化学机械抛光系统和用于抛光晶圆的方法与流程

本发明的实施例涉及半导体领域，更具体地涉及化学机械抛光系统和用于抛光晶圆的方法。

背景技术：

本发明通常涉及化学机械抛光系统。

化学机械抛光是其中研磨浆和抛光垫一起利用化学和机械方法两者同时工作以使晶圆变平的工艺。在该工艺期间，朝向抛光垫压缩晶圆，并且使晶圆和抛光垫两者都旋转。因此，晶圆与抛光垫摩擦。同时利用浆料的化学作用，这能够去除材料并且倾向于使任何不规则的形貌平坦，从而使得晶圆变平以成为平面。

技术实现要素：

本发明的实施例提供了一种化学机械抛光系统，包括：台板，配置为允许抛光垫设置在所述台板上；浆料引入器件，配置为将浆料供应至所述抛光垫上；以及至少一个抛光头，包括：主体，具有用于容纳晶圆的容纳空间；和至少一个研磨工件，设置在所述主体上，所述研磨工件具有配置为研磨所述抛光垫的研磨表面。

本发明的实施例还提供了一种化学机械抛光系统，包括：台板，配置为允许抛光垫设置在所述台板上；浆料引入器件，配置为将浆料供应至所述抛光垫上；以及至少一个抛光头，包括：主体，具有用于容纳晶圆的容纳空间；和多个研磨颗粒，设置在所述主体上并且配置为研磨所述抛光垫。

本发明的实施例还提供了一种用于抛光晶圆的方法，所述方法包括：将浆料供应至抛光垫上；通过抛光头将所述晶圆保持为向着所述抛光垫，其中，当将所述晶圆保持为向着所述抛光垫时，所述抛光头具有向着所述抛光垫的研磨表面；以及使所述抛光垫和所述抛光头中的至少一个旋转，从而使得所述晶圆与所述抛光垫彼此摩擦，并且所述研磨表面研磨所述抛光垫。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。

图1是根据本发明的一些实施例的化学机械抛光系统的示意图。

图2是图1的抛光头的局部截面图。

图3是图1的抛光头的仰视图。

图4是根据本发明一些其他的实施例的抛光头的仰视图。

图5是根据本发明的一些其他的实施例的化学机械抛光系统的示意图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多不同实施例或实例，用于实现所提供主题的不同特征。以下将描述组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅是实例并且不意欲限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。而且，本发明在各个实例中可以重复参考数字和/或字母。这种重复仅是为了简明和清楚，其自身并不表示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。

本文中所使用的术语是仅用于描述特定实施例的目的，而不是为了限制本发明。如本文中所使用的，除非上下文清楚地表明，否则单数“一”，“一个”和“该”旨在也包括复数形式。应当进一步理解，当在本发明中使用术语“包括”和/或“包含”，或“包括”和/或“包括”或“具有”和/或“有”时，指定阐述的部件、区域、整数、步骤、操作、元件、和/或组件的存在，但不排除附加的一个或多个其他部件、区域、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组的存在。

而且，为便于描述，本文可以使用诸如“在...下方”、“在...下面”、“下部”、“在...之上”、“上部”等的空间关系术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。空间相对术语旨在包括除了附图中所示的方位之外，在使用中或操作中的器件的不同方位。装置可以以其他方式定位(旋转90度或在其他方位)，并且在本文中使用的空间关系描述符可以同样地作相应地解释。

除非另有规定，本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有如本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。还应该理解，除非本文清楚地限定，否则，诸如常用的字典中限定的那些的术语应该被理解为具有与其在相关领域和本发明的内容中的意思一致的意思，并且不应该以理想化和过于正式的形式来解释。

参考图1和图2。图1是根据本发明的一些实施例的化学机械抛光系统100的示意图。图2是图1的抛光头130的局部截面图。如图1和图2所示，化学机械抛光系统100包括台板(platen)110、浆料引入器件120和至少一个抛光头130。台板110配置为允许抛光垫200设置在该台板上。浆料引入器件120配置为将浆料S供应至抛光垫200上。抛光头130包括主体131和至少一个研磨工件135。主体131具有用于容纳晶圆300的容纳空间A。晶圆300的第一表面301面向抛光垫200。研磨工件135设置在主体131上。研磨工件135具有配置为研磨抛光垫200的研磨表面136。

