光cvd膜的制造方法及光cvd膜的制造装置制造方法
【专利摘要】本发明提供一种容易进一步提高膜厚的均匀性的光CVD膜的制造方法和制造装置。在光CVD膜的制造方法中，包括：工序(a)，向形成光CVD膜的反应室导入光CVD膜的原料气体，使反应室达到规定压力；工序(b)，在工序(a)之后，停止原料气体向反应室的导入以及原料气体从反应室的排气，向反应室照射光；以及工序(c)，在工序(b)之后，停止照射，然后对反应室进行排气，将工序(a)～工序(c)反复多次。
【专利说明】光CVD膜的制造方法及光CVD膜的制造装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及光CVD膜的制造方法及光CVD膜的制造装置。
【背景技术】
[0002]有机电致发光(以下记为有机EL)元件具有低功耗、自发光、高速响应等很多优点，正在开发面向平板显示器(FPD)、照明设备的应用。另外，通过使用树脂基板(包含树脂薄膜)等柔性基板，产生了弯曲、轻、不易断裂等新的附加价值，也正在研究有机EL元件向柔性设备的应用。
[0003]由于有机EL元件与水分、氧接触时引起发光效率降低、寿命劣化，所以需要从制造过程起就排除水分、氧。另一方面，在树脂基板等柔性基板中，需要抑制伴随水分吸收所引起的尺寸变动。根据以上的理由，有机EL元件在其树脂基板的表面背面形成有阻挡膜。在此，阻挡膜是指防止水分、氧从外部进入有机EL元件、树脂基板的膜，为了抑制水分、氧的扩散，使用膜密度大的薄膜。作为阻挡膜的具体材料，使用氮化硅膜(以下记作Si氮化膜)或氧化铝膜等。
[0004]对于有机EL元件的密封膜而言，防止水分、氧的扩散自不必说，还要求:(1)低温成膜(防止有机EL劣化)；⑵低损坏(防止有机EL劣化)；(3)低应力、低杨氏模量(防止剥落)；(4)高透射率(防止亮度劣化)等。对应于此，上述的阻挡膜的各材料存在如下问题:由于膜硬(杨氏模量大)、膜应力也大，所以使用厚膜时会发生膜剥落或裂纹。
[0005]于是，作为有机EL元件的密封膜的构造，最为引起注目的是层叠薄膜构造。该层叠薄膜构造是形成了多层目的不同的多个薄膜的构造，已知将阻挡膜和缓和阻挡膜应力的薄膜(缓冲膜)层叠多个的构造。缓冲膜所要求的项目为:基底的平坦化、为抑制附着在表面的异物的影响而在填埋性能上优良、以及膜软(杨氏模量小)且膜应力小。作为缓冲膜的具体材料，有含有碳的氧化硅膜等。
[0006]在专利文献I中，公开了这样的层叠薄膜构造的密封膜。作为密封膜的制造方法，提出了等离子体CVD法、光CVD法、溅射法、蒸镀法等各种成膜方法，作为其代表例，举例连续形成阻挡膜和缓冲膜的使用了真空紫外线的光CVD法。
[0007]作为光CVD膜的制造装置，有专利文献2以及3所记载的制造装置。在专利文献2的制造装置中，从试样(被处理物)的横向导入原料气体。另外，在专利文献3的制造装置中，通过将试样上部的透射窗分割成多个，并在各透射窗之间设置多个气体导入口，从而从试样的上方导入原料气体。
[0008]专利文献1:日本特开2005-63850号公报
[0009]专利文献2:日本特开2005-340702号公报
[0010]专利文献3:日本特开2012-12628号公报
【发明内容】
[0011]一般的CVD装置具备原料气体的导入机构、气体排气机构、自动压力控制(APC)机构，通过以下的工序形成光CVD膜。(I)经由气体导入阀向真空排气后的反应室导入一定量的原料气体。(2)调整APC阀，将压力传感器设定到规定的压力。(3)点亮真空紫外线灯，进行光照射来开始成膜。(4)在达到了规定的时间后，熄灭真空紫外线灯，对反应室进行真空排气。在此，在工序(3)中，一边导入原料气体一边控制排气量以使反应室的气压达到恒定。因此，在反应室中存在气体的流动即原料气体的浓度分布。由于CVD法的成膜速度也取决于气体浓度，因此为了使膜厚均匀性提高，需要使气体浓度分布均匀。特别是，在光CVD法中，由于原料气体直接吸收光而进行分解、反应，因此成膜速度呈现大大取决于气体的流动和气体浓度的倾向。
