密封环以及密封环的制造方法

密封环以及密封环的制造方法
【专利摘要】本发明的密封环(1)由基材层(10)与配置在基材层的一个表面(10b)的焊料层(11)接合而成的包覆材料构成，焊料层中的覆盖基材层的侧面(10c)的侧面焊料部分(11f)被去除。
【专利说明】密封环以及密封环的制造方法

【技术领域】
[0001]本发明涉及用于电子部件收纳用封装的密封环以及密封环的制造方法。

【背景技术】
[0002]目前，已知有用于电子部件收纳用封装的密封环等。例如，日本特开2006 - 49595号公报中，公开了如下方法:在由Fe-N1-Co合金板构成的基材的一个表面上，涂布由包含Ag、Cu和Sn的银系焊料粉末与介质的混合物构成的糊剂后，通过进行烧结等，形成包含由Fe-N1-Co合金构成的基材层和银系焊料层的银焊包覆材料。之后，通过将银焊包覆材料冲裁加工成环状而形成环体(密封环)。
[0003]这里，将银焊包覆材料冲裁加工成环状时，若在基材层的银系焊料层侧的表面，以向银系焊料层侧突出的方式形成微小突起(毛刺)，则在使环体的银系焊料层熔融而将电子部件收纳用封装的基台与环体接合时，由于微小突起会使基材层的银系焊料层侧的表面与基台的间隔变大。其结果，由于环体与基台之间容易产生间隙，所以在使用环体和基台形成电子部件收纳用封装的情况下，存在不能充分保证电子部件收纳用封装的气密性的问题。因此，将银焊包覆材料冲裁加工成环状时，会以向基材层侧突出的方式形成微小突起。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本特开2006 - 49595号公报


【发明内容】

[0007]发明所要解决的课题
[0008]然而，日本特开2006 - 49595号公报所公开的环体以使微小突起向基材层侧突出的方式进行冲裁加工而形成的情况下，以银系焊料层延伸并覆盖基材层的侧面的方式配置。因此，在使环体的银系焊料层熔融而将基台和环体接合时，存在银系焊料层沿着覆盖基材层的侧面的银系焊料层在基材层的侧面过度蔓延这一不良情况。其结果，在使用环体和盖材形成电子部件收纳用封装的情况下，由于制造电子部件收纳用封装时的热，导致过度蔓延的银系焊料层扩散至盖材。其结果，可以认为，存在扩散至盖材的银系焊料层从盖材飞散而附着于电子部件收纳用封装所收纳的电子部件的问题。
[0009]本发明是为了解决上述的课题而进行的，本发明的一个目的在于提供通过抑制焊料层在基材层的侧面过度地蔓延，从而能够抑制焊料层飞散而附着于电子部件的密封环以及密封环的制造方法。
[0010]用于解决课题的方法
[0011]本发明的第一方面的密封环是用于电子部件收纳用封装的密封环，由基材层与配置在基材层的一个表面的焊料层接合而成的包覆材料构成，焊料层中的覆盖基材层的侧面的侧面焊料部分被去除。
[0012]本发明的第一方面的密封环，如上所述，通过将焊料层中的覆盖基材层侧面的侧面焊料部分去除，能够抑制使密封环的焊料层熔融时，焊料层沿侧面焊料部分在基材层的侧面过度地蔓延。由此，能够抑制由于制造电子部件收纳用封装的热等，使焊料层飞散而附着于电子部件收纳用封装所收纳的电子部件。
[0013]上述第一方面的密封环中，优选基材层包含将基材层的一个表面与形成为大致平坦面状的侧面连接的弧形的角部，至少在焊料层中覆盖大致平坦面状的侧面的侧面焊料部分被去除。如果这样构成，由于覆盖大致平坦面状的侧面的侧面焊料部分被去除，所以能够进一步抑制焊料层在基材层的侧面过度地蔓延。需要说明的是，“形成为大致平坦面状的侧面”中，不仅包括平坦面状的侧面，还包括形成有微小的凹凸的侧面、或具有远大于弧形角部的曲率半径的曲率半径的侧面等实质上能够视为大致平坦面状的侧面。
[0014]上述第一方面的密封环中，优选基材层主要含有Fe、Ni和Co，焊料层主要含有Ag和Cu。在由这样主要含有Fe、Ni和Co的基材层与主要含有Ag和Cu的焊料层接合而成的包覆材料构成的密封环中，通过将焊料层中的覆盖基材层的侧面的侧面焊料部分去除，能够抑制焊料层沿侧面焊料部分在基材层的侧面过度地蔓延。
[0015]上述第一方面的密封环中，优选焊料层主要含有Ag和Cu，焊料层的表面附近的Ag的浓度大于焊料层的内部的Ag的浓度。如果这样构成，由于Ag比Cu更具有耐腐蚀性，所以通过焊料层的表面附近的Ag，能够提高焊料层的表面的耐腐蚀性。另外，通过焊料层的表面附近的Ag的浓度大，能够使焊料层的表面的色调接近银色。
[0016]本发明的第二方面的密封环的制造方法是用于电子部件收纳用封装的密封环的制造方法，具有:准备基材层与接合于基材层的一个表面的焊料层的包覆材料的工序；将包覆材料冲裁成密封环的形状的工序；和去除在将包覆材料冲裁成密封环的形状时焊料层延伸所形成的焊料层中覆盖基材层的侧面的侧面焊料部分的工序。
[0017]本发明的第二方面的密封环的制造方法中，如上所述，通过具有去除在将包覆材料冲裁成密封环的形状时焊料层延伸所形成的焊料层中覆盖基材层的侧面的侧面焊料部分的工序，能够抑制使密封环的焊料层熔融时，焊料层沿侧面焊料部分在基材层的侧面过度地蔓延。由此，能够抑制由于制造电子部件收纳用封装时的热等，使焊料层飞散而附着于电子部件收纳用封装所收纳的电子部件。
[0018]上述第二方面的密封环的制造方法中，优选基材层包含将基材层的一个表面与形成为大致平坦面状的侧面连接的弧形的角部，去除侧面焊料部分的工序包括:至少去除焊料层中的覆盖大致平坦面状的侧面的侧面焊料部分的工序。如果这样构成，由于覆盖大致平坦面状的侧面的侧面焊料部分被去除，所以能够更加抑制焊料层在基材层的侧面过度地蔓延。
[0019]上述第二方面的密封环的制造方法中，优选去除侧面焊料部分的工序包括通过湿式蚀刻去除侧面焊料部分的工序。如果这样构成，与使用机械研磨等去除侧面焊料部分的情况相比，能够更可靠地去除覆盖基材层的侧面的微小的侧面焊料部分。
[0020]这种情况下，优选通过湿式蚀刻去除侧面焊料部分的工序包括:通过利用湿式蚀刻各向同性地去除焊料层，去除侧面焊料部分的工序。如果这样构成，由于没有必要为了选择性地去除侧面焊料部分而进行复杂的蚀刻处理，所以能够容易地去除侧面焊料部分。
