有机电致发光器件的制作方法

技术特征：

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，其特征在于，所述阳极为导电薄膜，包括层叠的ZnO：R³⁺层及V2O5层，其中，R为铝元素，镓元素和铟元素中的一种。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述ZnO：R³⁺层是纳米线结构的导电薄膜，所述纳米线直径为30nm～400nm。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述ZnO：R³⁺层的厚度为50nm～800nm，所述V2O5层的厚度为0.5nm～10nm。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述导电薄膜通过以下步骤制备而成：

将ZnO：R³⁺靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，磁控溅射镀膜设备的真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa，其中，R为铝元素，镓元素和铟元素中的一种；

在所述衬底表面溅镀ZnO：R³⁺层，溅镀所述ZnO：R³⁺层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，激光的能量为80W～300W，压强为3Pa～30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为10sccm～40sccm，衬底温度为250℃～750℃，得到负载有ZnO：R³⁺薄膜的衬底；

再将所述负载有ZnO：R³⁺薄膜的衬底和V2O5靶材放入蒸镀设备中，其中，所述蒸镀设备的真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa，

在所述ZnO：R³⁺层表面蒸镀V2O5层，蒸镀所述V2O5层的工艺参数为：衬底与靶材的间距为45mm～95mm，蒸发温度为400～950℃，蒸发速率为0.5～5nm/s；及

剥离所述衬底得到所述导电薄膜。

5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述ZnO：R³⁺靶材由以下步骤得到：将ZnO和R2O3粉体按照质量比为(0.5～10)∶(90～99.5)混合均匀，其中，R2O3为三氧化二铝、三氧化二镓及氧化铟中的一种，将混合均匀的粉体在900℃～1300℃下烧结制成靶材。