专利名称：基片镀膜处理系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种镀膜处理系统，尤其涉及一种对有机发光显示器件中基片进行镀 膜处理的基片镀膜处理系统。
背景技术：
OLED (英文全称为0rganic Light-Emitting Diode，中文名称为有机发光二极 管)由于具备轻薄、省电等特性，因此在数码产品的显示屏上得到了广泛应用，并且具有较 大的市场潜力，目前世界上对OLED的应用都聚焦在平板显示器上，因为OLED是唯一在应用 上能和TFT-LCD相提并论的技术，且是目前所有显示技术中，唯一可制作大尺寸、高亮度、 高分辨率软屏的显示技术，可以做成和纸张一样的厚度。因此，OLED的显示技术是将来的 显示技术的发展方向。其中，在OLED器件的生产过程中，对基片进行镀膜是制造OLED器件必不可少的 工序之一，这道工序的好与坏关系到基片镀膜的镀膜质量和基片寿命，从而影响到OLED器 件的质量和寿命，因此，选择好的基片镀膜工序是提高OLED器件质量和寿命的重要因素之一。目前，现有的对OLED器件的基片进行镀膜操作的基片镀膜设备要么只能对基片 进行有机蒸镀，要么只能进行无机蒸镀，不能有效地将有机蒸镀和无机蒸镀结合起来以实 现OLED器件的基片的有机蒸镀和无机蒸镀过程；同时，现有的基片镀膜设备不能对镀膜中 的基片的厚度进行实时的检测，故不能实时监控基片的镀膜厚度，从而影响到基片镀膜厚 度的均勻性。因此，急需一种既能集有机蒸镀和无机蒸镀于一体以提高基片镀膜的连贯性，又 能实时监控基片镀膜厚度以保证基片镀膜厚度均勻性的基片镀膜处理系统。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基片镀膜处理系统，该基片镀膜处理系统一方面能集 有机蒸镀和无机蒸镀于一体以提高基片镀膜的连贯性；另一方面能实时监控基片镀膜厚度 以保证基片镀膜厚度的均勻性。为实现上述目的，本发明的技术方案为提供一种基片镀膜处理系统，包括腔体、 加热装置、间阀组件、基片传动装置、抽真空装置、膜厚检测仪、蒸发源及控制器。所述腔体 依次包括相互连通的且呈中空结构的初始加热腔、有机镀膜腔、无机镀膜腔及降温腔，所述 初始加热腔连接有进料腔，所述降温腔连接有出料腔，所述进料腔、初始加热腔、有机镀膜 腔、无机镀膜腔、降温腔及出料腔形成基片输送通道；所述加热装置分别设置于所述初始加 热腔、有机镀膜腔及无机镀膜腔上；所述间阀组件包括若干间阀，所述间阀密封所述初始加 热腔、有机镀膜腔、无机镀膜腔及降温腔；所述基片传动装置设置于所述基片输送通道上； 所述抽真空装置连通所述初始加热腔和降温腔；所述膜厚检测仪分别设置于所述有机镀膜 腔和无机镀膜腔上；所述蒸发源分别设置于所述有机镀膜腔和无机镀膜腔内并位于所述基片输送通道下方；所述控制器控制所述加热装置、间阀、基片传动装置、抽真空装置、膜厚检 测仪和蒸发源。较佳地，所述基片镀膜处理系统还包括挡板装置，所述挡板装置包括挡板及驱动 所述挡板运动的挡板驱动器，所述挡板分别设置于所述有机镀膜腔和无机镀膜腔内并位于 所述蒸发源的上方。通过上述的挡板，在基片需要镀膜时打开，使得蒸发源能对基片进行蒸 镀，在基片不需要镀膜时进行关闭，从而使得基片的镀膜厚度更加均勻。较佳地，所述蒸发源为温度可控式蒸发源，所述温度可控式蒸发源包括线性蒸发 源和点蒸发源，所述线性蒸发源设置于所述有机镀膜腔内，所述点蒸发源设置于所述无机 镀膜腔内。通过上述的线性蒸发源对基片进行有机的蒸镀、点蒸发源对基片进行无机的蒸 镀，使得基片的镀膜的质量更高。较佳地，所述抽真空装置还连通所述有机镀膜腔和无机镀膜腔，使得有机镀膜腔 和无机镀膜腔的真空环境的形成更易。较佳地，所述抽真空装置为冷泵，能为初始加热腔、有机镀膜腔、无机镀膜腔和降 温腔提供极高的真空环境，从而为提高基片的镀膜质量提供极其优越的条件。较佳地，所述基片传动装置为速度可调式基片传动装置，所述速度可调式基片传 动装置包括设置于所述基片输送通道上的传动轮组及驱动所述传动轮组旋转的基片驱动 器。