[0021]在包括通过湿式蚀刻各向同性地去除上述侧面焊料部分的工序的密封环的制造方法中，优选通过湿式蚀刻各向同性地去除焊料层的工序包括:通过湿式蚀刻去除侧面焊料部分，并且将焊料层的角部形成为弧形的工序。如果这样构成，由于焊料层的角部成为弧形形状而不是尖锐的形状，所以能够抑制尖锐的焊料层的角部与其他的部件等接触时损伤其他的部件。
[0022]在包括通过湿式蚀刻去除上述侧面焊料部分的工序的密封环的制造方法中，优选通过湿式蚀刻去除侧面焊料部分的工序包括:使用容易蚀刻焊料层且不易蚀刻基材层的蚀刻液，去除侧面焊料部分的工序。如果这样构成，能够容易地对焊料层选择性地蚀刻。
[0023]在包括使用容易蚀刻上述焊料层的蚀刻液去除侧面焊料部分的工序的密封环的制造方法中，优选基材层主要含有Fe、Ni和Co，焊料层主要含有Ag和Cu，蚀刻液至少含有使焊料层的表面氧化的氧化剂、去除被氧化的焊料层的氧化物去除剂、和水。如果这样构成，能够选择性地蚀刻主要含有Ag和Cu的焊料层，可靠地去除侧面焊料部分。
[0024]在上述蚀刻液中含有氧化剂、氧化物去除剂和水的密封环的制造方法中，优选蚀刻液至少含有由过氧化氢构成的氧化剂、由乙酸构成的氧化物去除剂和水。如果这样构成，能够更加选择性地蚀刻主要含有Ag和Cu的焊料层，更加可靠地去除侧面焊料部分。
[0025]在包括通过湿式蚀刻去除上述侧面焊料部分的工序的密封环的制造方法中，优选焊料层主要含有Ag和Cu，湿式蚀刻的蚀刻液含有使焊料层的表面氧化的氧化剂、去除被氧化的焊料层的氧化物去除剂、水、和用于优先去除焊料层的表面的Cu的Cu优先去除剂，通过湿式蚀刻去除侧面焊料部分的工序包括:通过使用蚀刻液优先去除焊料层的表面中的Cu，使焊料层的表面附近的Ag的浓度大于焊料层的内部的Ag的浓度的工序。如果这样构成，由于Ag比Cu更具有耐腐蚀性，所以通过焊料层的表面附近的Ag，能够提高焊料层的表面的耐腐蚀性。另外，通过焊料层的表面附近的Ag的浓度大，能够使焊料层的表面的色调接近银色。另外，由于能够使用添加了 Cu优先去除剂的蚀刻液将焊料层的表面的Cu优先去除，所以能够容易地使焊料层表面附近的Ag的浓度大于焊料层内部的Ag的浓度，使Ag在焊料层的表面附近残留和浓化。
[0026]在包括通过湿式蚀刻去除上述侧面焊料部分的工序的密封环的制造方法中，优选焊料层主要含有Ag和Cu，湿式蚀刻的蚀刻液含有使焊料层的表面氧化的氧化剂、去除被氧化的焊料层的氧化物去除剂、水、和用于优先去除焊料层的表面的Cu的Cu优先去除剂，通过湿式蚀刻去除侧面焊料部分的工序包括:通过使用蚀刻液优先去除焊料层的表面的Cu，使焊料层的表面附近的Ag的浓度大于通过湿式蚀刻去除侧面焊料部分之前的焊料层的Ag的浓度的工序。如果这样构成，由于能够使焊料层的表面附近的Ag的浓度大于湿式蚀刻之前，所以能够使焊料层的表面的耐腐蚀性提高，并且能够使焊料层的表面的色调接近银色。另外，通过使用添加了 Cu优先去除剂的蚀刻液，能够容易地使焊料层的表面附近的Ag的浓度大于通过湿式蚀刻去除侧面焊料部分之前的Ag的浓度。
[0027]在上述蚀刻液含有氧化剂、氧化物去除剂、水和Cu优先去除剂的密封环的制造方法中，优选Cu优先去除剂由强酸构成。如果这样构成，在使用强酸的情况下，由氧化剂形成的Ag的氧化物难以被去除，另一方面，Cu的氧化物容易被去除，通过使用由强酸构成的Cu优先去除剂，能够容易地将Cu的氧化物优先去除。其结果，能够容易地优先去除焊料层的表面的Cu。
[0028]在上述Cu优先去除剂由强酸构成的密封环的制造方法中，优选Cu优先去除剂由作为强酸的硫酸构成。如果这样构成，能够更加容易地优先去除焊料层的表面的Cu。
[0029]在上述Cu优先去除剂由硫酸构成的密封环的制造方法中，优选在蚀刻液中硫酸被添加至占蚀刻液整体的0.5质量％以上的浓度。如果这样构成，能够可靠地优先去除焊料层的表面的Cu，使焊料层的表面附近的Ag的浓度大于焊料层的内部的Ag的浓度。
[0030]在上述蚀刻液含有氧化剂、氧化物去除剂、水和Cu优先去除剂的密封环的制造方法中，优选在通过湿式蚀刻去除侧面焊料部分的工序的前后，焊料层的固相线基本没有变化。如果这样构成，能够抑制由于焊料层的固相线变高而导致的使焊料层熔化时所需的温度的升高。
[0031]在上述蚀刻液含有氧化剂、氧化物去除剂、水和Cu优先去除剂的密封环的制造方法中，优选通过湿式蚀刻去除侧面焊料部分的工序兼为将残留在密封环的表面的被氧化的焊料层除掉并清洗的工序。如果这样构成，与另外设置用于将残留在密封环的表面的被氧化的焊料层除掉并清洗的工序的情况不同，能够简化工序。
[0032]在包括通过湿式蚀刻去除上述将侧面焊料部分的工序的密封环的制造方法中，优选在通过湿式蚀刻去除侧面焊料部分的工序之前，还具备去除将包覆材料冲裁成密封环的形状时所形成的基材层的微小突起的工序，通过湿式蚀刻去除侧面焊料部分的工序包括:通过湿式蚀刻去除侧面焊料部分和将微小突起去除时附着的异物的工序。如果这样构成，由于在用于去除侧面焊料部分的湿式蚀刻时同时将异物去除，所以与另外设置去除异物的工序的情况不同，能够简化工序。
[0033]发明的效果
[0034]根据本发明，如上所述，能够抑制焊料层在基材层的侧面过度地蔓延，因此能够抑制焊料层飞散而附着于电子部件收纳用封装所收纳的电子部件。

【专利附图】

【附图说明】
[0035]图1是表示本发明的第一实施方式的密封环的结构的俯视图。
[0036]图2是沿图1的400-400线得到的剖视图。
[0037]图3是沿图1的400-400线得到的放大剖视图。
[0038]图4是表示本发明的第一实施方式的电子部件收纳用封装的结构的剖视图。
[0039]图5是用于说明本发明的第一实施方式的密封环的制造工艺的立体图。
[0040]图6是表示本发明的第一实施方式的密封环的制造工艺中的冲裁加工后的密封环的放大剖视图。
[0041]图7是表示本发明的第一实施方式的密封环的制造工艺中的滚筒抛光后的密封环的放大剖视图。
[0042]图8是用于说明本发明的第一实施方式的电子部件收纳用封装的制造工艺(密封环与基台接合前)的剖视图。
[0043]图9是用于说明本发明的第一实施方式的电子部件收纳用封装的制造工艺(密封环与基台接合后)的剖视图。
[0044]图10是表示为了确认本发明的第一实施方式的效果而进行的实施例1中的焊料层的熔融状态的放大剖视图。
[0045]图11是表示为了确认本发明的第一实施方式的效果而进行的比较例I中的焊料层的熔融状态的放大剖视图。