[0012]将这样的依赖性的具体例示出在图7中。图7示出了在如专利文献2所示在横向上存在气体导入口的光CVD膜的制造装置中，在直径300mm的试样上形成光CVD膜时的膜厚均匀性，特别示出了使原料气体的供给量恒定而仅改变反应室的气压时的膜厚均匀性。从图7可知，随着气压改变，膜厚均匀性发生很大变动。图8中示出在气压为60Pa时成膜时的膜厚分布(％)。数值表示试样内的相对于平均膜厚的分布，各个等高线的间隔与2%的膜厚偏差对应。图中的箭头表示试样上的原料气体的流动方向。示出了膜厚从气体导入侧(图8的左下侧)向排气侧(图8的右上侧)变厚的倾向。如此，示出了光CVD膜的膜厚大大取决于原料气体的流动和气体浓度的特征。
[0013]即使在这样的成膜方法中，若为例如IOmmX IOmm级那样小尺寸的试样，则通过气压的最佳化或使试样旋转，也有在一定程度上确保膜厚均匀性的余地。但是，当如第8代(2200mmX 2500mm)的平板玻璃基板那样试样的尺寸变大时，难以仅通过压力的最佳化确保膜厚均匀性。另外，使大型玻璃基板旋转来成膜也不现实。
[0014]与此相对，专利文献3的光CVD膜的制造装置成为对更大型的玻璃基板而言也容易应对的构造。图9中示出本申请发明人对专利文献3所记载的制造装置的膜厚的场所依赖性进行了研究的结果。图9是表示膜厚相对于原料气体的流动方向的分布的图。设为从以恒定间隔配置的Gl~G5的上部供给原料气体。供给到处理室的原料气体，成膜速度随着朝向利用光进行分解/反应的气体的流动方向而增大，而在气体被消耗时，成膜速度减小。也就是说，所成膜的膜厚为以气体导入部为基点向气体的流动方向呈现正弦波的分布。图9中，将由奇数序号(G1、G3、G5)的气体导入口导致的膜厚分布以细实线来表示，将由偶数序号(G2，G4)的气体导入口导致的膜厚分布以虚线来表示。由粗实线表示将细线与虚线相加得到的膜厚，该膜厚成为实际的试样上的膜厚。即，若设为膜厚分布相对于气体的流动方向呈现正弦波形状的分布，则在该正弦波的半周期的位置设置气体导入口，如果如此，则即使在大型玻璃基板中，也能够确保一定程度的膜厚均匀性。图9仅示出了气体的流动方向(X方向)的气体导入位置(I维表不)，但因为实际上在与气体的流动方向垂直的方向(Y轴方向)上也需要气体的导入位置，所以气体导入位置成为设有一定间隔的2维配置。
[0015]如以上进行的说明那样，根据专利文献3所示从试样的上方导入原料气体的光CVD膜的制造装置，与专利文献2所示从横向导入原料气体的光CVD膜的制造装置相比，能够提高膜厚的均匀性。然而，在专利文献3所示的方法中，气体导入口的配置大大影响了膜厚均匀性。
[0016]即，由于需要从透射窗与透射窗之间导入气体，所以在透射窗的形状、大小、配置上有限制。换言之，专利文献3的光CVD膜的成膜装置存在如下问题:仅能够在与气体导入位置相应的范围研究成膜条件。
[0017]由此，需要即使如专利文献2所示从横向导入原料气体也能够提高膜厚的均匀性、即使如专利文献3所示从试样的上方导入原料气体也能减少配置气体导入口的限制的技术。基于以上所述，本申请发明的目的在于，提供一种容易进一步提高膜厚的均匀性的光CVD膜的制造方法和制造装置。
[0018]例示本申请发明的解决问题的手段中代表性的手段，是一种光CVD膜的制造方法，其特征在于，包括:工序(a)，向形成光CVD膜的反应室导入光CVD膜的原料气体，使反应室达到规定压力；工序(b)，在工序(a)之后，停止将原料气体向反应室的导入以及原料气体从所述反应室的排气，向反应室照射光；和工序(C)，在工序(b)之后，停止所述照射，然后对反应室进行排气，将工序(a)~工序(C)反复多次。
[0019]另外，一种光CVD膜的制造装置，其特征在于，具有:设置基板的反应室；从反应室的外部照射光的光源部；使光向反应室透射的透射窗；第I气体导入阀，其向反应室导入光CVD膜的原料气体；第I排气阀，其与反应室连接，对反应室进行排气；和第2排气阀，其经由第I排气阀与反应室连接，对反应室进行排气。