在一些实施例中，如图1所示，化学机械抛光系统100还包括压缩器件150。压缩器件150配置为施加向下的力F以朝向抛光垫200按压抛光头130，从而使得研磨工件135的研磨表面136与抛光垫200接触。换句话说，研磨工件135的研磨表面136在向下的力F的作用下与抛光垫200接触。

另外，如图1所示，化学机械抛光系统100还包括第一旋转器件160。第一旋转器件160配置为使台板110围绕第一轴Z1旋转。

另一方面，如图1所示，化学机械抛光系统100还包括第二旋转器件170。第二旋转器件170配置为使抛光头130围绕第二轴Z2旋转，其中第二轴Z2与第一轴Z1彼此基本平行。此外，可以独立地操作第一旋转轴160和第二旋转轴170。这意味着，在化学机械抛光系统100的操作期间，可以独立地操作台板110围绕第一轴Z1的旋转和抛光头130围绕第二轴Z2的旋转。换句话说，在化学机械抛光系统100的操作期间，可以独立地操作抛光垫200围绕第一轴Z1的旋转和晶圆300围绕第二轴Z2的旋转。

更具体地，如图2所示，抛光头130的主体131包括腔室132和隔膜133。在一些实施例中，腔室132与气体源140流体连通(fluidly connected)。隔膜133密封腔室132。隔膜133配置为邻接衬底300的第二表面302，其中，第二表面302与晶圆300的第一表面301相对。换句话说，晶圆300通过隔膜133与腔室132相连(communicated)。

如以上所述，抛光头130的腔室132与气体源140流体连接。在化学机械抛光系统100的操作期间，当进行晶圆300的抛光时，气体源140将气体G供应至抛光头130的腔室132，从而向着抛光垫200按压通过隔膜133与腔室132相连的晶圆300。换句话说，向着抛光垫200按压晶圆300的力与由从气体源140供应的气体G在抛光头130的腔室132中形成的压力有关。

在具体应用中，在化学机械抛光系统100的操作期间，浆料S从浆料引入器件120供应至抛光垫200上。为了增加化学机械抛光系统100的效率，浆料S通常为粗糙的并且具有腐蚀性的化学溶液。如以上所述，第一旋转器件160配置为使台板110围绕第一轴Z1旋转。通过这种方式，由于抛光垫200设置在台板110上，所以通过第一旋转器件160使抛光垫200旋转。抛光垫200的上面供应浆料S的区域将被旋转至面向抛光头130或晶圆300的位置。当在向下的力F的作用下朝向抛光垫200按压抛光头130、以及在由气体G于腔室132中形成的压力的作用下向着抛光垫200按压晶圆300以使晶圆300与抛光垫200接触时，浆料S将在晶圆300与抛光垫200之间被压缩。之后，出现晶圆300与浆料S之间的化学反应。同时随着晶圆300与抛光垫200之间的相对移动，然后使晶圆300的任何不规则的形貌平坦。

更具体地，在化学机械抛光系统100的操作期间，操作压缩器件150施加向下的力F以朝向抛光垫200按压抛光头130，并且操作气体源140以将气体G供应至抛光头130的腔室132。通过这种方式，在由从气体源140供应的气体G在腔室132中形成的压力下，容纳在抛光头130的主体131中的晶圆300与抛光垫200接触。此外，第一旋转器件160配置为使台板110围绕第一轴Z1旋转。换句话说，抛光垫200可以围绕第一轴Z1旋转。另一方面，第二旋转器件170配置为使抛光头130围绕第二轴Z2旋转，其中第二轴Z2与第一轴Z1彼此基本平行。换句话说，晶圆300可以围绕第一轴Z1旋转。通过这种方式，当在由从气体源140供应的气体G在腔室132中形成的压力下，晶圆300与抛光垫200接触时，抛光垫200的围绕第一轴Z1的旋转和晶圆300的围绕第二轴Z2的旋转中的至少一个将使得晶圆300和抛光垫200彼此摩擦。在一些实施例中，在相同的时间段中，抛光垫200围绕第一轴Z1旋转，同时晶圆300围绕第二轴Z2旋转。结果，机械去除晶圆300上的突出材料，并且然后可以使晶圆300的任何不规则的形貌平坦。同时随着如上所述的浆料S与晶圆300的化学效应，可以在化学机械抛光系统100的操作期间将晶圆300抛光至平坦或成为平面。