[0046]图12是表示为了确认本发明的第二实施方式的效果而进行的测定焊料层在表面的Cu和Ag的浓度得到的结果的图。
[0047]图13是表示为了确认本发明的第二实施方式的效果而进行的测定焊料层在深度方向的Cu和Ag的浓度得到的结果的图。
[0048]图14是表示为了确认本发明的第二实施方式的效果而进行的测定焊料层的固相线得到的结果的图。
[0049]图15是表示为了确认本发明的第二实施方式的效果而进行的测定恒温恒湿试验后的焊料层在表面的0(氧)、Cu和Ag的浓度得到的结果的图。

【具体实施方式】
[0050]以下，基于附图，说明将本发明具体化的实施方式。
[0051](第一实施方式)
[0052]首先，参照图1?图3，说明本发明的第一实施方式的密封环I的结构。
[0053]第一实施方式的密封环I如图1所示，以平面来看，形成为长方形的框状。该密封环I被形成为在长度方向(X方向)上约1.5mm以上约2.0mm以下的长度LI，且在宽度方向(Y方向)上约1.2mm以上约1.6mm以下的长度L2的大小。另外，密封环I的开口部被形成为在X方向上约1.3mm以上约1.6mm以下的长度L3,且在Y方向上约0.9mm以上约1.1mm以下的长度L4的大小。
[0054]另外，密封环I如图2和图3所示，由将配置于上侧(Zl侧)的基材层10与配置于下侧(Z2侧)的焊料层11压接接合得到的包覆材料构成。需要说明的是，如图3所示，基材层10的Z方向的厚度tl为约100 μ m以上约130 μ m以下，焊料层11的Z方向的厚度t2为约15 μ m以上约30 μ m以下，密封环I的Z方向的厚度t3 (tl+t2)为约115 μ m以上约160 μ m以下。
[0055]基材层10由主要含有约30质量％的N1、约17质量％的Co、和Fe的Fe-N1-Co合金形成。另外，基材层10具有Zl侧的上表面10a、与焊料层11接合的Z2侧的下表面10b、和一对侧面10c。上表面10a、下表面1b和一对侧面1c都被形成为大致平坦面状。另外，基材层10还具有连接上表面1a与侧面1c的一对上侧角部10d、和连接下表面1b与侧面1c的一对下侧角部10e。上侧角部1d和下侧角部1e被形成为具有充分小的曲率半径的弧形。需要说明的是，下表面1b是本发明的“一个表面”的一例。
[0056]焊料层11由主要含有约85质量％的Ag和Cu的银焊料形成。需要说明的是，构成焊料层11的银焊料的固相线(焊料层11的一部分开始熔化的温度)为约780V。另外，焊料层11具有与基材层10接合的Zl侧的上表面lla、Z2侧的下表面Ilb和一对侧面11c。上表面Ila和下表面Ilb都被形成为大致平坦面状。侧面Ilc被形成为位于比基材层10的侧面1c略靠内侧。
[0057]另外，焊料层11还具有将基材层10侧的上表面Ila与侧面Ilc连接的一对上侧角部lid、和将与基材层10相反侧的下表面Ilb与侧面Ilc连接的一对下侧角部lie。上侧角部Ild被形成为位于基材层10的下侧角部1e上。即，焊料层11被形成至基材层10的下侧角部1e的大致中央A为止，而没有形成在基材层10的侧面1c上。另外，上侧角部Ild被形成为相比于基材层10的侧面1c更位于内侧，并且以相比于焊料层11的侧面Ilc更位于内侧的方式构成。其结果，在基材层10的下侧角部1e与焊料层11的上侧角部Ild的边界周边，构成为从基材层10的侧面1c以及焊料层11的侧面Ilc向内侧凹陷的形状。另外，下侧角部He被形成为具有充分小的曲率半径的弧形。
[0058]这里，第一实施方式中，密封环I的焊料层11是通过将至少覆盖焊料层11中的基材层10的大致平坦面状的侧面1c的后述侧面焊料部分Ilf (参照图7)去除而形成的。需要说明的是，具体的密封环I的制造工艺如后所述。
[0059]接下来，参照图4，对本发明的第一实施方式的密封环I所使用电子部件收纳用封装100的结构进行说明。
[0060]第一实施方式的电子部件收纳用封装100如图4所示，具备密封环1、在密封环I的下方(Z2侧)与密封环I接合的基台2、和在密封环I的上方(Zl侧)与密封环I接合的盖部件3。
[0061]基台2由氧化铝等的陶瓷形成，并且被形成为盒状。另外，盒状的基台2具有形成于基台2的中央部且经由凸块4安装有水晶振子等电子部件5的收纳部2a、和与密封环I接合的框状的上表面2b。另外，密封环I与基台2的上表面2b通过密封环I的熔融的焊料层11接合。在这里，为了提高基台2的上表面2b与焊料层11的密合性，可以在基台2的上表面2b上设置包含W/Ni/Au的金属化层。
[0062]盖部件3包含由Fe-N1-Co合金形成的板部件。另外，盖部件3与密封环I的基材层10通过缝焊接合。这里，为了提高盖部件3与基材层10的密合性，可以在盖部件3设置包含Ni/Au的镀层。
[0063]另外，由于基台2被形成为略微大于密封环I。另外，盖部件3被形成为略微小于密封环I，且大于密封环I的开口部。由此，构成为通过密封环I与基台2被接合，并且密封环I与盖部件3被接合，使安装有电子部件5的收纳部2a成为气密状态。
[0064]接下来，参照图3?图7，对本发明的第一实施方式的密封环I的制造工艺进行说明。
[0065]首先，如图5所示，准备包覆材料200，其具备由Fe-N1-Co合金形成的基材层10、和接合于基材层10的下表面1b (参照图6)且由主要含有约85质量％的Ag和Cu的银焊料形成的焊料层U。需要说明的是，该包覆材料200中，基材层10的Z方向的厚度tl (参照图6)为约100 μ m以上约130 μ m以下，焊料层11的Z方向的厚度t4(参照图6)被形成为比完成品的密封环I中的焊料层11的厚度t2(参照图3)仅大厚度t6(参照图7)。其结果，包覆材料200的Z方向的厚度t5(tl+t4)比密封环I的厚度t3(tl+t2，参照图3)仅大厚度t6。
[0066]之后，使用冲压机，将包覆材料200冲裁成密封环I的形状(两点划线)。此时，将包覆材料200从焊料层11侧(Z2侧)沿板厚方向(Z方向)冲裁。由此形成被冲裁成密封环I的形状的密封环la。
[0067]冲裁该包覆材料200时，如图6所示，在密封环Ia的基材层10的上侧角部1d形成微小突起(毛刺)1f。该微小突起1f的一部分以比基材层10的上表面1a更上方(Zl侦D突出的方式形成为锐角。