[0020]另外，一种光CVD膜的制造装置，其特征在于，具有:设置基板的反应室；从反应室的外部照射光的光源部；使光向反应室透射的透射窗；第I气体导入阀，其向反应室导入光CVD膜的原料气体；多个第I排气阀，其与反应室连接，对反应室进行排气；和第2排气阀，其经由多个第I排气阀 与反应室连接，直径比多个第I排气阀的直径大。
[0021]根据本申请发明，能够提供一种容易进一步提高膜厚的均匀性的光CVD膜的制造方法和制造装置。
【专利附图】
【附图说明】
[0022]图1是表示实施例1的光CVD膜的制造装置的图。
[0023]图2是表示实施例1的光CVD膜的制造方法的图。
[0024]图3是表示光CVD膜的成膜速度对反应室的压力的依赖性的图。
[0025]图4是表示实施例2的光CVD膜的制造装置的图。
[0026]图5是表示实施例3的光CVD膜的制造装置的图。
[0027]图6是表示实施例3的光CVD膜的制造方法的图。
[0028]图7是说明与光CVD膜的膜厚均匀性相关的课题的图。
[0029]图8是说明与光CVD膜的膜厚分布相关的课题的图。
[0030]图9是说明与光CVD膜的膜厚分布相关的课题的图。
[0031]图10是表示由实施例1的制造方法制造出的光CVD膜的膜厚分布的图。
[0032]附图标记的说明
[0033]101,201,501:反应室，
[0034]102,202,502:试样基座，
[0035]103,203,503:试样(玻璃基板)，
[0036]104,204,504:透射窗(合成石英)，
[0037]105、205、505:VUV 灯，
[0038]106、206、506:原料气体导入阀，[0039]107,207,507:反应室气压传感器，
[0040]108,208,508:排气配管，
[0041]109、209、509:排气阀，
[0042]110、111、210、510:APC 阀，
[0043]113、氮气导入阀，
[0044]114、214、514:真空泵，
[0045]115,251:加强架
【具体实施方式】
[0046]【实施例1】
[0047]图1是实施例1的光CVD膜的制造装置的概要。装置由形成光CVD膜的反应室501、试样基座502、试样503、透射窗504、真空紫外线(VUV:Vacuum Ultraviolet)灯505、导入光CVD膜的原料气体的原料气体导入阀506、反应室压力传感器507、用于将原料气体从反应室排出的排气配管508、排气阀509、自动压力控制(APC)阀(APC = Auto PressureControl) 510、以及真空泵514构成，与专利文献2所记载的光CVD膜的制造装置同样，原料气体导入阀506相对于试样503位于横向上。但是，本实施例的发明在光CVD膜的制造方法中具有技术特征，光CVD膜的制造装置的结构并不限定于此。与专利文献3所记载的内容同样，通过将相对于试样503在上方设置有原料气体导入阀的光CVD膜的制造装置和本实施例的光CVD膜的成膜方法组合，能够进一步提高膜厚的均匀性。在本实施例中，作为VUV灯505使用Xe2准分子灯(波长=172nm)、作为原料气体使用有机硅源OMCTS (Octo methylcyclotetrasiloxane,八甲基环四硅氧烷)进行了成膜。但是，虽然将OMCTS举为一例,但这是优选例之一，原料气体并不限定于该原料气体。作为取得与OMCTS同样效果的气体，有TEOS (Tetra ethoxy silane,正娃酸乙酯)和氧、HMDSO(Hexa methyl disiloxane,六甲基二硅氧烷)等。此外，反应室501的壁和透射窗504为了抑制反应物的附着而加热到120°C。另一方面，试样基座502的温度通过冷却器控制到30°C。