如图1至图2所示，如以上所述，抛光头130包括设置在主体131上的至少一个研磨工件135，并且研磨工件135具有研磨表面136，其中，研磨表面136配置为研磨抛光垫200。当在由从气体源140供应的气体G在腔室132中形成的压力下，晶圆300与抛光垫200接触，以及存在抛光垫200的围绕第一轴Z1的旋转和晶圆300的围绕第二轴Z2的旋转中的至少一个时，除了晶圆300与抛光垫200彼此间的摩擦之外，研磨工件135的研磨表面136也在向下的力F的作用下研磨抛光垫200。通过这种方式，由从晶圆300去除突起材料而形成的并且累积在抛光垫200上的任何残留物将在晶圆300的抛光期间通过研磨工件135的研磨表面136来去除并且清理。结果，提高了化学机械抛光系统100的效率。此外，在化学机械抛光系统100的操作期间，通过抛光头130的研磨工件135来不断刷新(refurbished)抛光垫200。通过这种方式，在化学机械抛光系统100的操作期间，可以相应地改善晶圆300的平坦度和厚度均匀性。换句话说，通过化学和机械方法两者来改善晶圆300的抛光的质量。

另外，由于抛光头130围绕轴Z2旋转，使得可以通过单个第一旋转器件160来同时进行晶圆300与抛光垫200摩擦和使得研磨工件135研磨抛光垫200，所以简化了化学机械抛光系统100的整体结构。相应地，这意味着，可以降低化学机械抛光系统100的制造成本。

在具体应用中，为了实现抛光头130的研磨工件135与抛光垫200的研磨效果，研磨工件135的研磨表面136比抛光垫200硬。通过这种方式，在通过研磨工件135研磨抛光垫200期间，研磨工件135将不会被抛光垫200磨损。取而代之，由从晶圆300去除突起材料而形成的并且累积在抛光垫200上的任何残留物可以通过研磨工件135的研磨表面136以有效的方式去除并且清理。

此外，为了增强抛光头130的研磨工件135与抛光垫200的研磨效果，抛光头130的研磨工件130的研磨表面135包括设置在研磨表面136上的多个研磨颗粒137(图1至图2中未示出)。研磨颗粒137配置为研磨抛光垫200。为了增强抛光头130的研磨工件135与抛光垫200的研磨效果，研磨颗粒137由比抛光垫200硬的材料制成。在一些实施例中，研磨颗粒137由金刚石制成。

换句话说，由金刚石制成的研磨颗粒137设置在研磨工件135的研磨表面136上。由于研磨颗粒137由金刚石制成，所以相应地增强了研磨工件135与抛光垫200的研磨效果。应该注意，这里所列的金刚石的材料仅是说明性的并不意欲限制权利要求的范围。本发明领域的普通技术人员可以根据实际情况灵活选择研磨颗粒137的材料以设置在研磨表面136上。

从结构上来说，抛光头130还包括保持环138。保持环138配置为将晶圆300保持在容纳空间A中。如图1至图2所示，保持环138设置在主体131与抛光头130的研磨工件135之间。换句话说，研磨颗粒137设置在保持环138的背离(facing away from)主体131的表面上。此外，保持环138具有比晶圆300大的内径，从而使得晶圆300位于保持环138的内部空间中。通常来说，保持环138由塑料制成。

参考图3。图3是图1的抛光头130的仰视图。在一些实施例中，研磨工件135的数量为多个。如图3所示，多个研磨工件135均匀设置在抛光头130的主体131上，从而使得容纳空间A并且因此使得晶圆300的第一表面301被研磨工件135围绕。换句话说，研磨颗粒137分为多个组，并且容纳空间A以及因此晶圆300的第一表面301被多组研磨颗粒137围绕。这意味着，研磨颗粒137成组围绕容纳空间A。通过这种方式，研磨工件135的质心将与第二轴Z2一致。换句话说，在几何上实现研磨工件135的平衡。结果，在通过第二旋转器件170使抛光头130围绕第二轴Z2旋转期间，维持抛光头130的稳定性。

参考图4。图4是根据本发明一些其他的实施例的抛光头130的仰视图。如图4所示，研磨工件135具有环形形状，并且容纳空间A以及因此晶圆300的第一表面301被研磨工件135围绕。同样如以上所述，环形形状的研磨工件135的质心与第二轴Z2一致。类似地，在几何上实现环形形状的研磨工件135的平衡。结果，在通过第二旋转器件170使抛光头130围绕第二轴Z2旋转期间，维持抛光头130的稳定性。

