专利名称：一种板式pecvd镀膜载板的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种硅片载板，主要涉及一种在镀膜工程中可以改善边缘色差的硅片载板。
背景技术：
板式PECVD采用上镀膜方式时，采用如图I所示的载板，在载板边沿容易使氮化硅堆积，导致边沿色差；尤其是在设备维护后的运行周期末期，边沿色差较为严重。
发明内容
发明目的针对上述现有技术存在的问题和不足，本实用型新提供一种板式PECVD镀膜载板，可以有效改善边沿色差的问题。 技术方案为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案一种板式PECVD镀膜载板，包括载板本体2和凹槽1，所述凹槽I的内壁呈下坡斜面3。为了使边沿色差改善的效果达到最好，下坡斜面的高度最好为8mnTl5mm，下坡斜面与水平面的倾角优选45° -65°。有益效果本发明与现有技术相比，可以避免氮化硅的堆积对等离子场淀积到硅片表面的影响，有效地改善在镀膜过程中边沿色差的问题。
图I为现有技术板式PECVD镀膜载板的俯视图；图2为图I的主视图；图3为本发明板式PECVD镀膜载板的俯视图；图4为图3的主视图；图5为I旲厚测量不意图；图6为现有技术和本发明膜厚测量点差值比较图；图中，I、凹槽，2、载板本体，3、下坡斜面。
具体实施例方式下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。如图3和图4所示，本实用型新板式PECVD镀膜载板与现有技术的区别在于在载板本体2上的凹槽I内壁为下坡斜面3。下坡斜面3的高度最好为8mnTl5mm，下坡斜面3与水平面的倾角优选45° -65°，这样可以使改善边沿色差的效果达到最好。图5为膜厚测试示意图，在硅片上随意选择四个点做膜厚测试。图6为现有技术和本发明膜厚测量点差值比较图，▽为四个膜厚测量点间的差值，差值越小，说明均匀性越好，镀膜效果越佳，由图可见本发明的差值小于现有技术的差值。
在凹槽的中心位置还可以设置一个凹槽或者通孔，这样有助于硅片的镀膜效率更
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权利要求
1.一种板式PECVD镀膜载板，包括载板本体和凹槽，其特征在于凹槽的内壁呈下坡斜面。
2.根据权利要求I所述的ー种板式PECVD镀膜载板，其特征在于所述下坡斜面的倾斜高度为8mm-15mm。
3.根据权利要求I所述的ー种板式PECVD镀膜载板，其特征在于所述下坡斜面与水平面之间的倾斜角度为45° -65°。
全文摘要
本发明公开了一种板式PECVD镀膜载板，包括载板本体和凹槽，所述凹槽的内壁呈下坡斜面，下坡斜面的高度为8mm~15mm，斜面与水平面的倾角为45°-65°。与现有技术相比，本发明可以避免氮化硅的堆积对等离子场淀积到硅片表面的影响，改善硅片在镀膜过程中的边沿色差问题。
文档编号C23C16/458GK102703883SQ20121016538
公开日2012年10月3日 申请日期2012年5月25日 优先权日2012年5月25日
发明者姚骞, 杨怀进, 林大成, 王虎, 黄勇 申请人:奥特斯维能源(太仓)有限公司