一种等离子镀膜设备用引弧装置制造方法
【专利摘要】一种等离子镀膜设备用引弧装置，该装置由市电AC的L经限流电阻R1和N分别接二极管D1、D2串联联接点和电解电容C1、C2串联连接点，二极管D1和电解电容C1的连接点与MOS管Q的漏极相接，MOS管Q反向并联有二极管D3，MOS管Q的控制极经电阻R2连接触发变压器T1次级的一端，MOS管Q的源极连接触发变压器T1次级的另一端，电容C3垮接于电阻R3和电阻R4的两端，触发变压器T1的输入端连接脉冲触发电路，脉冲触发电路连接控制电路和电阻R4与电阻R3的连接点。该装置用倍压整流取代庞大、昂贵的工频升压变压器，用脉冲触发晶体开关技术经脉冲升压隔离变压器输出脉冲引弧电压，具有稳定、安全、可靠的优点。
【专利说明】—种等离子镀膜设备用引弧装置
【技术领域】
[0001]本发明属于电源领域，特别涉及一种引弧装置。
【背景技术】
[0002]电弧镀膜、电弧离子镀的原理是基于冷阴极自持真空弧光放电理论。在电弧源离子镀中，以镀膜材料作为靶极(阴极)，借助引孤装置，使靶表面产生弧光放电。采用低电压、大电流、电弧放电技术，利用气体放电或被蒸发物质部分电离，并在气体离子或被蒸发物质离子轰击下，将被蒸发物质或其反应产物沉积在基片上。它是一种自蒸发自离化式固体蒸发源。这种蒸发源可蒸镀金属材料、合金材料，也可进行反应离子镀，如TiN、TiC、(TiAl)N、ZrN、等超硬膜，Al、Ag、Cu高低温耐蚀膜、不锈钢、黄铜、镍铬、(TiAl)N、T1、Cr等装饰保护膜等。
[0003]在电弧镀膜、空心阴极镀膜、磁控溅射、离子束镀膜等这许多方法中，其中电弧镀膜被认为最具有市场价值。
[0004]该方法运用了等离子体真空镀膜原理，将电弧镀技术与磁控离子镀技术融合一体，实现多功能镀膜的目的。
[0005]目前，在等离子 涂膜设备中采用的引弧装置有高频引弧器和工频升压脉冲引弧器，闻频引弧器缺点有:
[0006](I)高频引弧器的火花放电器容易烧蚀，间隙难以调整；
[0007](2)体积大、质量重；
[0008](3)高频引弧器对计算机、通信、快速开关管和快速整流管干扰严重。
[0009]而工频升压脉冲引弧器体积庞大，成本高。
【发明内容】
[0010]本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种等离子镀膜设备用引弧装置，该装置用倍压整流取代庞大、昂贵的工频升压变压器，用脉冲触发晶体开关技术经脉冲升压隔离变压器输出脉冲引弧电压，具有稳定、安全、可靠的优点。
[0011]本发明为实现上述目的所采用的技术方案是:一种等离子镀膜设备用引弧装置，其特征在于:二极管Dl、D2同向串联，电解电容Cl、C2同向串联，市电AC的L经限流电阻Rl和N分别接二极管Dl、D2串联联接点和电解电容Cl、C2串联连接点，串联后的二极管D1、D2的负端和正端分别连接串联后的电解电容C1、C2的正端和负端，二极管Dl和电解电容Cl的连接点与MOS管Q的漏极相接，MOS管Q反向并联有二极管D3，MOS管Q的控制极经电阻R2连接触发变压器Tl次级的一端，MOS管Q的源极连接触发变压器Tl次级的另一端，再经电感LI连接脉冲变压器T2的I输入端，脉冲变压器T2的另一输入端经电阻R3和电阻R4接GND，电容C3垮接于电阻R3和电阻R4的两端，触发变压器Tl的输入端连接脉冲触发电路，脉冲触发电路连接控制电路和电阻R4与电阻R3的连接点。
[0012]所述脉冲变压器T2初次级匝数比小于或等于1:3。[0013]本发明的有益效果是:装置简单、体积小、质量轻，成本低，功耗小，可靠性高，降低了对计算机、电子设备的干扰。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步说明。
[0015]图1是一种等离子镀膜设备用引弧装置结构示意图。
【具体实施方式】
[0016]以下结合附图对本发明做进一步说明，但本发明并不局限于具体实施例。
[0017]实施例
[0018]如图1所示的一种等离子镀膜设备用引弧装置，其中，二极管D1、D2电解电容Cl、C2组成倍压整流，串联了的Cl、C2两端的电压是输入交流电压的2*1.414倍，即220V*2.828达622V，接法是二极管Dl、D2同向串联，电解电容Cl、C2也是同向串联，市电AC的L和N接分别接二极管D1、D2串联联接点和电解电容C1、C2串联连接点，串联后的二极管Dl、D2的负端和正端分别连接串联后的电解电容Cl、C2的正端和负端，二极管Dl和电解电容Cl的连接点与MOS管Q的漏极相接，MOS管Q反向并联有保护二极管D3，MOS管Q的控制极经电阻R2连接触发变压器Tl次级的一端，MOS管Q的源极连接触发变压器Tl次级的另一端，再 经电感LI连接脉冲变压器T2的I输入端，变压器T2的另一输入端经电阻R3、R4接GND，电容C3垮接于串联了的电阻R3、R4的两端，R3、R4是C3的放电电阻，R4又是电流取样电阻，触发变压器Tl的输入端连接脉冲触发电路，脉冲触发电路受控制电路和R4上反馈保护信号控制，MOS管Q被脉冲触发导通，串联的电解电容两端的电压经可控硅Q、电感L1、脉冲变压器T2初级、电容器C3放电，由于此时回路阻抗很小，通过脉冲变压器初级电流很大，强大的能量反馈到次级，而其次级的匝数是10倍，即脉冲变压器T2初次级匝数比为1:10，输出6千伏以上引弧电压。
【权利要求】
1.一种等离子镀膜设备用引弧装置，其特征在于:二极管Dl、D2同向串联，电解电容Cl、C2同向串联，市电AC的L经限流电阻Rl和N分别接二极管Dl、D2串联联接点和电解电容C1、C2串联连接点，串联后的二极管Dl、D2的负端和正端分别连接串联后的电解电容Cl、C2的正端和负端，二极管Dl和电解电容Cl的连接点与MOS管Q的漏极相接，MOS管Q反向并联有二极管D3，M0S管Q的控制极经电阻R2连接触发变压器Tl次级的一端，MOS管Q的源极连接触发变压器Tl次级的另一端，再经电感LI连接脉冲变压器T2的I输入端，脉冲变压器T2的另一输入端经电阻R3和电阻R4接GND，电容C3垮接于电阻R3和电阻R4的两端，触发变压器Tl的输入端连接脉冲触发电路，脉冲触发电路连接控制电路和电阻R4与电阻R3的连接点。
2.根据权利要求1所述的一种等离子镀膜设备用引弧装置，其特征是:所述脉冲变压器T2初次级匝数比小于或等于1:3。
【文档编号】C23C14/32GK103981493SQ201410240556
【公开日】2014年8月13日 申请日期:2014年5月30日 优先权日:2014年5月30日
【发明者】林国强, 钱立平, 韩治昀, 魏科科 申请人:大连理工常州研究院有限公司