1.一种氧化硅薄膜的沉积方法，包括如下步骤：
采用磁控溅射的方法在衬底上溅射即得到所述氧化硅薄膜；
所述磁控溅射采用的工作气体为氨气和氩气的混合气体。
2.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于：所述氨气与所述氩气的体积比为0.02～0.17：1。
3.根据权利要求1或2所述的沉积方法，其特征在于：所述工作气体通过流量控制器通入至磁控溅射镀膜机的真空腔中；
所述工作气体的通入流量为0.1ml/min～60ml/min。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的沉积方法，其特征在于：所述溅射步骤之前，控制磁控溅射镀膜机的真空腔的真空度为10-6～10-2Pa。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的沉积方法，其特征在于：所述磁控溅射为射频磁控溅射；
所述溅射的磁控溅射源为平面靶磁控溅射源。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的沉积方法，其特征在于：所述溅射的条件如下：
功率密度为1w/cm2～10w/cm2；
温度为20℃～400℃；
压力为0.2Pa～2Pa；
靶材为氧化硅陶瓷靶；
所述靶材与所述衬底之间的距离为6cm～9cm。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的沉积方法，其特征在于：所述衬底为压电单晶、压电陶瓷或压电薄膜；
所述衬底的厚度为10～500μm。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的沉积方法，其特征在于：所述沉积方法还包括对所述衬底进行如下清洗的步骤：
在超声条件下，采用丙酮、乙醇和水清洗所述衬底。
9.权利要求1-8中任一项所述方法沉积得到的氧化硅薄膜。
10.权利要求9所述氧化硅薄膜在制备温度补偿表面波器件或体声波器件中的应用。