通过上述的基片传动装置为速度可调式基片传动装置，对基片的传输速度进行调节，并 配合膜厚检测仪，从而更好的监控基片的蒸镀厚度。通过由传动轮组及基片驱动器组成的 基片传动装置，使得基片传动装置的结构更简单。较佳地，所述加热装置位于所述基片输送通道的上方，能为初始加热腔、有机镀膜 腔及无机镀膜腔提供恒温的工作环境，从而为提高基片镀膜质量提供极其优异的条件。与现有技术相比，由于本发明的腔体是由连通且呈中空的初始加热腔、有机镀膜 腔、无机镀膜腔及降温腔组成的，故使得本发明的基片镀膜处理系统能集基片的有机蒸镀 和无机蒸镀于一体以提高基片镀膜的连贯性；同时，由于本发明的膜厚检测仪设置于有机 镀膜腔和无机镀膜腔内，故使得本发明的基片镀膜处理系统能对基片的有机蒸镀和无机蒸 镀进行实时监控，从而确保基片镀膜厚度的均勻性。
图1是本发明基片镀膜处理系统的结构示意图。
具体实施例方式为了详细说明本发明的技术内容、构造特征，以下结合实施方式并配合附图作进一步说明。请参阅图1，本发明基片镀膜处理系统1包括腔体、加热装置12、闸阀组件、基片传 动装置、抽真空装置14、膜厚检测仪15、蒸发源及控制器。所述腔体依次包括相互连通的且 呈中空结构的初始加热腔111、有机镀膜腔112、无机镀膜腔113及降温腔114，所述初始加 热腔111连接有进料腔115，所述降温腔114连接有出料腔116，所述进料腔115、初始加热 腔111、有机镀膜腔112、无机镀膜腔113、降温腔114及出料腔116形成基片输送通道(图 中未标注)；所述加热装置12分别设置于所述初始加热腔111、有机镀膜腔112及无机镀膜腔113上，具体地，该加热装置12位于基片输送通道的上方，从而为初始加热腔111、有机镀 膜腔112及无机镀膜腔113提供恒温的工作环境；所述间阀组件包括若干间阀131，所述闸 阀131密封所述初始加热腔111、有机镀膜腔112、无机镀膜腔113及降温腔114 ；所述基片 传动装置设置于所述基片输送通道上；所述抽真空装置14连通所述初始加热腔111和降温 腔114 ；所述膜厚检测仪15分别设置于所述有机镀膜腔112和无机镀膜腔113上；所述蒸 发源分别设置于所述有机镀膜腔112和无机镀膜腔113内并位于所述基片输送通道下方， 具体地，该蒸发源为温度可控式蒸发源以控制蒸发的温度，该温度可控式蒸发源包括线性 蒸发源16a和点蒸发源16b，该线性蒸发源16a设置于有机镀膜腔112内，而点蒸发源16b 设置于无机镀膜腔113内以满足基片2的有机和无机镀膜要求。同时，上述的控制器控制 加热装置12、闸阀、基片传动装置、抽真空装置14、膜厚检测仪15、线性蒸发源16a和点蒸发 源16b。其中，为了使基片2的镀膜厚度更加均勻，故本发明的基片镀膜处理系统1还包括 挡板装置，该挡板装置包括挡板171及驱动所述挡板171运动的挡板驱动器(图中未示)， 所述挡板171分别设置于所述有机镀膜腔112和无机镀膜腔113内并位于所述蒸发源的上 方，具体地，设置于有机镀膜腔112内的挡板171是滑动工作的，挡板驱动器通过驱动挡板 171沿图1中双箭头所示的方向往复移动以达到开启有机镀膜腔112内的线性蒸发源16a 以实现线性蒸发源16a对基片传动装置输送的基片2的有机蒸镀，或者挡阻有机镀膜腔112 内的线性蒸发源16a以停止线性蒸发源16a对基片传动装置输送的基片2的有机蒸镀；而 设置于无机镀膜腔113内的挡板171是旋转工作的，挡板驱动器通过驱动挡板171沿图1中 旋转箭头所指的方向旋转去开启无机镀膜腔113内的点蒸发源16b以实现点蒸发源16b对 基片传动装置输送的基片2的无机蒸镀，或者挡阻无机镀膜腔113内的点蒸发源16b对基 片传动装置输送的基片2的无机蒸镀，当然，挡板171在有机镀膜腔112和无机镀膜腔113 内的工作方式也可以是相同的(即滑动的工作方式或者旋转的工作方式，在此不对其进行 限制)，而对于挡板驱动器如何驱动挡板171滑动或者旋转工作是本领域普通技术人员所 熟知，故在此不再详述。其中，通过上述的线性蒸发源16a对基片2进行有机蒸镀、点蒸发 源16b对基片2进行无机蒸镀，使得基片2的镀膜质量更高。