参考图5。图5是根据本发明的一些其他实施例的化学机械抛光系统100的示意图。在一些实施例中，抛光头130的数量为多个。如以上所述，由于抛光头130围绕轴Z2旋转，使得可以通过单个第一旋转器件160来在同一时间段进行晶圆300与抛光垫200摩擦和使得研磨工件135研磨抛光垫200，所以简化了化学机械抛光系统100的整体结构。通过这种方式，可以利用更多空间并且化学机械抛光系统100可以包括一个以上抛光头130，因此可以通过单个化学机械抛光系统100在同一时间段化学并且机械抛光一个以上晶圆300。

更具体地，如图5所示，抛光头130的数量为两个，即，抛光头130a和抛光头130b。例如，以抛光头130a作为实例，在一些实施例中，压缩器件150a配置为施加向下的力Fa以朝向抛光垫200按压抛光头130a，从而使得研磨工件135a与抛光垫200接触。同时，第二旋转器件170a配置为使抛光头130a围绕第二轴Z2a旋转，其中第二轴Z2a与第一轴Z1彼此基本平行。此外，气体源140a与抛光头130a的腔室(未示出)流体连通。

在化学机械抛光系统100的操作期间，浆料S从浆料引入器件120供应至抛光垫200上。操作压缩器件150施加向下的力Fa以朝向抛光垫200按压抛光头130a，并且操作气体源140a以将气体Ga供应至抛光头130a的腔室(未示出)。通过这种方式，在由从气体源140a供应的气体Ga在腔室中形成的压力下，容纳在抛光头130a中的晶圆300a与抛光垫200接触，同时向着抛光垫200按压研磨工件135a。此外，通过第一旋转器件160使抛光垫200围绕第一轴Z1旋转。另一方面，通过第二旋转器件170a使晶圆300a围绕第二轴Z2a旋转。通过这种方式，在抛光垫200围绕第一轴Z1旋转并且晶圆300a围绕第二轴Z2a旋转期间，除了晶圆300a与抛光垫200彼此间摩擦之外，研磨工件135a也在向下的力Fa的作用下研磨抛光垫200。通过这种方式，由从晶圆300a去除突起材料而形成的并且累积在抛光垫200上的任何残留物将在晶圆300a的抛光期间通过研磨工件135a来去除并且清理。此外，在化学机械抛光系统100的操作期间，通过抛光头130a的研磨工件135a来不断刷新(refurbished)抛光垫200。通过这种方式，在化学机械抛光系统100的操作期间，可以相应地改善晶圆300a的平坦度和厚度均匀性。换句话说，通过化学和机械方法两者来改善晶圆300a的抛光的质量。

在相同的时间段中或者在不同的时间段中，在化学机械抛光系统100的操作期间，类似地，操作压缩器件150b施加压缩力Fb以朝向抛光垫200按压抛光头130b，并且操作气体源140b以将气体Gb供应至抛光头130b的腔室(未示出)。通过这种方式，在由从气体源140b供应的气体Gb在腔室中形成的压力下，容纳在抛光头130b中的晶圆300b与抛光垫200接触，同时向着抛光垫200按压研磨工件135b。此外，通过第一旋转器件160使抛光垫200围绕第一轴Z1旋转。另一方面，通过第二旋转器件170b使晶圆300b围绕第二轴Z2b旋转。通过这种方式，在抛光垫200围绕第一轴Z1旋转并且晶圆300b围绕第二轴Z2b旋转期间，除了晶圆300b与抛光垫200彼此间摩擦之外，研磨工件135b也在向下的力Fb的作用下研磨抛光垫200。通过这种方式，由从晶圆300a＝b去除突起材料而形成的并且累积在抛光垫200上的任何残留物将在晶圆300a的抛光期间通过研磨工件135b来去除并且清理。此外，在化学机械抛光系统100的操作期间，通过抛光头130b的研磨工件135b来不断刷新(refurbished)抛光垫200。通过这种方式，在化学机械抛光系统100的操作期间，可以相应地改善晶圆300b的平坦度和厚度均匀性。换句话说，通过化学和机械方法两者来改善晶圆300b的抛光的质量。

由于可以在同一时间段通过化学机械抛光系统100的操作将晶圆300a和晶圆300b抛光至平坦或成为平面，所以提高了化学机械抛光系统的100的效率。因此，相应地降低了化学机械抛光系统100的操作的成本。