[0048]如上所述，在光CVD法中，成膜速度大大取决于原料气体的流动和气体浓度。换言之，如果没有由反应室内的原料气体的导入或排气引起的流动，气体浓度分布均匀，则成膜速度变得均匀。为了实现成膜速度均匀，在将气体关在反应室的状态下照射光即可。为此，如下方法有效:通过反复进行使反应室内的压力达到所希望的压力的工序、在使原料气体的流动停止的状态下进行所希望的时间的光照射的工序、进行真空排气的工序，由此形成光CVD膜。
[0049]基于以上所述，将实施例1的光CVD膜的制造方法示出在图2中。图2的光CVD膜的制造方法的特征在于，包括:工序(a)，向形成光CVD膜的反应室导入光CVD膜的原料气体，使反应室达到规定压力；工序(b)，在工序(a)之后，停止原料气体向反应室的导入以及原料气体从反应室的排气，向反应室照射光；和工序(C)，在工序(b)之后，停止照射，然后对反应室进行排气，将工序(a)~工序(C)反复多次。
[0050]图10中不出由本实施例的制造方法成膜的光CVD膜的膜厚分布。光照射时的气压与图8同样设为60Pa。图10所图示的光CVD膜的膜厚的均匀性，与图8相比飞跃性地提高。如此，通过进行本实施例的光CVD膜的制造方法，能够使光CVD膜的膜厚均匀性飞跃性地提闻。
[0051]进而，通过本实施例的制造方法进行光CVD膜的成膜时，不仅具有膜厚均匀性提高的大优点，还具有能够缓和原料气体的导入位置的限制、即缓和透射窗的设置限制的优点。
[0052]进而，更优选，进一步的特征在于，工序(a)中的规定压力小于使光CVD膜的成膜速度最大的压力。在光CVD法中，对每种气体而言都存在使成膜速度最大的反应室的压力。图3图示了该情形，横轴是反应室的压力，纵轴是光CVD膜的成膜速度。例如对气体种类A而言为约70Pa、对气体种类B而言为约lOOPa，虽然反应室的具体压力不同，但对每种气体而言都存在使光CVD膜的成膜速度达到最大的反应室的压力，这一点是共通的。这是因为:在光CVD膜的成膜反应中，由于原料气体浓度的增大,分解、反应速度加快、成膜速度变大的成分和原料气体中的光吸收变大使得到达试样基板的光减少以至反应速度降低的成分共存。因此，在成膜速度呈现最大值的压力以上的情况下进行成膜时，原料气体的使用效率降低。其结果，在反应室内残留了没有用于成膜反应的原料气体，其使透射窗模糊，成为导致反应效率降低的原因。由此，工序(a)中的反应室的压力，优选低于该“使光CVD膜的成膜速度最大的压力”。
[0053]【实施例2】 [0054]在上述的实施例1中，制造装置的结构没有特别限定。然而，在实施例1的光CVD膜的制造方法中，由于伴随使排气侧的阀多次高速地开闭的工序(工序(a)以及(C))，因此认为在开闭时产生异物。于是，如果制造装置具有抑制异物产生的抑制单元，则能够进一步提高膜厚的均匀化。基于以上所述，在实施例2中，说明能够进一步提高膜厚的均匀性的光CVD膜的制造装置。
[0055]图4中示出实施例2的光CVD膜的制造装置的概要。图4是具有大的排气配管108和2个八?(:(4?(:4此0 Pressure Control)阀110、111的光CVD膜的制造装置。装置结构由反应室101、试样基座102、试样103、透射玻璃104、真空紫外线(VUV =Vacuum Ultraviolet)灯105、原料气体导入阀106、反应室压力传感器107、排气配管108、排气阀109、第
一APC阀110、第二 APC阀111、第二 APC阀用压力传感器112、氮气导入阀113、真空泵114构成。透射窗104的材料为合成石英且被分割成能够维持机械强度的尺寸。在本实施例中，设为短边=200mm且长边=1500mm的长方形的透射窗104。虽然图4中举出了排列3片透射窗104的构造(短边方向)的例子，但是只要使透射窗104与所使用的试样的大小相应地增加即可。例如，如果排列10片该尺寸的透射窗,就能够对应第6代尺寸(1500mmX 1850mm)的玻璃基板。在透射窗104与透射窗104之间，设置保持透射窗104的加强架115。加强架115的宽度，在充分维持机械强度并且使光强度分布均匀的基础上，优选尽可能窄。在本实施例中，为了消除加强架115的遮光部分的影响，设为能够使试样基座102在2维方向上工作的构造。该工作宽度优选为加强架115的宽度以上。在本实施例中，在透射窗104的短边方向上，设为使试样基座102以左右分别50mm的间隔进行游动。使试样基座102游动的方向和游动宽度，在考虑了透射窗104的形状和加强架115的宽度的基础上决定最佳值即可。