更具体地，如下较优者，所述抽真空装置14还连通上述提到的有机镀膜腔112和无机镀膜腔113， 使得有机镀膜腔112和无机镀膜腔113的真空环境的形成更易；而上述提到的抽真空装置 具体地选择为冷泵，这样选择的目的在于其能为初始加热腔111、有机镀膜腔112、无机镀 膜腔113和降温腔114提供极其优越的真空环境。同时，上述提到的基片传动装置为速度可调式基片传动装置，该速度可调式基片 传动装置包括设置于上述提到的基片输送通道上的传动轮组181及驱动所述传动轮组181 旋转的基片驱动器(图中未示)，而该基片驱动器如何驱动传动轮组181旋转的是本领域 普通技术人员所熟知，故在此不再对其进行详细的说明。其中，通过上述的基片传动装置为 速度可调式基片传动装置，对基片2的传输速度进行调节，并配合膜厚检测仪15，从而更好 的监控基片2的蒸镀厚度的均勻性。通过由传动轮组181及基片驱动器组成的基片传动装 置，使得基片传动装置的结构更简单。结合图1，对本发明的基片镀膜处理系统1的工作原理作详细的说明工作时，基 片2置于进料腔115内并承载于基片传动装置的传动轮组181上时，控制器控制基片传动 装置的基片驱动器作动，作动的基片驱动器驱使传动轮组181旋转，旋转的传动轮组181把基片2往初始加热腔111处输送，当到达初始加热腔111与进料腔115之间的闸阀131时， 控制器控制该闸阀131开启，此时通过初始加热腔111处的进气阀19使初始加热腔111处 于大气状态，当基片2完全进入初始加热腔111后，控制器控制初始加热腔111与进料腔 115之间的闸阀131关闭，同时还控制冷泵开启，使初始加热腔111达到高真空状态，并且 控制器还控制加热装置12开始加热，在较短的时间内达到要求的加热温度。当基片2温度 达到要求，并使初始加热腔111的真空度与有机镀膜腔112的真空度一致后，控制器控制初 始加热腔111的真空度与有机镀膜腔112之间的闸阀131打开，基片2便被基片传动装置 输送至有机镀膜腔112内，当基片2完全地进入有机镀膜腔112后，控制器控制初始加热腔 111的真空度与有机镀膜腔112之间的闸阀2关闭。此时，控制器还控制有机镀膜腔112 内的线性蒸发发源16a以一定的速率蒸发有机材料，由于有机镀膜腔112 —直处于高真空 状态，故在控制器控制挡板装置的挡板驱动器滑动的打开挡板171后，当基片2以一定的速 率通过线性蒸发源16a的上方时就会均勻的附着一层有机材料，且该线性蒸发源16a的温 度可调，速率由膜厚检测仪15读出并可调，且基片2运动的速率也可调，这样就可以控制基 片2镀膜的厚度。在蒸镀的整个过程中，加热装置12 —直保持恒定的温度，从而为整个蒸 发提供前提条件，保证基片2在恒定的温度下进行蒸镀，以保证工艺要求与蒸镀质量。当基 片2被输送出有机镀膜腔112的镀膜区域后，挡板171被挡板驱动器驱动去阻挡线性蒸发 源16a与基片2连通，同时，控制器控制有机镀膜腔112和无机镀膜腔113之间的闸阀131 打开，当基片2完全进入无机镀膜腔113之前，控制器通过控制冷泵去保证无机镀膜腔113 内和有机镀膜腔112内具有相同的真空度。当基片2进入无机镀膜腔113后，控制器控制 有机镀膜腔112和无机镀膜腔113之间的闸阀131关闭，并控制挡板装置的挡板驱动器以 旋转的方式打开挡板171，且控制器再控制点蒸发源16b的电子枪开始工作，工作的点蒸发 源16b开始蒸镀。重复与有机镀膜腔112同样的动作，从而达到基片2无机蒸镀目的。当 基片2在无机镀膜腔113内蒸镀完成后，控制器控制无机镀膜腔113和降温腔114之间的 闸阀131打开之前，控制器控制冷泵去确保无机镀膜腔113与降温腔114具有相同的真空 度。无机镀膜腔113和降温腔114之间的闸阀131打开后，控制器通过基片传动装置把基 片2由无机镀膜腔113传输到降温腔114内，然后再由控制器控制无机镀膜腔113和降温腔 114之间的闸阀131关闭。当基片2进入降温腔114后，由于控制器通过控制冷泵使降温腔 114处于高真空状态，为了保证降温效果，并形成稳定的降温曲线，控制器必须控制进入降 温腔114的气体量与进气时间，在一定的压力状态下保持一定的时间后，再通过降温腔114 处的进气阀19充入大量气体，直到达到大气状态。