[0068]另外，冲裁包覆材料200时，与基材层10的下表面1b接合的焊料层11的一部分以延伸至基材层10的侧面1c的方式向上侧(Zl侧)移动。由此，在基材层10的侧面1c形成与焊料层11连接的侧面焊料部分Ilf。
[0069]之后，为了去除在密封环Ia的基材层10形成的微小突起10f，进行滚筒抛光。具体的说，将多个密封环la、包含陶瓷等的介质、包含化学粉末等的混合物以及水等投入滚筒。之后，使滚筒以规定的速度转动规定的时间。由此，通过基材层10的微小突起1f与介质发生碰撞等，将微小突起1f去除。然后，将密封环Ia取出进行清洗等。
[0070]由此，基材层10的微小突起1f被去除，如图7所示，形成密封环lb。该密封环Ib中，基材层10的上侧角部1d被整形为具有充分小的曲率半径的弧形。另外，焊料层11的下侧角部Ile也被整形为略微弧形。另外，此时，由于形成密封环Ib的焊料层11的银焊料的硬度小，所以包含介质的残渣等的异物6会以嵌入焊料层11的暴露在外部的表面(下表面lib、侧面11c、下侧角部lie以及侧面焊料部分Ilf)的方式附着。
[0071]这里，第一实施方式的密封环I的制造方法中，为了去除在密封环Ib的焊料层11形成的侧面焊料部分IIf，进行湿式蚀刻。具体的说，将多个密封环Ib和约10°C以上约30°C以下的蚀刻液投入滚筒。
[0072]该蚀刻液由将由过氧化氢形成的氧化剂、由乙酸或氨形成的氧化物去除剂和水按照规定的比例混合得到的原液构成，或者由进一步加水将原液按规定的比例稀释得到的稀释液构成。需要说明的是，氧化剂具有将焊料层11 (参照图7)所含有的Ag和Cu氧化，分别成为氧化银和氧化铜的功能。氧化物去除剂具有将焊料层11的氧化银和氧化铜溶解去除的功能。需要说明的是，蚀刻液构成为容易蚀刻焊料层11的银焊料且不易蚀刻基材层10 (参照图7)的Fe-N1-Co合金。
[0073]之后，使滚筒按照规定的速度转动规定的时间。由此，通过各向同性地去除焊料层11，焊料层11的表面被去除相当于厚度t6(参照图7)。另一方面，基材层10几乎不被去除。
[0074]其结果，位于基材层10的侧面1c且具有比厚度t6小的厚度t7的侧面焊料部分Iif被去除。即，至少覆盖基材层10的大致平坦面状的侧面1c的焊料层11的部分(侧面焊料部分Ilf)被去除。另外，焊料层11的下侧角部Ile通过在下表面Ilb侧和侧面Ilc侧的两侧暴露于蚀刻液而形成弧形。进而，伴随焊料层11的暴露在外部的表面被去除，附着于焊料层11的露出的表面的异物6也被去除。作为这些的结果，焊料层11的形状如图7的两点划线所示，成为形成至基材层10的下侧角部1e的大致中央A为止而另一方面未形成在基材层10的侧面1c上的形状。
[0075]之后，使用硫酸等将残留在焊料层11的表面的氧化物(氧化银和氧化铜)清洗除掉后，通过进行水洗(冲洗)和醇置换，制造图3所示的密封环I。
[0076]接下来，参照图4、图7?图9，对使用本发明的第一实施方式的密封环I的电子部件收纳用封装100的制造工艺进行说明。
[0077]首先，如图8所示，在由陶瓷形成的基台2的上表面2b配置密封环I。此时，以密封环I的焊料层11的下表面Ilb与上表面2b抵接的方式配置密封环I。之后，在形成焊料层11的银焊料的固相线(约780V )以上的焊接温度，使焊料层11熔融。由此，通过熔融的焊料层11，使密封环I与基台2的上表面2b接合。此时，由于通过湿式蚀刻去除在密封环I的基材层10的侧面1c形成的侧面焊料部分Ilf (参照图7)，所以能够抑制焊料层11在基材层10的侧面1c向上方(Zl侧)过度地蔓延。由此，能够减少焊料层11向基材层10的上表面1a附近的蔓延。
[0078]之后，如图9所示，在基台2的收纳部2a经由凸块4安装电子部件5。然后，在使盖部件3与基材层10的上表面1a抵接的状态下进行缝焊。由此，盖部件3被焊接于密封环I的上表面10a。此时，由于焊料层11不过度地位于基材层10的上表面1a附近，所以可以抑制因缝焊时的热导致的过度位于基材层10的上表面1a附近的焊料层11的一部分扩散至盖部件3的下表面。其结果，焊料层11的一部分从盖部件3的下表面向电子部件5的飞散得到抑制。由此，能够制造图4所示的电子部件收纳用封装100。
[0079]第一实施方式中，如上所述，将形成于密封环Ib的焊料层11且至少覆盖基材层10的大致平坦面状的侧面1c的侧面焊料部分Ilf通过湿式蚀刻去除，能够抑制在使密封环I的焊料层11熔融将电子部件收纳用封装100的基台2与密封环I接合时，焊料层11沿着侧面焊料部分Ilf在基材层10的侧面1c过度地蔓延。由此，可以抑制在使盖部件3与密封环I的基材层10的上表面1a抵接的状态下进行缝焊时，由于焊接时的热而使焊料层11的一部分扩散至盖部件3的下表面。其结果，能够抑制焊料层11的一部分从盖部件3的下表面飞散而附着于电子部件收纳用封装100所收纳的电子部件5。
[0080]另外，第一实施方式中，为了将侧面焊料部分Ilf去除而进行湿式蚀刻，由此与通过机械研磨等去除侧面焊料部分Ilf的情况相比，能够可靠地去除覆盖基材层10的侧面1c的微小的侧面焊料部分Hf。
[0081]另外，第一实施方式中，通过各向同性地去除焊料层11而将侧面焊料部分Ilf去除，并且将焊料层11的下侧角部lie形成为弧形，由此，不需要为了选择性去除侧面焊料部分Ilf而进行复杂蚀刻处理，因此能够容易地去除侧面焊料部分Hf。另外，由于焊料层11的下侧角部Ile成为弧形形状而不是尖锐的形状，所以能够抑制尖锐的焊料层11的下侧角部Ile与其他的部件等接触时损伤其他的部件。
[0082]另外，第一实施方式中，通过使用容易蚀刻焊料层11的银焊料且不易蚀刻基材层10的Fe-N1-Co合金的液体作为蚀刻液，能够容易选择性地蚀刻焊料层11。
[0083]另外，第一实施方式中，通过主要含有约30质量％的N1、约17质量％的Co、和Fe的Fe-N1-Co合金形成基材层10，通过主要含有约85质量％的Ag和Cu的银焊料形成焊料层11，并且蚀刻液由将由过氧化氢形成的氧化剂、由乙酸或氨形成的氧化物去除剂和水按照规定的比例混合得到的原液构成，或者由进一步添加水将原液按照规定的比例稀释得到的稀释液构成。由此，能够选择性地蚀刻由银焊料形成的焊料层11，有效地去除侧面焊料部分Hf。
