专利名称：一种新型大面积沉积非晶硅的反应盒的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及非晶硅太阳能电池沉积设备部件，尤其涉及一种新型大面积沉积非晶硅的反应盒。
背景技术：
非晶硅太阳能薄膜电池的生产技术已经越来越成熟，各种非晶硅的太阳能产品遍布全球。其中，采用等离子体增强化学气相沉积法生产非晶硅太阳能薄膜电池的工艺也被多个厂家采用。但采用这种工艺来生产的非晶硅太阳能薄膜电池，其技术难度之一在于沉积的非晶硅层厚度不够均勻。原因在于沉积非晶硅时，反应气体的气流分布不均勻。本实用新型的意义在于，提供一种更优良结构的反应盒，能够明显改善反应盒中反应气体在非晶硅沉积空间的气流分布的均勻性，使得沉积出来的非晶硅膜的均勻性得到更好的改善， 提高了非晶硅膜的均勻性，可以提高非晶硅太阳能薄膜电池的电性能，提高其对太阳能的转换效率。
实用新型内容为了达到提高沉积非晶硅膜的均勻性，本实用新型提供一种新型大面积沉积非晶硅的反应盒。该反应盒包括一不锈钢上方通管，所述上方通管横截面呈上、中、下三层空间；所述中间隔层上钻制有若干气流孔；所述上方通管的一端有进气口，所述进气口连接所述上方通管的上层空间；所述上方通管底部中间位置有一不锈钢倒“U”形槽，使得上方通管可以架在中心铝电极板上；所述上方通管的底部，位于所述不锈钢倒“U”形槽两侧各钻制有一排气流孔；一不锈钢下方通管，所述下方通管横截面呈上、下两层空间；所述中间隔层上钻制有若干气流孔；所述下方通管的一端有出气口，所述出气口连接所述下方通管的下层空间；所述下方通管的顶部中间位置有一不锈钢“U”形槽，使得中心铝电极板可以架在下方通管上；所述下方通管的顶部，位于所述不锈钢“U”形槽两侧，各钻制有一排气流孔；所述下方通管底部安装有轮轴；所述下方通管的两侧安装有合页；一中心铝电极板，所述中心铝电极板一端安装有一铜质电极杆；所述中心铝电极板周围套有呈“U”形槽的聚四氟乙烯边条；所述中心铝电极板安装于上方通管与下方通管之间；两块铝质门板，所述铝质门板安装于反应盒两侧，紧贴上、下方通管；所述铝质门板通过合页与所述下方通管连接；两块堵头板，所述堵头板分别安装于反应盒两端，通过螺栓与上、下方通管相连接，使反应盒内部构成两个大面积的沉积空间；根据所述新型大面积沉积非晶硅的反应盒，中心铝电极板连接铜质电极杆作为非晶硅沉积反应盒的射频电源的正极；上方通管、下方通管、两侧门板、两端堵头板互相连接作为非晶硅沉积反应盒的射频电源的负极；所述正极与所述负极之间通过套在中心铝电极板上的“U”形聚四氟乙烯边条保持电气绝缘。根据所述新型大面积沉积非晶硅的反应盒，所述不锈钢为0Crl8M9Ti或 0Crl8NillTi 材质；通过这样的设计，反应盒的中心铝电极板与门板之间相距15 30mm，形成两个长方体形状的反应空间。使用本实用新型的反应盒之前，先将待沉积非晶硅的玻璃衬底安装至两面门板的内侧以及中心铝电极板的两侧，共安装四块。然后将反应盒置于高真空的恒温环境里，将铜质电极杆接射频电源正极，反应盒外壳接射频电源负极。反应时，沉积非晶硅所需要的反应气体从上方通管的进气口流进上方通管的上层空间，然后经过上方通管的第一层隔板上的气流孔减压均压，流入中间层空间，再经过第二层隔板上的气流孔再次均压，流入下层空间，再通过上方通底部的两排气流孔，分别均勻地流入反应盒的两个反应空间。气体经过三层空间的均压之后，能够明显提高方通管底部两排气流孔处的气压均勻性， 流入反应空间的气流可以达到很平缓的效果。在高真空的恒温环境里，在射频的作用下，反应气体在两个反应空间里发生反应。未反应完的气体从下方通管的顶部两排气流孔流入下方通管的上层空间，再从下方通管的中间隔层上的气流孔流入下层空间，然后从下方通管的出气口被抽走。反应过程中，反应气体从反应盒的上方通管均勻地流入反应空间里，在反应空间里的气体密度均勻，沉积出来的非晶硅膜的厚度也就此较均勻，从而提高了非晶硅太阳能薄膜电池的性能，达到本实用新型的目的。
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，