为了简洁的目的，在一些实施例中，气体源140a和气体源140b可以具有单个气体源。类似地，压缩器件150a和压缩器件150b可以具有单个压缩器件。此外，第二旋转器件170a和第二旋转器件170b可以具有单个第二旋转器件。

此外，应该注意，这里所列的抛光头130的数量仅是说明性的并不意欲限制权利要求的范围。本发明领域的普通技术人员可以根据实际情况灵活选择化学机械抛光系统100的抛光头130的数量。

参考以上所述的化学机械抛光系统100，本发明的实施例还提供了用于抛光晶圆300的方法。方法包括以下步骤(应该理解，除非明确说明，可以根据实际需要来调整以下所述的所有步骤和子步骤的顺序，或者甚至在同时执行或同时部分地执行以下所述的步骤和子步骤)：

(1)将浆料S供应至抛光垫120上。

(2)通过抛光头130将晶圆300保持为向着抛光垫200，其中，当将晶圆300保持为向着抛光垫200时，抛光头130具有向着抛光垫200的研磨表面136。

(3)使抛光垫200和抛光头130中的至少一个旋转，从而使得晶圆300与抛光垫200彼此摩擦，并且研磨表面136研磨抛光垫200。

更具体地，在化学机械抛光系统100的操作期间，浆料S从浆料引入器件120供应至抛光垫200上。通过抛光头130将晶圆300保持为向着抛光垫200。当将晶圆300保持为向着抛光垫200时，抛光头130具有面向抛光垫200的研磨表面136。之后，使抛光垫200和抛光头130中的至少一个旋转，从而使得晶圆300与抛光垫200彼此摩擦，并且研磨表面136研磨抛光垫200。通过这种方式，在台板110围绕轴Z1的旋转和抛光头130围绕轴Z2的旋转中的一个或两者期间，由研磨表面136去除抛光垫200的至少一部分，并且由研磨表面136去除并且清理由从晶圆300去除突起材料而形成的并且累积在抛光垫200上的任何残留物。结果，在化学机械抛光系统100的操作期间，通过抛光头130的研磨工件135来不断刷新(refurbished)抛光垫200。通过这种方式，在化学机械抛光系统100的操作期间，可以改善晶圆300的平坦度和厚度均匀性。换句话说，通过化学和机械方法两者来改善晶圆300的抛光的质量。

此外，为了向着抛光垫200按压晶圆300以增强研磨表面136与抛光垫200的研磨效率，用于抛光晶圆300的方法还包括：

(4)在旋转期间对抛光头130施加向下的力F以向着抛光垫200推进研磨表面136。

通过这种方式，在化学机械抛光系统100的操作期间，通过向下的力F来按压抛光头130，并且在向下的力F的作用下研磨表面136研磨抛光垫200。

根据本发明的各个实施例，由于抛光头130包括设置在主体131上的至少一个研磨工件135，并且研磨工件135具有研磨表面136，其中，研磨表面136配置为研磨抛光垫200。当在由从气体源140供应的气体G在腔室132中形成的压力下，晶圆300与抛光垫200接触，以及存在抛光垫200的围绕第一轴Z1的旋转和晶圆300的围绕第二轴Z2的旋转中的至少一个时，除了晶圆300与抛光垫200彼此间的摩擦之外，研磨工件135的研磨表面136也在向下的力F的作用下研磨抛光垫200。通过这种方式，由从晶圆300去除突起材料而形成的并且累积在抛光垫200上的任何残留物将在晶圆300的抛光期间通过研磨工件135的研磨表面136来去除并且清理。结果，提高了化学机械抛光系统100的效率。此外，在化学机械抛光系统100的操作期间，通过抛光头130的研磨工件135来不断刷新(refurbished)抛光垫200。通过这种方式，在化学机械抛光系统100的操作期间，可以相应地改善晶圆300的平坦度和厚度均匀性。换句话说，通过化学和机械方法两者来改善晶圆300的抛光的质量。

根据本发明的各个实施例，化学机械抛光系统包括台板、浆料引入器件和至少一个抛光头。台板配置为允许抛光垫设置在该台板上。浆料引入器件配置为将浆料供应至抛光垫上。抛光头包括主体和至少一个研磨工件。主体具有用于容纳晶圆的容纳空间。研磨工件设置在主体上。研磨工件具有配置为研磨抛光垫的研磨表面。

