技术总结
本申请人提供了一种真空电子管低银封接合金材料的制备方法，其组分及各组分的质量百分比为：Ag：35～45％，Cu：45～55％，Si：5～8％，Ni：0.6～0.8％，B：0.4～0.6％，Ge：0.3％～0.5％，Nd：0.3％～0.5％，Ce：0.2～0.3％，Co：0.2％～0.3％。其制备方法为熔炼、铸造、固溶、时效、车削、冷轧、回火、退火及精加工。本发明制备得到的封接材料具有清洁度高，流淌性好，防腐蚀、抗氧化性能好，封接温度低，成本低等优点。
技术研发人员：晏弘
受保护的技术使用者：无锡日月合金材料有限公司
文档号码：201610874040
技术研发日：2016.09.30
技术公布日：2017.03.01