以下结合附图，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。图1为本实用新型提供的新型大面积沉积非晶硅的反应盒的横向截面图；图2为本实用新型提供的新型大面积沉积非晶硅的反应盒的纵向截面图；图3为本实用新型提供的新型大面积沉积非晶硅的反应盒的上方通管的横向截面图；图4为本实用新型提供的新型大面积沉积非晶硅的反应盒的下方通管的横向截面图；图5为本实用新型提供的新型大面积沉积非晶硅的反应盒的中心铝电极板的纵向截面图；具体实施例参照图1和图2，一种新型大面积沉积非晶硅的反应盒1包括；—不锈钢上方通管2，所述上方通管2横截面呈上、中、下三层空间，中间隔层上钻制有若干气流孔；所述上方通管2的一端设有进气口 15，所述进气口 15连接所述上方通管 2的上层空间；所述上方通管1底部中间位置有一不锈钢倒“U”形槽7，使得上方通管可以架在中心铝电极板4上；所述上方通管2的底部，位于不锈钢倒“U”形槽7两侧各钻制有一排气流孔；[0028]一不锈钢下方通管3，所述下方通管横截面呈上、下两层空间，隔层上钻制有若干气流孔；所述下方通管3的一端设有出气口 16，所述出气口 16连接所述下方通管3的下层空间；所述下方通管3的顶部中间位置有一不锈钢“U”形槽7，使得中心铝电极板4可以架在下方通管3上；所述下方通管3的顶部，位于所述不锈钢“『’形槽7两侧，各钻制有一排气流孔；所述下方通管3底部安装有轮轴14，所述轮轴上安装有载重轮13 ；所述下方通管的两侧安装有合页8 ；一中心铝电极板4，所述中心铝电极板4上安装有一铜质电极杆10;所述中心铝电极板4周围套有呈“U”形槽的聚四氟乙烯边条6 ；所述中心铝电极板4安装于上方通管2与下方通管3之间；两块铝质门板5，所述铝质门板5安装于反应盒1两侧，紧贴上方通管2和下方通管3 ；所述铝质门板6通过合页8与所述下方通管3连接；两块堵头板11与12，所述堵头板11与12分别安装于反应盒两端，通过螺栓与上方通管2、下方通管3相连接，使反应盒1内部构成两个大面积的沉积空间；参见图3，所述上方通管2的中间隔层上钻制有气流孔，第一层隔层上的气流孔直径为Cl1，第二层隔层上的气流孔直径为d2，上方通管底部的两排气流孔直径为d3。优选地， 我们选择Cl1 > d2 > d3，使得气流有一个合理的减压、均压过程。参见图4，所述的下方通管3的中间隔层上的气流孔直径为d4，下方通管的顶部两排气流孔的直径为d5，一般地，我们选择d4 = d3，d5 = d2，使得反应气体的进气与出气流量得到平衡。参照图5，所述的中心铝电极板与所述铜质电极杆通过螺栓连接，构成非晶硅沉积反应盒的射频电源的正极。
权利要求1.一种新型大面积沉积非晶硅的反应盒，其特征在于，包括-不锈钢上方通管，所述上方通管横截面呈上、中、下三层空间；-不锈钢下方通管，所述下方通管横截面呈上、下两层空间；-中心铝电极板，所述中心铝电极板的一端安装有一铜质电极杆；两块铝质门板，所述铝质门板安装于反应盒两侧；两块堵头板，所述堵头板分别安装于反应盒两端。
2.根据权利要求2所述的新型大面积沉积非晶硅的反应盒，其特征在于，所述不锈钢上方通管中间的隔层上钻制有若干气流孔。
3.根据权利要求2所述的新型大面积沉积非晶硅的反应盒，其特征在于，所述不锈钢上方通管的一端设有进气口，所述进气口连接所述上方通管的上层空间。
4.根据权利要求2所述的新型大面积沉积非晶硅的反应盒，其特征在于，所述不锈钢上方通管的底部，位于不锈钢倒“U”形槽两侧各钻制有一排气流孔。
5.根据权利要求3所述的新型大面积沉积非晶硅的反应盒，其特征在于，所述不锈钢下方通管中间的隔层上钻制有若干气流孔。
6.根据权利要求3所述的新型大面积沉积非晶硅的反应盒，其特征在于，所述不锈钢下方通管的一端有出气口，所述出气口连接所述下方通管的下层空间。
7.根据权利要求3所述的新型大面积沉积非晶硅的反应盒，其特征在于，所述不锈钢下方通管的顶部，位于所述不锈钢“U”形槽两侧，各钻制有一排气流孔。
8.根据权利要求3所述的新型大面积沉积非晶硅的反应盒，其特征在于，所述不锈钢下方通管底部安装有轮轴；所述下方通管的两侧安装有合页。
9.根据权利要求4所述的新型大面积沉积非晶硅的反应盒，其特征在于，所述中心铝电极板周围套有呈“U”形槽的聚四氟乙烯边条。
专利摘要本实用新型公开一种新型大面积沉积非晶硅的反应盒，该反应盒包括一不锈钢上导气管，一不锈钢下导气管，一中心铝电极板，两块铝质门板，两块不锈钢堵头板，多条呈“U”形槽的聚四氟乙烯边条。所述不锈钢上导气管为其横截面呈上、中、下三隔层的方通管，方通管中间隔层以及方通底部分别钻制有气流孔；下导气管为其横截面呈上、下两层的方通管，方通管中间隔层以及方通管顶部分别钻制有气流孔；所述上导气管的一端设有一进气口；所述下导气管的一端设有一出气口；所述中心铝电极板周围装有呈“U”形槽的聚四氟乙烯边条；所述铝质门板安装于反应盒两侧。这样设计的反应盒，可以有效提高反应气体流进反应空间的气流的均匀性，从而使得沉积的非晶硅膜厚度的均匀性得到很好的改善。
文档编号C23C16/455GK202090054SQ20112007351
公开日2011年12月28日 申请日期2011年3月18日 优先权日2011年3月18日
发明者周庆明 申请人:深圳市庆丰光电科技有限公司