当降温腔114与大气压力一致时，控制 器控制降温腔114与出料腔116之间的闸阀131开启，并通过控制基片传动装置把降温腔 114内的镀完膜的基片2输送至出料腔116，从而完成一个工作循环过程。本发明的腔体是由连通且呈中空的初始加热腔111、有机镀膜腔112、无机镀膜腔 113及降温腔114组成的，故使得本发明基片镀膜处理系统1能集基片2的有机蒸镀和无要 蒸镀于一体以提高基片2镀膜的连贯性；同时，由于本发明的膜厚检测仪15设置于有机镀 膜腔112和无机镀膜腔113内，故使得本发明基片镀膜处理系统1能对基片2的有机蒸镀 和无机蒸镀进行实时监控，从而确保基片2镀膜厚度的均勻性。以上所揭露的仅为本发明的较佳实例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范 围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于本发明所涵盖的范围。
权利要求
1.一种基片镀膜处理系统，其特征在于，包括腔体，所述腔体依次包括相互连通的且呈中空结构的初始加热腔、有机镀膜腔、无机镀 膜腔及降温腔，所述初始加热腔连接有进料腔，所述降温腔连接有出料腔，所述进料腔、初 始加热腔、有机镀膜腔、无机镀膜腔、降温腔及出料腔形成基片输送通道；加热装置，所述加热装置分别设置于所述初始加热腔、有机镀膜腔及无机镀膜腔上；闸阀组件，所述间阀组件包括若干间阀，所述间阀密封所述初始加热腔、有机镀膜腔、 无机镀膜腔及降温腔；基片传动装置，所述基片传动装置设置于所述基片输送通道上；抽真空装置，所述抽真空装置连通所述初始加热腔和降温腔；膜厚检测仪，所述膜厚检测仪分别设置于所述有机镀膜腔和无机镀膜腔上；蒸发源，所述蒸发源分别设置于所述有机镀膜腔和无机镀膜腔内并位于所述基片输送 通道下方；以及控制器，所述控制器控制所述加热装置、间阀、基片传动装置、抽真空装置、膜厚检测仪 和蒸发源。
2.根据权利要求1所述的基片镀膜处理系统，其特征在于，所述基片镀膜处理系统还 包括挡板装置，所述挡板装置包括挡板及驱动所述挡板运动的挡板驱动器，所述挡板分别 设置于所述有机镀膜腔和无机镀膜腔内并位于所述蒸发源的上方。
3.根据权利要求1或2所述的基片镀膜处理系统，其特征在于，所述蒸发源为温度可控 式蒸发源，所述温度可控式蒸发源包括线性蒸发源和点蒸发源，所述线性蒸发源设置于所 述有机镀膜腔内，所述点蒸发源设置于所述无机镀膜腔内。
4.根据权利要求1所述的基片镀膜处理系统，其特征在于，所述抽真空装置还连通所 述有机镀膜腔和无机镀膜腔。
5.根据权利要求1或4所述的基片镀膜处理系统，其特征在于，所述抽真空装置为冷泵。
6.根据权利要求1所述的基片镀膜处理系统，其特征在于，所述基片传动装置为速度 可调式基片传动装置，所述速度可调式基片传动装置包括设置于所述基片输送通道上的传 动轮组及驱动所述传动轮组旋转的基片驱动器。
7.根据权利要求1所述的基片镀膜处理系统，其特征在于，所述加热装置位于所述基 片输送通道的上方。
全文摘要
本发明提供了一种基片镀膜处理系统，包括腔体、加热装置、闸阀组件、基片传动装置、抽真空装置、膜厚检测仪、蒸发源及控制器。腔体依次包括连通并形成基片输送通道的进料腔、初始加热腔、有机镀膜腔、无机镀膜腔、降温腔及出料腔；加热装置分别设于初始加热腔、有机镀膜腔及无机镀膜腔上；闸阀组件包括密封初始加热腔、有机镀膜腔、无机镀膜腔及降温腔的若干闸阀；基片传动装置分别设于基片输送通道上；抽真空装置连通初始加热腔和降温腔；膜厚检测仪和蒸发源均设于有机镀膜腔和无机镀膜腔上；控制器控制加热装置、闸阀、基片传动装置、抽真空装置、膜厚检测仪和蒸发源。本发明能集有机和无机蒸镀于一体，且能确保基片镀膜均匀性。
文档编号C23C14/24GK102051581SQ201010613928
公开日2011年5月11日 申请日期2010年12月30日 优先权日2010年12月30日
发明者刘惠森, 杨明生, 王勇, 王曼媛, 范继良 申请人:东莞宏威数码机械有限公司