[0056]在此，说明由图4的制造装置进行的光CVD膜的成膜方法。本构造的特征在于，APC阀由串联的2级构成，前级的第一 APC阀110与反应室压力传感器107联动，后级的第二APC阀111与第二 APC阀用压力传感器112联动。形成向第一 APC阀110与第二 APC阀111之间的配管导入经由气体阀113控制了流量的氮气的构造。
[0057]首先，在打开气体导入阀106向反应室导入原料气体的同时，输出信号以使反应室压力传感器107和第二 APC阀用压力传感器112达到相同压力，此时，打开氮气用阀113导入规定流量的氮气。接着，在反应室101内达到了规定的压力之后关闭气体导入阀106，开始光照射。此时，因为第一 APC阀110的前后被控制为相同压力，所以反应室内的气体的流动停止。在进行了规定时间的成膜之后，关闭氮气用阀113，使第一 APC阀110和第二 APC阀111完全打开、进行反应室101的抽真空。通过反复该操作，进行光CVD膜的成膜。虽然图4中将APC阀示出为2级的串联连接，但根据目的增加级数当然也是可以的。
[0058]如此，本实施例的光CVD膜的制造装置的特征在于，具有:设置基板的反应室
(101);从反应室的外部照射光的光源部(真空紫外线灯105);使所述光向反应室透射的透射窗(104);向反应室导入光CVD膜的原料气体的第I气体导入阀(106);与反应室连接来对反应室进行排气的第I排气阀(110);和经由第I排气阀与反应室连接来对反应室进行排气的第2排气阀(111)。
[0059]以下，说明该制造装置的效果。如上所述，若对排气阀进行开闭，则在开闭时产生异物。特别是，在基板尺寸为第8代等级的大型制造装置中，需要更大的排气能力，需要减小排气系统的传导性。减小排气系统的传导性的方法有多种，但最通常的方法是增大排气配管、排气系统的主阀的方法。但是，若急剧地多次开闭这样的大排气阀，则异物产生的量也就更多。
[0060]由此，希望采用能进一步抑制异物产生的阀。作为这样的阀而举出的例子，是本实施例中说明的APC阀。APC阀由于不会如隔膜型阀那样伴有急速的开闭，所以即使增大阀也能够几乎不产生异物。但是，APC阀要完全停止排气在构造上很难，在通常的结构中难以使排气气体完全停止。
[0061]与此相对，根据本实施例的制造装置，通过第I排气阀和第2排气阀的组合，能够实质上制止反应室内的气体的流动。因此，对第I以及第2排气阀而言，能够采用更不容易产生异物的阀(例如APC阀)，与实施例1中说明的制造装置相比，能够进一步抑制异物的产生。本实施例的制造装置的重要之处在于:由于光CVD膜的膜厚均匀性完全不取决于原料气体的导入位置，所以气体阀的设置位置的自由度大，且膜厚均匀性飞跃性地提高。另外，通过将难以完全阻止气体的APC阀设置成串联2级以上，能够制止反应室的实质的气体流动。因此，仅通过APC阀的动作就能够实现排气侧的高速开闭动作，所以即使使用大型装置也能够实现抑制生产量(throughput)降低和抑制异物产生。
[0062]并且，本实施例的光CVD膜的制造装置的进一步特征在于，在第I排气阀和第2排气阀之间的区域具有导入氮气的第2气体导入阀(113)。根据该结构，通过使该区域与反应室等压，能够使反应室内的气体的流动实质上停止。
[0063]作为用于监控该区域以及反应室的压力的结构，还具有测定反应室的压力的第I压力传感器(107)和测定该区域的压力的第2压力传感器(112)，第2气体导入阀导入氮气以使第2压力传感器的测定值与第I压力传感器的测定值相等即可。
