专利名称：真空机械手晶圆托盘的制作方法
技术领域：
本实用新型主要涉及一种应用于半导体加工领域的部件，具体地涉及一种用于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备中，在各个真空腔室内盛放并传送晶圆的托盘装置。
背景技术：
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术，在加工工艺中，真空机械手晶圆托盘主要用于盛放晶圆并在各个真空腔室之间传送晶圆。但是现有的真空机械手晶圆托盘存在的问题是由于等离子体增强化学气相沉积反应是在高温环境下进行，因此在反应腔内反应之后的晶圆会产生位置偏移，使得真空机械手从反应腔取出晶圆后向其他位置传送晶元时发生错误。而现有的晶圆托盘无法调整消除这一偏差。
发明内容为了解决以上问题，本实用新型提供一种可消除调整反应后晶圆产生的位置偏差的真空机械手晶圆托盘。本实用新型采用的技术方案是一种真空机械手晶圆托盘，包括盘主体，其特征在于盘主体的一端设有安装定位孔，盘主体的中部设有矫正工艺孔，盘主体两端的端角处分别设有支撑突起，盘主体的两端制有斜坡。上述的真空机械手晶圆托盘，所述的斜坡与盘主体水平面的夹角为50 70°，优选 60°。上述的真空机械手晶圆托盘，其特征在于所述的斜坡的坡面形状为平面型。上述的真空机械手晶圆托盘，设有安装连接件和安装压板，螺栓通过安装定位孔将盘主体、安装连接件和安装压板连接在一起。本实用新型的有益效果是①由于在盘主体的两端制有斜坡，斜坡与盘主体水平面夹角为50 70°，因此可通过斜坡来限制晶圆在托盘上的位置。当晶圆未送到反应腔进行工艺反应时，晶圆应落到托盘中央凹槽内，当晶圆在反应腔进行工艺反应之后位置有可能会发生偏移，这时有真空机械手取晶圆，晶圆将落在托盘的斜边上，在重力作用下晶圆会自动落回托盘的中心。因此可以调整消除反应后晶圆产生的位置偏移。②由于斜坡的形状为平面型，因此减少了晶圆与斜坡的接触面积，从而减少摩擦力，使其容易滑下。③由于在盘主体的中部设有矫正工艺孔，配合加热盘的定位工装可以定位真空机械手，使得托盘上的晶圆位置与加热盘上的晶圆理论位置重合。从而进行更精确的晶圆传送。④盘主体的一端设有安装定位孔，能保证真空机械手晶圆托盘拆装时的重复精度。
图1是本实用新型实施例1的结构示意图。图2是图1中A-A剖视图。图3是本实用新型实施例2的结构示意图。
具体实施方式
实施例1如图1和图2所示，一种真空机械手晶圆托盘，包括盘主体(1)，盘主体(1)的一端设有安装定位孔(2)，盘主体(1)的中部设有矫正工艺孔(3)，盘主体(1)两端的端角处分别设有支撑突起(4)，盘主体(1)的两端制有斜坡(5)。所述的斜坡(5)与盘主体(1)水平面的夹角可以为为50 70°本实施例选择区夹角为60°。所述的斜坡(5)的斜面形状为平面形。实施例2如图3所示，一种真空机械手晶圆托盘，其它结构与实施例1相同，不同点在于设有安装连接件(6 )和安装压板(7 )，螺栓(8 )通过安装定位孔(2 )将盘主体(1)、安装连接件 (6)和安装压板(7)连接在一起。
权利要求1.一种真空机械手晶圆托盘，包括盘主体(1)，其特征在于盘主体(1)的一端设有安装定位孔(2)，盘主体(1)的中部设有矫正工艺孔(3)，盘主体(1)两端的端角处分别设有支撑突起(4)，盘主体(1)的两端制有斜坡(5)。
2.如权利要求1所述的真空机械手晶圆托盘，其特征在于所述的斜坡(5)与盘主体 (1)水平面的夹角为50 70°。
3.如权利要求1或2所述的真空机械手晶圆托盘，其特征在于所述的斜坡(5)的坡面形状为平面型。
4.如权利要求1或2所述的真空机械手晶圆托盘，其特征在于设有安装连接件(6)和安装压板(7)，螺栓通过安装定位孔(2)将盘主体(1)、安装连接件(6)和安装压板(7)连接在一起。
5.如权利要求3所述的真空机械手晶圆托盘，其特征在于设有安装连接件(6)和安装压板(7 )，螺栓通过安装定位孔(2 )将盘主体(1)、安装连接件(6 )和安装压板(7 )连接在一起。
专利摘要本实用新型涉及一种真空机械手晶圆托盘。采用的技术方案是包括盘主体，盘主体的一端设有安装定位孔，盘主体的中部设有矫正工艺孔，盘主体两端的端角处分别设有支撑突起，盘主体的两端制有斜坡。所述的斜坡与盘主体水平面的夹角为50～70°，优选60°。所述的斜坡的坡面形状为平面型。还可以设有安装连接件和安装压板，螺栓通过安装定位孔将盘主体、安装连接件和安装压板连接在一起。本实用新型可消除调整反应后晶圆产生的位置偏差。
文档编号H01L21/673GK202307835SQ20112044851
公开日2012年7月4日 申请日期2011年11月14日 优先权日2011年11月14日
发明者凌复华, 张晗 申请人:沈阳拓荆科技有限公司