一种等离子镀膜设备用励磁电源装置制造方法
【专利摘要】一种等离子镀膜设备用励磁电源装置，该装置由市电AC供电的由PWM控制的隔离开关电源，辅助电源的VCC和GND连接运放IC和电位器RW1的VCC和GND，运放IC的负输入端连接选择开关S1的Z端，选择开关S1的Y端连接电位器RW1的移动触点，选择开关的X端连接电位器RW2的移动触点，电位器RW2的输入端连接电流传感器，运放IC1的输出分别连接光耦IC2的a、b极，光耦IC2的c、d连接由PWM控制的开关电源。该发明中使用开关电源取代了工频变压器降压整流电路和DC/DC转换电路，还省去了驱动电路及其辅助电源和PWM控制电路的辅助电源，生产稳定性提高，使用寿命增加。
【专利说明】—种等离子镀膜设备用励磁电源装置
【技术领域】
[0001 ] 本发明属于电源领域，特别涉及一种励磁电源装置。
【背景技术】
[0002]电弧镀膜、电弧离子镀的原理是基于冷阴极自持真空弧光放电理论。在电弧源离子镀中，以镀膜材料作为靶极(阴极)，借助引孤装置，使靶表面产生弧光放电。采用低电压、大电流、电弧放电技术，利用气体放电或被蒸发物质部分电离，并在气体离子或被蒸发物质离子轰击下，将被蒸发物质或其反应产物沉积在基片上。它是一种自蒸发自离化式固体蒸发源。这种蒸发源可蒸镀金属材料、合金材料，也可进行反应离子镀，如TiN、TiC、(TiAl)N,ZrN等超硬膜，Al、Ag、Cu高低温耐蚀膜、不锈钢、黄铜、镍铬、(TiAl)N,Ti, Cr等装饰保护膜等。在电弧镀膜、空心阴极镀膜、磁控溅射、离子束镀膜等这许多方法中，其中电弧镀膜被认为最具有市场价值。他运用了等离子体真空镀膜原理，将电弧镀技术与磁控离子镀技术融合一体，实现多功能镀膜的目的。
[0003]在等离子电弧涂膜设备中磁控离子镀所采用的励磁电源必须要有人机界面和输出电压着弧前后分别控制，确保安全、稳定、可靠，现有该装置是采用工频变压器隔离降压-经整流滤波-DC/DC转换-隔离驱动及其隔离辅助电源-PWM控制及其隔离辅助电源，DZ/DC转换器直接输出I路，再经模拟调压电路调压输出为2路。
[0004]该装置较为复杂，缺乏保护系统，由于复杂就带来了故障频发，如开关管烧毁、机外控制失灵等现象，由于复杂就带来了生产成本提高，而且很不利于批量生产。
【发明内容】
[0005]本发明的目的是为了克服现有技术的不足，提供一种等离子镀膜设备用励磁电源装置，该装置不仅由开关电源取代了工频变压器降压整流电路和DC/DC转换电路，还省去了驱动电路及其辅助电源和PWM控制电路的辅助电源，生产稳定性提高，使用寿命增加。
[0006]本发明为实现上述目的所采用的技术方案是:一种等离子镀膜设备用励磁电源装置，其特征是:市电AC供电的由PWM控制的隔离开关电源，辅助电源的VCC和GND连接运放IC和电位器RWl的VCC和GND，运放IC的负输入端连接选择开关SI的Z端，选择开关SI的Y端连接电位器RWl的移动触点，选择开关的X端连接电位器RW2的移动触点，电位器RW2的输入端连接电流传感器，运放ICl的输出分别连接光耦IC2的a、b极，光耦IC2的c、d连接由PWM控制的开关电源。
[0007]本发明方法的有益效果是:不仅由开关电源取代了工频变压器降压整流电路和DC/DC转换电路，还省去了驱动电路及其辅助电源和PWM控制电路的辅助电源，该装置具有安全、稳定、可靠的优点，可以重复批量生产。
【专利附图】
【附图说明】
[0008] 图1是本发明一种等离子镀膜设备用励磁电源装置结构示意图。[0009]图2是现有技术中电源装置的结构示意图。
【具体实施方式】
[0010]以下结合附图对本发明做进一步说明，但是本发明并不局限于具体实施例。
[0011]实施例
[0012]市电AC供电的由PWM控制的隔离开关电源I，辅助电源2的VCC和GND连接运放IC和电位器RWl的VCC和GND，运放IC的负输入端连接选择开关SI的Z端，选择开关SI的Y端连接电位器RWl的移动触点，选择开关的X端连接电位器RW2的移动触点，电位器RW2的输入端连接电流传感器(3)，运放ICl的输出分别连接光耦IC2的a、b极，光耦IC2的C、d连接由PWM控制的开关电源I。
[0013] 开关电源的输出端直接输出I路，再经模拟调压电路调压输出为2路。
【权利要求】
1.一种等离子镀膜设备用励磁电源装置，其特征是:市电AC供电的由PWM控制的隔离开关电源⑴， 辅助电源⑵的VCC和GND连接运放IC和电位器RWl的VCC和GND，运放IC的负输入端连接选择开关SI的Z端，选择开关SI的Y端连接电位器RWl的移动触点，选择开关的X端连接电位器RW2的移动触点，电位器RW2的输入端连接电流传感器(3)，运放ICl的输出分别连接光耦IC2的a、b极，光耦IC2的c、d连接由PWM控制的开关电源。
【文档编号】C23C14/46GK103993283SQ201410241483
【公开日】2014年8月20日 申请日期:2014年5月30日 优先权日:2014年5月30日
【发明者】林国强, 钱立平, 韩治昀, 魏科科 申请人:大连理工常州研究院有限公司