[0064]另外，通过将第2排气阀构成为通过来自第I压力传感器的信号来控制，能使反应室内的压力更容易保持为适于成膜的压力。[0065]如上所述，在本实施例的光CVD膜的制造装置中，光CVD膜的膜厚均匀性不取决于原料气体的导入位置，因此能够将第I气体导入阀设置在基板的横向上。通过该配置，与专利文献3的光CVD膜的制造装置相比，能够进一步降低透射窗、气体导入口的制约条件，能够提高装置设计的自由度。
[0066]此外，在图4所示的构造中，示出了仅在2个部位存在原料气体导入阀106，但气体导入阀106也可以存在多个。同样，气体排气阀109、APC阀110、111以及泵也可以存在多个。另外，在本实施例中，作为比隔膜型的阀更能抑制异物产生的阀的例子举出了 APC阀，但只要是能起到该效果的阀，也可以采用其他的阀。
[0067]【实施例3】
[0068]在实施例3中，使用图5以及6对能进一步提高膜厚的均匀性的光CVD膜的制造装置中的与实施例2不同的部分进行说明。
[0069]图5中示出本实施例的光CVD膜的制造装置。图5的光CVD膜的制造装置由反应室201、试样基座202、试样203、透射玻璃204、VUV灯205、原料气体导入阀206、反应室压力传感器207、多个排气配管208、多个排气阀209、APC阀210、真空泵214构成。在此，本实施例的制造装置的特征在于，将反应室201与APC阀210 (排气配管208)经由多个小的排气阀209连接。本图中，示出了将12个排气阀409并联连接的例子。这12个排气阀409为全部同时开闭的构造，但并不限定于此。另外，与实施例2同样，透射窗204的材料为合成石英，示出了分割配置成能够维持机械强度的尺寸的构造，为了消除加强架215的遮光部分的影响，设为能够使试样基座202在2维方向上工作的构造。
[0070]在本实施例中也同样，使用Xe2准分子灯(波长=172nm)作为VUV灯205、使用有机硅源OMCTS作为原料气体进行了成膜。反应室201的壁和透射窗204设定为120°C，试样基座202的温度设定为30°C。在此，虽然将反应室201的壁和透射窗204的温度设为120°C，但在能确保O型密封圈的耐热性的范围内设得更高当然也是可以的。此外，加热透射窗204的方法，有通过细的加热线对透射窗204直接进行加热的方法和对加强架215进行加热的方法等，在本实施例中，对加强架215进行加热，通过其热传导对透射窗204进行间接加热。
[0071]以下，说明本实施例的光CVD膜的制造方法。成膜时的工艺流程，按照图6所示的方法。首先，在将玻璃基板203输送到反应室201之后，对反应室201内进行真空排气。接着，将排气侧的所有排气阀(本图中标记了 12个)关闭，同时打开气体导入阀206将OMCTS导入反应室201。反应室201的压力开始上升后使试样基板202游动。在反应室的压力传感器(Pl) 207的压力达到了规定的压力(例如70Pa)之后，关闭原料气体导入阀206，点亮VUV灯205。经过了规定的时间之后，熄灭VUV灯205，同时完全打开排气阀209，对反应室201进行真空排气。通过反复以上的工序(sequence),形成所希望的膜厚的光CVD膜。
[0072]如此，本实施例的光CVD膜的制造装置的特征在于，具有:设置基板的反应室(201);从反应室的外部照射光的光源部(真空紫外灯205);使所述光向反应室透射的透射窗(204);向反应室导入光CVD膜的原料气体的第I气体导入阀(206);与反应室连接来对反应室进行排气的多个第I排气阀(209);和经由多个第I排气阀与反应室连接、且直径比多个第I排气阀的直径大的第2排气阀(210)。
[0073]通过该特征，本实施例的光CVD膜的制造装置也起到与实施例2的制造装置同样的效果。也就是说，由于所形成的光CVD膜的膜厚均匀性完全不取决于原料气体的导入位置，因此具有气体阀的设置位置的自由度变大以及膜厚均匀性飞跃性地提高等优点。
