。
18.—种用于处理布置在载具(4a、 4b)处的衬底(5a、 5b)的方法， 特别是用于通过等离子体增强化学汽相沉积方法进行涂覆的方法，包括以下步骤a) 借助于传送和导引装置(6a、 6b、 7a、 7b)将装载有所述衬底(5a、 5b)的所述载具(4a、 4b)沿着第一传送路径传送到处 理室(1)的内部，特别是传送到根据权利要求1至15中任一 项所述的处理室(1)的内部，并传送到传送位置；b) 致动接收装置(15a、 15b、 16a、 16b、 18a、 18b);c) 致动解耦装置(8a、 8b、 9a、 9b)，用于为所述接收装置(15a、 15b、 16a、 16b、 18a、 18b)接收所述载具(4a、 4b) 而产生啮合，并用于将所述载具(4a、 4b)与所述传送和导引 装置(6a、 6b、 7a、 7b)解耦；d) 致动所述接收装置(15a、 15b， 16a、 16b、 18a、 18b)，用于 相对于所述传送路径产生所述载具(4a、 4b)向从所述传送路 径横向布置的接触框架(lla、 lib)的横向移动，所述接触框 架用于将所述载具(4a、 4b)与所述接触框架(lla、 lib)接 触，并在形成于所述载具处的和形成于所述接触框架(lla、 lib)处的触头(20a， 20b; 24)之间产生接触；e) 以及开始处理过程。
19. 根据权利要求18所述的方法， 其特征在于在所述方法的执行期间，所述衬底(5a、 5b)基本竖直地布置。
20. 根据权利要求18或19所述的方法，其特征在于在处理步骤c)中的解耦装置(8a、 8b、 9a、 9b)的致动包括借助于提 升驱动器(8a、 8b)降低所述辊定位器(6a、 6b)。
21. 根据权利要求18至20中任一项所述的方法， 其特征在于在步骤d)达到所述接触位置之后，所述载具(4a、 4b)横向地偏移， 使得所述传送路径空闲以能够沿着所述传送路径通过其他载具(4a、 4b)。
22.根据权利要求18至21中任一项所述的处理， 其特征在于在串联布置的数个处理室(1)中重复所述方法。
全文摘要
本发明公开了处理室、串列式涂覆设备和用于处理衬底的方法。用于等离子体增强化学汽相沉积的处理室包括集成在牢固连接于容器的接触框架中的电极。在处理室中可移动的载具承载至少一个衬底。借助于被驱动的辊定位器将载具沿着由移动界定的传送路径传送到处理室中或传送出处理室。一旦容器内的载具已经达到特定位置，通过借助于提升装置来降低，使下辊定位器与载具解耦。关于这一点，载具将其自身与上辊定位器脱离。然后，载具被转移装置接收并从传送位置横向进入与接触框架接触的处理位置。这样，可以在电极与设置于载具的对应电极之间产生可靠接触。此时，只要在载具的涂覆期间，接触框架横向地离开传送路径足够远，其他载具就可以从其经过。
文档编号C23C16/513GK101298669SQ20081000917
公开日2008年11月5日 申请日期2008年2月2日 优先权日2007年2月2日
发明者埃德加·哈勃科恩, 尤尔根·亨利奇, 迈克尔·斯沙斐尔 申请人:应用材料公司