[0084]另外，第一实施方式中，伴随着湿式蚀刻中焊料层11的暴露在外部的表面被去除，附着于焊料层11的表面的异物6也被去除，由此，在用于去除侧面焊料部分Ilf的湿式蚀刻时，同时将异物6去除，因此，与另外设置去除异物6的工序的情况不同，能够简化工序。
[0085](第一实施方式的实施例)
[0086]接下来，参照图3、图4、图7、图10和图11，说明为了确认本发明的第一实施方式的效果而进行的蚀刻状态的观察、金属溶出量测定以及焊料层的熔融状态的观察。
[0087](蚀刻状态的观察)
[0088]首先，对使湿式蚀刻的处理时间不同的情况下的焊料层的状态的变化进行观察。该观察中，使用上述第一实施方式的密封环lb(参照图7)。另外，作为蚀刻液，准备将含有乙酸25质量％的乙酸水、含有过氧化氢35质量％的过氧化氢水和水以1:5:4的体积比混合得到的原液。然后，制作原液与水的体积比为1:1的1:1稀释液作为蚀刻液。之后，将密封环Ib和蚀刻液投入滚筒，使滚筒以规定的速度转动。然后，使用扫描式电子显微镜(S-3400N,日立High-Technologies公司生产)在每个规定的处理时间观察侧面焊料部分Ilf (参照图7)附近的蚀刻状态。
[0089]在湿式蚀刻前，以覆盖基材层的侧面的方式形成侧面焊料部分。另外，焊料层的表面上附着有多个因滚筒抛光造成的异物。之后，在湿式蚀刻的处理时间经过一定程度的状态下，覆盖基材层的侧面的侧面焊料部的一部分被去除，异物不被观察到。这可以认为是伴随焊料层被各向同性地去除，附着于焊料层的被去除的表面部分的异物也移动至蚀刻液中的缘故。
[0090]之后，如果再经过一段湿式蚀刻的处理时间，则覆盖侧面的侧面焊料部分逐渐地被去除，从而观察到基材层的下侧角部与焊料层的边界位置。由此，能够观察到覆盖基材层的侧面的侧面焊料部分被完全地去除。
[0091]另外，含有上述原液的蚀刻液中，随着增加水的比例使蚀刻液稀释，确认到侧面焊料部分的去除时间变长。另外，由含有上述原液的1:1稀释液构成的蚀刻液中，随着蚀刻液的温度上升，确认到侧面焊料部分的去除时间变短。
[0092]另外，作为湿式蚀刻中的蚀刻液的原液，准备将含有氨35质量％的氨水、含有过氧化氢35质量％的过氧化氢水和水以1:1:1的体积比混合得到的氨原液。然后，制作氨原液与水的体积比为1:4的1:4稀释液作为蚀刻液。在使用含有该氨原液的蚀刻液进行湿式蚀刻的情况下，也确认到了侧面焊料部分被去除。
[0093]另外，测定湿式蚀刻前后的基材层的表面以及焊料层的表面的表面粗糙度。具体的说，使用激光显微镜(VK-8700，Keyence公司生产)，测定基材层的表面以及焊料层的表面的算术平均粗糙度Ra与最大高度粗糙度Rz。作为其结果，基材层的表面以及焊料层的表面的表面粗糙度在湿式蚀刻前后几乎没有变化。由此明确基材层的表面以及焊料层的表面通过湿式蚀刻几乎不被粗糙化。
[0094](金属溶出量测定)
[0095]接下来，测定形成基材层的Fe-N1-Co合金向蚀刻液中的溶出量、和形成焊料层的主要含有85质量％的Ag和Cu的银焊料向蚀刻液中的溶出量。具体的说，将上述密封环Ib和蚀刻液(上述原液与水的体积比为1:1的1:1稀释液)投入滚筒，使滚筒以规定的速度转动I小时。由此，密封环Ib的焊料层几乎溶解。之后，使用ICP发光分析装置测定蚀刻液所含的Ag、Cu、Fe、Ni和Co。
[0096]湿式蚀刻后的蚀刻液中，以接近85:15的比例含有Ag和Cu。由此，能够确认焊料层的Ag和Cu均溶出至蚀刻液中，并且没有出现Ag和Cu中的仅一者优先溶出至蚀刻液的情况。另一方面，Fe的溶出量是小于Cu的溶出量的1000分之I的量，而Ni和Co未被检出。由此明确，基材层几乎未溶出至蚀刻液中。
[0097](焊料层的熔融状态的观察)
[0098]接下来，观察焊料层的熔融状态。该焊料层的熔融状态的观察中，在去除了侧面焊料部分Ilf (参照图7)的实施例1的密封环I (参照图3)、和没有去除侧面焊料部分Ilf的比较例I的密封环(密封环lb，参照图7)中，进行使焊料层11熔融时的焊料层11的熔融状态的观察。
[0099]具体的说，以表面叠层有镀Ni和镀Au的Fe-N1-Co合金板8与焊料层11抵接的方式，配置实施例1的密封环I和比较例I的密封环lb。之后，在形成焊料层11的银焊料的固相线(约780V )以上的焊接温度，使焊料层11熔融，使密封环I (Ib)与Fe-N1-C0合金板8接合。然后，使用扫描式电子显微镜观察焊料层11的熔融状态。
[0100]作为图10和图11所示的焊料层的熔融状态，在图10所示的实施例1中，焊料层11几乎未蔓延至基材层10的两侧面10c。另一方面，在图11所示的比较例I中，焊料层11的蔓延部分Ilg形成为覆盖基材层10的两侧面1c的一半以上,并且延伸至侧面1c的上表面1a附近。由此，能够确认实施例1中的焊料层11的蔓延量充分小于比较例I中的焊料层11的蔓延量，并且实施例1中的焊料层11几乎不位于侧面1c的上表面1a附近。因此，能够确认去除了侧面焊料部分Ilf的实施例1中的密封环I与没有去除侧面焊料部分Ilf的比较例I的密封环相比，能够抑制焊料层11的过度的蔓延。
[0101]需要说明的是，上述焊料层的熔融状态的观察中，虽然表示了在表面叠层有镀Ni和镀Au的Fe-N1-Co合金板8上使密封环I的焊料层11熔融的例子，但可以认为在由陶瓷形成的基台2的上表面2a(参照图4)上使密封环I的焊料层11熔融的情况下，焊料层11也成为相同的熔融状态。
[0102](第二实施方式)
[0103]接下来，参照图3，对本发明的第二实施方式的密封环301的结构进行说明。该第二实施方式的密封环301中，与上述第一实施方式的密封环I不同，对焊料层311的表面附近的Ag的浓度大于焊料层311的内部Ilg的Ag的浓度的情况进行说明。
[0104]第二实施方式的密封环301与上述第一实施方式不同，构成为焊料层311的表面(下表面lib、一对侧面11c、一对上侧角部Ild和一对下侧角部lie)以及其附近的Ag的浓度达到约90质量％以上。该浓度构成为大于焊料层311的焊料本身(湿式蚀刻前的焊料)的Ag浓度(约85质量％ )以及焊料层311的内部Ilg的Ag的浓度(约85质量％ )。需要说明的是，第二实施方式的其他的密封环301的结构与上述第一实施方式相同。
[0105]接下来，参照图3以及图5?图7，对本发明的第二实施方式的密封环301的制造工艺进行说明。
