专利名称：大容积陶瓷真空室的制作方法
技术领域：
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本实用新型主要涉及电真空领域，尤其涉及在高频交流电场或交变磁场下可以使用 的一种大容积超高真空容器。
技术背景-
在高频交流电场或交变磁场下使用的真空容器，由于会产生电涡流作用，不能用大 断面的金属制造，目前针对容积小的真空室有两种办法 一是尽量减薄真空室的壁厚； 二是采用陶瓷真空室。前者受大气压的作用，只能适合于很小的真空室；后者受陶瓷烧 结和加工的限制也无法作大。因此研制这样的器件显得十分有意义
实用新型内容
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本实用新型的目的在于避，有技术的不;^处而Jli共一种大容积陶瓷真空室，具有高 真空、容积大的特点。
本实用新型的目的可以通过采用以下技术方案来实1L: 一种大容积陶瓷真空室，包 括陶瓷管(3)，其主要特点是陶瓷管(3)两端联结有钛管(2)，钛管(2)的端部设有 真空法兰(1)。陶瓷管(3)可采用大口径。
所述的大容积陶瓷真空室，所述的陶瓷管(3)为2—4段，陶瓷管(3)之间采用过 渡环(4)相连接。
所述的大容积陶瓷真空室，所述的钛管(2)与陶瓷管(3)的联结处，钛管(2)的 端部为直角翻边，其翻边平面与陶瓷管(3)的端面相联。
本实用新型的有益效果是所述的大容积陶瓷真空室真空度好于lX10—》a，直径近 300毫米，长度大于1100毫米，容积70升。
图1为本实用新型的结构示意图；l一真空法兰 2—钛管 3—陶瓷管4—过渡环
图2为本实用新型的钛管(2)与陶瓷管(3)的联结结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图所示之最佳实施例作进一歩详述
实施例l:见图l，图2， 一种大容积陶瓷真空室，包括陶瓷管3，在陶瓷管3两端联 结有钛管2，钛管2的端部设有真空法兰1。所述的陶瓷管3为3段，陶瓷管3之间采用 过渡环4相连接。所述的钛管2与陶瓷管3的联结处，钛管2的端部为直角翻边，其翻 边平面与陶瓷管3的端面相联。
生产时，采用一次成型的真空钎焊将钛管2、陶瓷管3和过渡环4焊为一体，即一 次性完成六对结合面的焊接，其中两对为钛管2和陶瓷管3焊接、四对为陶瓷管3和过 渡环4焊接，最后将两真空法兰1用氩弧焊分别焊接在上述整体钎焊件两端，成为一体。
使用时，将真空法兰1连接于真空系统，这样大容积陶瓷真空室内部为真空状态、 外部为大气状态，可以满足真空的使用要求；当陶瓷真空室外部加有高频交流电场或交 变磁场时，陶瓷不会产生电涡流，可以满足高频交流电场或交变磁场下的使用要求。
权利要求1.一种大容积陶瓷真空室，包括陶瓷管(3)，其特征在于陶瓷管(3)两端联结有钛管(2)，钛管(2)的端部设有真空法兰(1)。
2. 如权利要求1所述的大容积陶瓷真空室，其特征在于所述的陶瓷管(3)为2—4 段，陶瓷管(3)之间采用过渡环(4)相连接。
3. 如权利要求1或2所述的大容积陶瓷真空室，其特征在于所述的钛管(2)与陶瓷 管(3)的联结处，钛管(2)的端部为直角翻边，其翻边平面与陶瓷管(3)的端面 相联。
专利摘要本实用新型主要涉及电真空领域，尤其涉及在高频交流电场或交变磁场下可以使用的一种大容积超高真空容器。包括陶瓷管(3)，其主要特点是陶瓷管(3)两端联结有钛管(2)，钛管(2)的端部设有真空法兰(1)。陶瓷管(3)可采用大口径。陶瓷管(3)为2-4段，陶瓷管(3)之间采用过渡环(4)相连接。钛管(2)与陶瓷管(3)的联结处，钛管(2)的端部为直角翻边，其翻边平面与陶瓷管(3)的端面相联。所述的大容积陶瓷真空室真空度好于1×10<sup>-7</sup>Pa，直径近300毫米，长度大于1100毫米，容积70升。
文档编号C22F3/00GK201162032SQ20082002871
公开日2008年12月10日 申请日期2008年3月26日 优先权日2008年3月26日
发明者源 何, 张军辉, 张小奇, 胡振军, 赵玉刚, 马力祯 申请人:中国科学院近代物理研究所