专利名称：一种预防在热处理时硅消耗的方法
技术领域：
本发明一般涉及集成电路制造技术领域，更确切地说，本发明涉及一种预防在热处理时硅消耗的方法。
背景技术：
化学汽相沉积(Chemical Vapor D印osition，CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术之一，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。化学汽相沉积技术常常通过反应类型或者压力来分类，其中次常压化学汽相沉积 (Sub-Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition, SACVD)在进行化学反应时， 反应腔中的压力往往达到200托，甚至600托以上。在由次常压化学汽相沉积方法淀积的 SiO2由于其薄膜相对于由高密度等离子体化学气相淀积(High-Dentisty Plasma Chemical Vapor Deposition, HDP CVD)方法淀积的SiO2薄膜较为疏松，通常需要在淀积之后进行一个热处理使之致密化，尤其是当该薄膜应用于65nm以下的浅沟槽隔离工艺(Shallow Trench Isolation，STI)中。在致密化的过程中，薄膜中游离的氧会同基体的硅反应而有所消耗，最终导致硅基体尺寸的减小而影响半导体器件的电学性能。
发明内容
针对上述存在的问题，本发明的目的在于提供一种预防在热处理时硅消耗的方法，可以消除在对由次常压化学汽相沉积方法制备的S^2进行热处理时的硅基体的损耗， 具体是通过下述技术方案实现的
一种预防在热处理时硅消耗的方法，其中，包括 在硅片基体上淀积一层具有一定厚度的富含硅的薄膜； 采用沉积的方法在富含硅的薄膜上淀积S^2薄膜； 进行热处理，使SW2薄膜致密化。上述预防在热处理时硅消耗的方法，其中，所述富含硅的薄膜是富硅二氧化硅层。上述预防在热处理时硅消耗的方法，其中，所述沉积方法为次常压化学汽相沉积法。本领域的技术人员阅读以下较佳实施例的详细说明，并参照附图之后，本发明的这些和其他方面的优势无疑将显而易见。
参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例，然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。图1是本发明预防在热处理时硅消耗的方法的最佳实施例的流程示意框图； 图2A 图2C是本发明预防在热处理时硅消耗的方法的流程结构示意图。
具体实施例方式请参看图1所示，本发明预防在热处理时硅消耗的方法的最佳实施例主要是通过下列步骤实现的在硅片基体0上淀积一层具有一定厚度的富含硅的二氧化硅薄膜1，如图 2A所示，则采用次常压化学汽相沉积法沉积的SiO2薄膜在其后续的热处理时，游离氧所需的Si元素可以从富含硅的二氧化硅薄膜1中获得，基体1中的硅不会被消耗，因此其关键尺寸也不会有所变化，从而对半导体器件的性能不会有影响；采用次常压化学汽相沉积的方法在富含硅的二氧化硅薄膜1上淀积SiO2薄膜2，如图2B所示；进行热处理，使SW2薄膜致密化，于是在富含硅的二氧化硅薄膜1上淀积的SiO2薄膜2便不太明显了，如图2C所
示ο本发明预防在热处理时硅消耗的方法实施工艺简单，有效减少了在次常压化学汽相沉积法沉积SiA薄膜过程中基体硅的损耗。通过说明和附图，给出了具体实施方式
的特定结构的典型实施例，因此，尽管上述发明提出了现有的较佳实施例，然而，这些内容并不作为局限。对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正，在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本发明的意图和范围内。
权利要求
1.一种预防在热处理时硅消耗的方法，其特征在于，包括 在硅片基体上淀积一层具有一定厚度的富含硅的薄膜； 采用沉积的方法在富含硅的薄膜上淀积SiA薄膜； 进行热处理，使SW2薄膜致密化。
2.根据权利要求1所述的预防在热处理时硅消耗的方法，其特征在于，所述富含硅的薄膜是富硅二氧化硅层。
3.根据权利要求1所述的预防在热处理时硅消耗的方法，其特征在于，所述沉积方法为次常压化学汽相沉积法。
全文摘要
本发明公开了一种预防在热处理时硅消耗的方法，其包括在硅片基体上淀积一层具有一定厚度的富含硅的薄膜；采用次常压化学汽相沉积的方法在富含硅的薄膜上淀积SiO2薄膜；进行热处理，使SiO2薄膜致密化。所述富含硅的薄膜是富硅二氧化硅层。本发明可以消除在对由次常压化学汽相沉积方法制备的SiO2进行热处理时的硅基体的损耗。
文档编号C23C16/56GK102412118SQ201110123699
公开日2012年4月11日 申请日期2011年5月13日 优先权日2011年5月13日
发明者张文广, 徐强, 郑春生, 陈玉文 申请人:上海华力微电子有限公司