专利名称：一种新型卷绕式磁控溅射镀膜机的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种新型卷绕式镀膜机，该卷绕式镀膜机可用于在柔性材料上镀制金属或化合物，例如ITO透明导电膜等。
背景技术：
随着科技的进步和市场的需求，在柔性材料上镀制各种材料快速发展，相应的镀膜机也发展迅速，卷绕式镀膜机，是一种可以在柔性材料上镀膜的机器设备，而以磁控溅射为原理的卷绕式镀膜机，前景更是广阔，磁控溅射的主要原材料为靶材，只要是能够制造成靶材的金属或者化合物都可以用磁控溅射的原理镀制成膜。ITO导电膜是一种N型半导体薄膜，可广泛应用在平面显示领域的制造中，ITO导电膜生产，主要以磁控溅射为主，In2O3和SnO2以一定比例掺杂制成的陶瓷靶就可用在磁控溅射镀膜机当中。 发明内容为了克服上述缺陷，本实用新型的目的提供一种可以在柔性材料上镀制ITO薄膜的磁控溅射卷绕式镀膜机。为了达到上述目的，本实用新型采用如下技术方案一种新型卷绕式磁控溅射镀膜机，它包括放卷腔室、放卷辊轴、红外加热器、镀膜鼓、预处理装置、工艺腔室、真空锁、收卷辊轴、水气含量探测器、在线方阻测量装置、在线监测薄膜光学特征仪器、收卷腔室、导向辊轴I、导向辊轴II、第一镀膜腔室、第二镀膜腔室、第三镀膜腔室、第四镀膜腔室、第五镀膜腔室和第六镀膜腔室，放卷腔室、工艺腔室、收卷腔室相互连通，真空锁在工艺腔室、收卷腔室之间，导向辊轴I、导向辊轴II与镀膜鼓保持水平位置。第一镀膜腔室、第二镀膜腔室、第三镀膜腔室、第四镀膜腔室、第五镀膜腔室和第六镀膜腔室是被隔离开的6个镀膜腔室。本实用新型的有益效果本实用新型的红外加热器主要作用是去除薄膜中所含的水气，防止水气过多对镀膜产品造成不良，温度在(0_300)°C之间可调。导向辊轴和导向辊轴与镀膜鼓水平，在导向辊轴和导向辊轴的作用下薄膜紧紧贴在镀膜表面，镀膜鼓的表面温度可以在_15°C到室温之间调节，调整到零下温度可以带走镀膜时产生的多余热量，防止膜片起皱。在正式镀膜工艺前要对膜片进行等离子体预处理，一般充入氩气和氧气，氩气被电离成等离子体轰击薄膜表面去除一些杂质元素，氧气与被轰击出薄膜表面的元素反应，生成氧化物被真空泵吸走。
图I为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
[0010]为了详细叙述本实用新型专利的特点，优势和工作原理，下面结合说明书附图和具体实施方式
对本实用新型做进一步的说明，但本实用新型所保护的范围并不局限于此。一种新型卷绕式磁控溅射镀膜机，它包括放卷腔室I、放卷辊轴2、红外加热器3、镀膜鼓4、预处理装置5、工艺腔室6、真空锁7、收卷辊轴8、水气含量探测器9、在线方阻测量装置10、在线监测薄膜光学特征仪器11、收卷腔室12、导向辊轴I 13、导向辊轴II 14、第一镀膜腔室15、第二镀膜腔室16、第三镀膜腔室17、第四镀膜腔室18、第五镀膜腔室19和第六镀膜腔室20，放卷腔室I、工艺腔室6、收卷腔室12相互连通，真空锁7在工艺腔室6、收卷腔室12之间，导向辊轴I 13、导向辊轴II 14与镀膜鼓4保持水平位置。第一镀膜腔室15、第二镀膜腔室16、第三镀膜腔室17、第四镀膜腔室18、第五镀膜 腔室19和第六镀膜腔室20是被隔离开的6个镀膜腔室。
权利要求1.一种新型卷绕式磁控溅射镀膜机，它包括放卷腔室(I)、放卷辊轴(2)、红外加热器(3 )、镀膜鼓(4)、预处理装置(5 )、工艺腔室(6 )、真空锁(7 )、收卷辊轴(8 )、水气含量探测器(9)、在线方阻测量装置(10)、在线监测薄膜光学特征仪器(11)、收卷腔室(12)、导向辊轴I (13)、导向辊轴II (14)、第一镀膜腔室(15)、第二镀膜腔室(16)、第三镀膜腔室(17)、第四镀膜腔室(18)、第五镀膜腔室(19)和第六镀膜腔室(20)，其特征在于放卷腔室(I)、工艺腔室(6 )、收卷腔室(12 )相互连通，真空锁(7 )在工艺腔室(6 )、收卷腔室(12 )之间，导向辊轴I (13)、导向辊轴II (14)与镀膜鼓(4)保持水平位置。
2.根据权利要求I所述的新型卷绕式磁控溅射镀膜机，其特征在于第一镀膜腔室(15)、第二镀膜腔室(16)、第三镀膜腔室(17)、第四镀膜腔室(18)、第五镀膜腔室(19)和第六镀膜腔室(20)是被隔离开的6个镀膜腔室。
专利摘要本实用新型涉及一种新型卷绕式镀膜机，该卷绕式镀膜机可用于在柔性材料上镀制金属或化合物，例如ITO透明导电膜等。它包括放卷腔室、放卷辊轴、红外加热器、镀膜鼓、预处理装置、工艺腔室、真空锁、收卷辊轴、水气含量探测器、在线方阻测量装置、在线监测薄膜光学特征仪器、收卷腔室、导向辊轴、导向辊轴、镀膜腔室、镀膜腔室、镀膜腔室、镀膜腔室、镀膜腔室和镀膜腔室，放卷腔室、工艺腔室、收卷腔室相互连通，真空锁在工艺腔室、收卷腔室之间，导向辊轴、导向辊轴与镀膜鼓保持水平位置。
文档编号C23C14/35GK202595262SQ20122021341
公开日2012年12月12日 申请日期2012年5月14日 优先权日2012年5月14日
发明者郝怀庆, 蔡荣军, 于甄, 吕敬波 申请人:南昌欧菲光科技有限公司