[0106]与上述第一实施方式同样，首先，如图5所示，从具有由Fe-N1-Co合金形成的基材层10和由主要含有约85质量％的Ag和Cu的银焊料形成的焊料层11的包覆材料200，如图6所示，形成冲裁成密封环I的形状的密封环la。之后，为了去除在密封环Ia的基材层10所形成的微小突起1f，进行滚筒抛光，如图7所示，形成去除了基材层10上的微小突起1f的密封环lb。之后，为了去除在密封环Ib的焊料层11所形成的侧面焊料部分Hf，进行湿式蚀刻。具体的说，将多个密封环Ib和约10°C以上约30°C以下的蚀刻液投入滚筒。
[0107]这里，第二实施方式中，与使用将由过氧化氢形成的氧化剂、由乙酸或氨形成的氧化物去除剂和水以规定的比例混合得到的原液，或者进一步添加水将原液以规定的比例稀释得到的稀释液作为蚀刻液的上述第一实施方式不同，使用向该原液或稀释液中进一步添加包含稀硫酸的强酸得到的溶液作为蚀刻液。向蚀刻液中添加该稀硫酸，使得稀硫酸的浓度达到蚀刻液整体的约0.5质量％以上的浓度。此时，优选向蚀刻液中添加至稀硫酸的浓度达到蚀刻液整体的约0.5质量％以上1.0质量％以下的浓度，更优选向蚀刻液中添加至蚀刻液整体的约0.7质量％以上1.0质量％以下的浓度。
[0108]该稀硫酸具有将由过氧化氢而形成的焊料层311 (参照图3)的氧化物(氧化银和氧化铜)中的氧化铜优先去除的功能。由此，在焊料层311的表面(下表面lib、一对侧面11c、一对上侧角部Ild和一对下侧角部lie)中，通过硫酸而使氧化铜比氧化银优先被去除而消耗，因此，Cu的氧化速度和氧化铜的去除速度一起加快。其结果，Cu被优先去除。
[0109]之后，使滚筒以规定的速度转动规定的时间。由此，焊料层311被各向同性地去除，而另一方面，基材层10几乎不被去除。而且，焊料层311的表面附近的Cu被优先去除，焊料层311的表面附近的Ag的浓度达到约90质量％以上。其结果，焊料层311的表面附近的Ag的浓度大于焊料层311的焊料本身(湿式蚀刻前的焊料)的Ag浓度(约85质量％ )以及焊料层311的内部Ilg的Ag的浓度(约85质量％)。
[0110]另外，在上述湿式蚀刻的前后，构成焊料层311的银焊料的固相线(焊料层311的一部分开始熔化的温度)为约780°C，几乎没有变化。即，虽然焊料层311的表面附近的Ag的浓度变大，银焊料的固相线也为约780°C几乎不变化。
[0111]另外，上述湿式蚀刻中，由于残留在焊料层311的表面的氧化物(氧化银和氧化铜)基本被除掉，所以与上述第一实施方式不同，不进行将残留在焊料层311的表面的氧化物使用硫酸等清洗除掉的工序，直接进行水洗(冲洗)和醇置换。由此，制造图3所示的密封环301。
[0112]第二实施方式中，如上所述，通过湿式蚀刻去除形成于密封环Ib的焊料层311且至少覆盖基材层10的大致平坦面状的侧面1c的侧面焊料部分Hf，由此能够抑制焊料层311沿侧面焊料部分Ilf在基材层10的侧面1c过度地蔓延。
[0113]另外，第二实施方式中，通过使用向原液或稀释液进一步添加含有约0.5质量％以上的浓度的稀硫酸的强酸得到的溶液作为蚀刻液而将焊料层311的表面附近的Cu优先去除，使焊料层311的表面附近的Ag的浓度大于焊料层311的焊料本身(湿式蚀刻前的焊料)的Ag浓度(约85质量％ )以及焊料层311的内部Ilg的Ag的浓度(约85质量％ )，由此，Ag比Cu更具有耐腐蚀性，因此，相比于湿式蚀刻前，能够通过焊料层311的表面附近的Ag更加提高焊料层311的表面的耐腐蚀性。另外，通过焊料层311的表面附近的Ag的浓度大，能够使焊料层311的表面的色调接近银色。另外，由于使用添加了 Cu优先去除剂的蚀刻液，能够优先去除焊料层311的表面的Cu，所以能够容易地使焊料层311的表面附近的Ag的浓度大于焊料层311的内部Ilg的Ag的浓度，使焊料层311的表面附近的Ag残留和浓化。
[0114]另外，第二实施方式中，因为通过使用向原液或稀释液进一步添加含有稀硫酸的强酸得到的溶液作为蚀刻液，能够可靠地将Cu的氧化物优先去除，所以能够容易地优先去除焊料层311的表面的Cu。
[0115]另外，第二实施方式中能够构成为，虽然焊料层311的表面附近的Ag的浓度在湿式蚀刻的前后变大，也使构成焊料层311的银焊料的固相线(焊料层311的一部分开始熔化的温度)为约780°C几乎不变化，因此，能够抑制因焊料层311的固相线(约780°C )变高导致的使焊料层311熔化所需要的温度升高。
[0116]另外，第二实施方式中，在湿式蚀刻之后，没有必要另外设置用于将密封环311的表面残留的氧化银和氧化铜除掉清洗的工序(一般来说，使用硫酸清洗密封环311的表面的工序)，因此,能够简化工序。
[0117](第二实施方式的实施例)
[0118]接下来，参照图3、图7和图12?图15，对于为了确认本发明的第二实施方式的效果而进行的焊料层的表面的浓度的测定、焊料层的深度方向的浓度的测定、固相线的测定以及耐腐蚀性试验进行说明。
[0119](焊料层的表面的浓度的测定)
[0120]首先，测定焊料层的表面的Cu和Ag的浓度。该测定中，准备具备由Fe-N1-Co合金形成的基材层10和由含有85质量％的Ag和15质量％的Cu的银焊料形成的焊料层11的密封环lb(参照图7)。之后，作为比较例2的密封环，不进行湿式蚀刻，直接使用密封环lb。另一方面，实施例2及3中，对于密封环Ib进行了湿式蚀刻。
[0121]此时，与上述第一实施方式对应的实施例2中，准备将含有乙酸25质量％的乙酸水、含有过氧化氢35质量％的过氧化氢水和水以1:5:4的体积比混合得到的原液。然后，制作原液与水的体积比为1:4的1:4稀释液作为蚀刻液。之后，在25°C的温度条件下，将密封环Ib和蚀刻液投入滚筒，使滚筒以规定的速度转动后，进行清洗等。由此，得到实施例2的密封环1(参照图3)。
[0122]另一方面，与上述第二实施方式对应的实施例3中，使用向上述1:4稀释液添加强酸的稀硫酸得到的液体作为蚀刻液。此时，硫酸的浓度调整为蚀刻液整体的0.7质量％。之后，与实施例2同样地，在25°C的温度条件下，将密封环Ib和蚀刻液投入滚筒，使滚筒以规定的速度转动后，进行水洗等。由此，得到实施例3的密封环301 (参照图3)。