[0074]而且，与实施例2相比，通过配置多个直径小的配管和阀，能够同时实现小传导性和抑制异物产生。另外，由于排气阀小故而能够进行高速开闭动作，在本发明的成膜方法中，也能够使实质的成膜时间的比例更大。在此，对比图2和图6来说明实施例2与3的制造装置的不同。图2与图6的不同是气体排气的停止和开始的速度的不同。图2是使气体排气阀的开闭速度缓慢进行的方法，而图6是使开闭速度迅速的方法。如上所述，本实施例的光CVD膜的制造装置，作为减小排气系统的传导性的方法，采用增加排气通道的结构。如此，通过减小I个排气配管的直径并使用多个配管，能够减小排气配管的总传导性。若排气配管小，则能够使用小的隔膜阀，所以本实施例的光CVD膜的制造装置，即使进行高速的开闭动作，也能够进一步抑制异物的产生。此外，在向原子状CVD装置(ALD-OO^i)的应用中，已经验证了进行多次开闭处理的小的隔膜阀的可靠性。由此，作为排气阀的组合，作为多个第I排气阀能够使用能抑制异物产生的隔膜阀，作为第2排气阀能够使用APC阀。
[0075]此外，在本实施例中，使多个排气阀209的开闭全部同时进行，但也可以使每个阀的开闭定时稍稍错开，使压力不会急剧变动。另外，在图5中，示出了 2个原料气体导入阀206，但实际上原料气 体导入阀206可以存在多个。同样，气体排气阀209也可以存在多个。
【权利要求】
1.一种光CVD膜的制造方法，其特征在于，包括: 工序(a)，向形成光CVD膜的反应室导入所述光CVD膜的原料气体，使所述反应室达到规定压力； 工序(b)，在所述工序(a)之后，停止将所述原料气体向所述反应室的导入以及所述原料气体从所述反应室的排气，向所述反应室照射光；和 工序(C)，在所述工序(b)之后，停止所述照射，然后对所述反应室进行排气， 将所述工序(a)~所述工序(C)反复多次。
2.根据权利要求1所述的光CVD膜的制造方法，其特征在于， 所述工序(a)中的所述规定压力小于使所述光CVD膜的成膜速度最大的压力。
3.一种光CVD膜的制造装置，其特征在于，具有: 设置基板的反应室； 从所述反应室的外部照射光的光源部； 使所述光向所述反应室透射的透射窗； 第I气体导入阀，其向所述反应室导入所述光CVD膜的原料气体； 第I排气阀，其与所述反应室连接，对所述反应室进行排气；和 第2排气阀，其经由所述第I排气阀与所述反应室连接，对所述反应室进行排气。
4.根据权利要求3所述的光CVD膜的制造装置，其特征在于， 在所述第I排气阀与所述第2排气阀之间的区域还具有导入氮气的第2气体导入阀。
5.根据权利要求4所述的光CVD膜的制造装置，其特征在于，还具有: 测定所述反应室的压力的第I压力传感器；和 测定所述第I排气阀与所述第2排气阀之间的区域的压力的第2压力传感器， 所述第2气体导入阀导入所述氮气，以使所述第2压力传感器的测定值与所述第I压力传感器的测定值相等。
6.根据权利要求3所述的光CVD膜的制造装置，其特征在于， 还具有测定所述反应室的压力的第I压力传感器， 所述第2排气阀通过来自所述第I压力传感器的信号来控制。
7.根据权利要求3所述的光CVD膜的制造装置，其特征在于， 所述第I排气阀以及所述第2排气阀是APC阀。
8.根据权利要求3所述的光CVD膜的制造装置，其特征在于， 所述第I气体导入阀沿所述基板的横向设置。
9.一种光CVD膜的制造装置，其特征在于，具有: 设置基板的反应室； 从所述反应室的外部照射光的光源部； 使所述光向所述反应室透射的透射窗； 第I气体导入阀，其向所述反应室导入所述光CVD膜的原料气体； 多个第I排气阀，其与所述反应室连接，对所述反应室进行排气；和第2排气阀，其经由所述多个第I排气阀与所述反应室连接，直径比所述多个第I排气阀的直径大。
10.根据权利要求9所述的光CVD膜的制造装置，其特征在于，所述多个第I排气阀是隔膜阀，所述第2排气阀是APC阀 。
【文档编号】C23C16/40GK103572262SQ201310323455
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2013年7月25日 优先权日:2012年7月30日
【发明者】峰利之, 藤森正成, 松崎永二 申请人:株式会社日立高新技术