根据本发明的各个实施例，化学机械抛光系统包括台板、浆料引入器件和至少一个抛光头。台板配置为允许抛光垫设置在该台板上。浆料引入器件配置为将浆料供应至抛光垫上。抛光头包括主体和研磨颗粒。主体具有用于容纳晶圆的容纳空间。研磨颗粒设置在主体上并且配置为研磨抛光垫。

根据本发明的各个实施例，提供用于抛光晶圆的方法。方法包括：将浆料供应至抛光垫上；通过抛光头将晶圆保持为向着抛光垫，其中，当将晶圆保持为向着抛光垫时，抛光头具有向着抛光垫的研磨表面；以及使抛光垫和抛光头中的至少一个旋转，从而使得晶圆与抛光垫彼此摩擦，并且研磨表面研磨抛光垫。

本发明的实施例提供了一种化学机械抛光系统，包括：台板，配置为允许抛光垫设置在所述台板上；浆料引入器件，配置为将浆料供应至所述抛光垫上；以及至少一个抛光头，包括：主体，具有用于容纳晶圆的容纳空间；和至少一个研磨工件，设置在所述主体上，所述研磨工件具有配置为研磨所述抛光垫的研磨表面。

根据本发明的一个实施例，其中，所述研磨表面比所述抛光垫硬。

根据本发明的一个实施例，其中，所述研磨工件包括设置在所述研磨表面上的多个研磨颗粒。

根据本发明的一个实施例，其中，所述研磨颗粒由金刚石制成。

根据本发明的一个实施例，其中，所述主体包括：腔室，与气体源流体连通；以及隔膜，密封所述腔室，所述隔膜配置为邻接所述晶圆。

根据本发明的一个实施例，其中，所述抛光头还包括：保持环，配置为将所述晶圆保持在所述容纳空间中，所述保持环设置在所述主体与所述研磨工件之间。

根据本发明的一个实施例，其中，多个研磨工件设置在所述主体上。

根据本发明的一个实施例，其中，所述容纳空间被多个所述研磨工件围绕。

根据本发明的一个实施例，其中，所述研磨工件具有环形形状，并且所述容纳空间被所述研磨工件围绕。

本发明的实施例还提供了一种化学机械抛光系统，包括：台板，配置为允许抛光垫设置在所述台板上；浆料引入器件，配置为将浆料供应至所述抛光垫上；以及至少一个抛光头，包括：主体，具有用于容纳晶圆的容纳空间；和多个研磨颗粒，设置在所述主体上并且配置为研磨所述抛光垫。

根据本发明的一个实施例，其中，所述研磨颗粒由比所述抛光垫硬的材料制成。

根据本发明的一个实施例，其中，所述研磨颗粒由金刚石制成。

根据本发明的一个实施例，其中，所述抛光头还包括：保持环，配置为将所述晶圆保持在所述容纳空间中，所述研磨颗粒设置在所述保持环的背离所述主体的表面上。

根据本发明的一个实施例，其中，所述研磨颗粒被分为多个组。

根据本发明的一个实施例，其中，所述容纳空间被研磨颗粒的所述组围绕。

根据本发明的一个实施例，其中，所述研磨颗粒成组围绕所述容纳空间。

本发明的实施例还提供了一种用于抛光晶圆的方法，所述方法包括：将浆料供应至抛光垫上；通过抛光头将所述晶圆保持为向着所述抛光垫，其中，当将所述晶圆保持为向着所述抛光垫时，所述抛光头具有向着所述抛光垫的研磨表面；以及使所述抛光垫和所述抛光头中的至少一个旋转，从而使得所述晶圆与所述抛光垫彼此摩擦，并且所述研磨表面研磨所述抛光垫。

根据本发明的一个实施例，其中，所述研磨表面比所述抛光垫硬。

根据本发明的一个实施例，其中，所述旋转通过所述研磨表面去除所述抛光垫的至少一部分。

根据本发明的一个实施例，方法还包括：在所述旋转期间对所述抛光头施加向下的力以向着所述抛光垫推进所述研磨表面。

以上论述了若干实施例的部件，使得本领域的技术人员可以更好地理解本发明的各个实施例。本领域技术人员应该理解，可以很容易地使用本发明作为基础来设计或更改其他的处理和结构以用于达到与本发明所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优点。本领域技术人员也应该意识到，这些等效结构并不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，可以进行多种变化、替换以及改变。