[0123]之后，使用电子探针显微分析仪(Electron Probe MicroAnalyser:EPMA)观察比较例2的密封环lb、实施例2的密封环I和实施例3的密封环301的各个表面的两个部位。之后，求出Cu的存在量相对于焊料层的表面的Cu的存在量和Ag的存在量的合计的比例作为Cu的浓度，并且求出Ag的存在量的比例作为Ag的浓度。
[0124]图12所示，如实施例2那样使用没有添加硫酸的蚀刻液的情况下，湿式蚀刻后，与湿式蚀刻前(比较例2)相比，Cu的浓度变大，Ag的浓度变小。这可以认为是因为仅仅用乙酸(氧化物去除剂)的情况下，去除Ag的氧化物(氧化银)的速度快于去除Cu的氧化物(氧化铜)的速度，Ag比较优先地被去除的缘故。
[0125]另一方面，如实施例3那样使用添加了硫酸0.7质量％的蚀刻液的情况下，在湿式蚀刻后，与湿式蚀刻前(比较例2)相比，Cu的浓度变小，Ag的浓度变大。这可以认为是通过在乙酸之外还添加硫酸，去除氧化铜的速度快于去除氧化银的速度，因此Cu被优先去除的缘故。该结果明确，通过向蚀刻液添加硫酸，能够将焊料层表面的Cu优先去除，其结果，能够使焊料层的表面的Ag的浓度大于湿式蚀刻前(比较例2)的Ag的浓度，能够使Ag在焊料层的表面残留和浓化。
[0126](焊料层的深度方向的浓度的测定)
[0127]接下来，使用上述实施例3的密封环301，通过俄歇电子分光装置，测定焊料层的深度方向(相对于焊料层311的表面正交的方向)的Cu和Ag的浓度。
[0128]如图13所示，实施例3的密封环301中，Ag的浓度随着从焊料层的内部向表面逐渐变大。另一方面，Cu的浓度随着从焊料层的内部向表面逐渐变小。由该结果明确，通过向蚀刻液中添加硫酸，能够将焊料层的表面的Cu优先去除，其结果，使焊料层的表面附近的Ag的浓度大于焊料层的内部的Ag的浓度，能够使Ag在焊料层的表面残留和浓化。
[0129]另外，实施例3的密封环301中，在从焊料层的表面到0.1 μ m的深度为止的范围内，Ag的浓度的减少和Cu的浓度的增加比其他的范围更加平缓。由此可以认为，通过向蚀刻液添加硫酸，能够稳定地去除从焊料层的表面到0.1 μ m的深度为止的范围的Cu。
[0130](固相线的测定)
[0131]接下来，为了确认湿式蚀刻前后的焊料层的固相线的变化，进行固相线的测定。该固相线的测定中，除了上述比较例2和实施例3之外，通过使用使上述1:4稀释液中添加的硫酸的浓度不同的蚀刻液进行湿式蚀刻，制造实施例4?6的密封环301。这里，实施例4、5及6中，硫酸的浓度分别调整为蚀刻液整体的0.3质量％、0.5质量％和1.0质量％。需要说明的是，实施例4?6中的湿式蚀刻的条件与上述实施例3的条件相同。之后，使用差示热分析(DTA)法，测定比较例2的密封环Ib和实施例3?6的密封环301中的焊料层的固相线(焊料层的一部分开始熔化的温度)。
[0132]如图14所示，随着向蚀刻液中添加的硫酸的浓度变大，固相线略微变高。然而，实施例3?6的焊料层的固相线为湿式蚀刻前(比较例2)的焊料层的固相线(776.(TC )的1.5°C以内(776.1°C (实施例4)以上777.4°C (实施例6)以下)，可以认为几乎没有温度差。其结果，能够确认在湿式蚀刻的前后，焊料层的固相线几乎没有变化。
[0133](耐腐蚀性试验)
[0134]接下来，进行耐腐蚀性试验。在该耐腐蚀性试验中，进行将上述的比较例2的密封环Ib和实施例3的密封环301在85°C和85% Rh (相对湿度)的恒温恒湿条件下放置1000小时的恒温恒湿试验。之后，使用电子探针显微分析仪(Electron Probe MicroAnalyser:ΕΡΜΑ)观察恒温恒湿试验后的比较例2的密封环Ib和实施例3的密封环301的表面。之后，求出焊料层的表面的0(氧)的浓度(存在比)、Cu的浓度和Ag的浓度。
[0135]如图15所示，实施例3中，与比较例2相比在焊料层的表面的氧的浓度变小。由此明确，与如比较例2那样未进行湿式蚀刻的情况相比，如实施例3那样使用添加了硫酸0.7质量％的蚀刻液进行湿式蚀刻的情况下，湿式蚀刻后焊料层的表面的氧化得到抑制。这可以认为是由于在实施例3的密封环301中，与较易被氧化的Cu相比，比较不易被氧化的Ag大量存在于焊料层的表面，使焊料层的表面的氧化得到抑制的缘故。由该结果明确，通过如实施例3那样使用添加了硫酸的蚀刻液进行湿式蚀刻，能够抑制焊料层的表面的氧化，其结果，能够提高焊料层的表面的耐腐蚀性。
[0136]需要说明的是，本次公开的实施方式应被理解为在所有方面为例示而不是制限性的内容。本发明的范围由权利要求的范围表示，而非由上述实施方式的说明表示，进而包含与权利要求的范围均等的意义以及范围内的所有变更。
[0137]例如，在上述第一以及第二实施方式中表示了通过湿式蚀刻去除焊料层11的侧面焊料部分Ilf的例子，但本发明不限于此。本发明中，也可以通过干法蚀刻等的湿式蚀刻以外的方法，去除侧面焊料部分。
[0138]另外，在上述第一以及第二实施方式中表示了焊料层11被形成至基材层10的下侧角部1e的大致中央A为止的例子，但本发明不限于此。本发明中，可以将焊料层形成至基材层的下侧角部上且基材层的侧面附近的区域为止。另外，也可以不将焊料层形成于基材层的下侧角部上，而仅形成于基材层的下表面。
[0139]另外，上述第一以及第二实施方式中表示了至少使用将由过氧化氢形成的氧化齐U、由乙酸或氨形成的氧化物去除剂和水以规定的比例混合得到的原液或者进一步添加水将原液以规定的比例稀释得到的稀释液作为蚀刻液的例子，但本发明不限于此。本发明中，可以使用过氧化氢以外的氧化剂，也可以使用乙酸或氨以外的酸或碱作为氧化物去除剂。另外，还可以使用氟化铵作为氧化物去除剂。
[0140]另外，在上述第一以及第二实施方式中表示了使用容易蚀刻焊料层11的银焊料且不易蚀刻基材层10的Fe-N1-Co合金的蚀刻液的例子，但本发明不限于此。本发明中，也可以使用一定程度蚀刻基材层的Fe-N1-Co合金的蚀刻液。由此，能够省略进行用于去除微小突起的滚筒抛光的工序，或者能够缩短进行滚筒抛光的时间。
[0141]另外,在上述第一以及第二实施方式中表不了使用主要含有约85质量％的Ag和Cu的银焊料的例子，但本发明不限于此。例如，也可以使用主要含有约72质量％的Ag和Cu的银焊料。另外，也可以使用在Ag和Cu以外含有Sn的焊料。这种情况下，因为能够减小焊料的固相线，所以能够降低焊接温度。需要说明的是，焊料含有Sn的情况下，为了抑制在形成包覆材料时等压延变得困难的情况，优选构成为含有约6质量％以下的Sn。
[0142]另外，在上述第二实施方式中表示了使用含有稀硫酸的强酸作为向原液或稀释液添加的溶液的例子，但本发明不限于此。例如，可以将盐酸等的与硫酸不同的其他强酸添加至原液或稀释液中。另外，只要能够优先去除Cu，也可以是使用强酸以外的溶液作为Cu优先去除剂。
[0143]符号说明
[0144]1,301 密封环
[0145]6 异物
[0146]10基材层
[0147]1b下表面(一个表面)
[0148]1c 侧面
[0149]1f微小突起
[0150]11,311 焊料层
[0151]Ilf侧面焊料部分
[0152]Ilg 内部
[0153]100电子部件收纳用封装
[0154]200包覆材料
【权利要求】
1.一种密封环，其是用于电子部件收纳用封装(100)的密封环(1)，其特征在于: 由基材层(10)与配置在所述基材层(10)的一个表面(1b)的焊料层(11)接合而成的包覆材料构成， 所述焊料层中的覆盖所述基材层的侧面(1C)的侧面焊料部分(Ilf)被去除。
2.如权利要求1所述的密封环，其特征在于: 所述基材层包含将所述基材层的所述一个表面与被形成为大致平坦面状的所述侧面连接的弧形的角部(1e)， 至少所述焊料层中的覆盖所述大致平坦面状的侧面的所述侧面焊料部分被去除。
3.如权利要求1所述的密封环，其特征在于: 所述基材层主要含有Fe、Ni和Co，所述焊料层主要含有Ag和Cu。
4.如权利要求1所述的密封环，其特征在于: 所述焊料层主要含有Ag和Cu， 所述焊料层的表面附近的Ag的浓度大于所述焊料层的内部(Hg)的Ag的浓度。
5.一种密封环的制造方法，其用于制造用于电子部件收纳用封装(100)的密封环(1)，该制造方法的特征在于，包括: 准备包覆材料(200)的工序，该包覆材料(200)包括基材层(10)和接合于所述基材层的一个表面(1b)的焊料层(11)； 将所述包覆材料冲裁成所述密封环的形状的工序；和 去除在将所述包覆材料冲裁成所述密封环的形状时所述焊料层延伸所形成的所述焊料层中覆盖所述基材层的侧面(1c)的侧面焊料部分(Ilf)的工序。
6.如权利要求5所述的密封环的制造方法，其特征在于: 所述基材层包含将所述基材层的所述一个表面与被形成为大致平坦面状的所述侧面连接的弧形的角部(1e)， 去除所述侧面焊料部分的工序包括:至少去除所述焊料层中的覆盖所述大致平坦面状的侧面的所述侧面焊料部分的工序。
7.如权利要求5所述的密封环的制造方法，其特征在于:去除所述侧面焊料部分的工序包括:通过湿式蚀刻去除所述侧面焊料部分的工序。
8.如权利要求7所述的密封环的制造方法，其特征在于: 通过所述湿式蚀刻去除所述侧面焊料部分的工序包括:通过利用所述湿式蚀刻各向同性地去除所述焊料层，去除所述侧面焊料部分的工序。
9.如权利要求8所述的密封环的制造方法，其特征在于: 通过所述湿式蚀刻各向同性地去除所述焊料层的工序包括:通过所述湿式蚀刻，去除所述侧面焊料部分，并且将所述焊料层的角部(lie)形成为弧形的工序。
10.如权利要求7所述的密封环的制造方法，其特征在于: 通过所述湿式蚀刻去除所述侧面焊料部分的工序包括:使用容易蚀刻所述焊料层且不易蚀刻所述基材层的蚀刻液，去除所述侧面焊料部分的工序。
11.如权利要求10所述的密封环的制造方法，其特征在于: 所述基材层主要含有Fe、Ni和Co， 所述焊料层主要含有Ag和Cu， 所述蚀刻液至少含有使所述焊料层的表面氧化的氧化剂、去除被氧化的所述焊料层的氧化物去除剂、和水。
12.如权利要求11所述的密封环的制造方法，其特征在于: 所述蚀刻液至少含有由过氧化氢构成的所述氧化剂、由乙酸构成的所述氧化物去除齐U、和所述水。
13.如权利要求7所述的密封环的制造方法，其特征在于: 所述焊料层主要含有Ag和Cu， 所述湿式蚀刻的蚀刻液含有使所述焊料层的表面氧化的氧化剂、去除被氧化的所述焊料层的氧化物去除剂、水、和用于优先去除所述焊料层的表面的Cu的Cu优先去除剂， 通过所述湿式蚀刻去除所述侧面焊料部分的工序包括:通过使用所述蚀刻液优先去除所述焊料层的表面的Cu，使所述焊料层的表面附近的Ag的浓度大于所述焊料层的内部(Hg)的Ag的浓度的工序。
14.如权利要求7所述的密封环的制造方法，其特征在于: 所述焊料层主要含有Ag和Cu， 所述湿式蚀刻的蚀刻液含有使所述焊料层的表面氧化的氧化剂、去除被氧化的所述焊料层的氧化物去除剂、水、和用于优先去除所述焊料层的表面的Cu的Cu优先去除剂， 通过所述湿式蚀刻去除所述侧面焊料部分的工序包括:通过使用所述蚀刻液优先去除所述焊料层的表面的Cu，使所述焊料层的表面附近的Ag的浓度大于通过所述湿式蚀刻去除所述侧面焊料部分之前的所述焊料层的Ag的浓度的工序。
15.如权利要求13所述的密封环的制造方法，其特征在于: 所述Cu优先去除剂由强酸构成。
16.如权利要求15所述的密封环的制造方法，其特征在于: 所述Cu优先去除剂由作为所述强酸的硫酸构成。
17.如权利要求16所述的密封环的制造方法，其特征在于: 所述蚀刻液中，所述硫酸被添加至占所述蚀刻液整体的0.5质量％以上的浓度。
18.如权利要求13所述的密封环的制造方法，其特征在于: 在通过所述湿式蚀刻去除所述侧面焊料部分的工序的前后，所述焊料层的固相线基本没有变化。
19.如权利要求13所述的密封环的制造方法，其特征在于: 通过所述湿式蚀刻去除所述侧面焊料部分的工序兼为将残留在所述密封环的表面的被氧化的所述焊料层除掉并清洗的工序。
20.如权利要求7所述的密封环的制造方法，其特征在于: 在通过所述湿式蚀刻去除所述侧面焊料部分的工序之前，还具备去除将所述包覆材料冲裁成所述密封环的形状时所形成的所述基材层的微小突起(1f)的工序， 通过湿式蚀刻去除所述侧面焊料部分的工序包括:通过所述湿式蚀刻去除所述侧面焊料部分和将所述微小突起去除时附着的异物￠)的工序。
【文档编号】C22C38/00GK104364895SQ201380029283
【公开日】2015年2月18日 申请日期:2013年1月15日 优先权日:2012年6月4日
【发明者】仁科顺矢, 前田圭一郎, 浅田贤 申请人:日立金属株式会社