本实用新型涉及气相化学外延设备领域，尤其涉及一种石英热壁和一种晶圆处理装置。
背景技术：
硅外延通常是通过气相化学沉积的方式，在硅抛光片的表面生长一层指定膜厚和电阻率的硅单晶层。在石英质平板式反应腔体中，硅片贴附在基座表面与外延反应气体，在高温下发生化学反应。
在硅外延制造过程中，既在硅抛光片表面沉积生成单晶硅，也在平板式反应腔体的内表面沉积生成多晶硅厚层，在一定周期中，腔体内表面的多晶硅会自主散状脱落，污染下方处硅片，造成其表现不良，进而影响合格产品的产出。
当前，在反应腔体内加装一种特殊设计的光滑石英热壁，覆盖于腔体内表面的顶部空间。当外延反应气体水平流动，从石英热壁下表面流过，只在该石英热壁下表面形成沉积层，同时配以合理的工艺技术和固定蚀刻程序，可以有效抑制这类多晶硅薄层的脱落现象。
然而，在实际工作过程中，石英热壁表面易受到机械摩擦和清洗时的强酸腐蚀，造成表面磨损，通透性减弱，影响外接光学探测装置的光路畅通；若在石英热壁的指定位置开孔且完全通透，用来保证外接光学探测装置的光路畅通，在实际工作过程中，由于工艺控制的缺陷和反应腔内气体流通的不均匀，使得外延反应气体不局限于水平流动，而是通过开孔流至石英热壁上方，重新吸附于反应腔体内壁形成多晶硅薄层，这种多晶硅薄层虽然不易脱落，但却恰好挡住了光学探测装置的光路。
因此，需要提供一种石英热壁，不仅能够防止硅外延反应腔体内壁沉积晶硅厚层，并且不会影响光学探测装置的光路。
技术实现要素：
本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种石英热壁和一种晶圆处理装置。
为了解决上述问题，本实用新型提供了一种石英热壁。
一种石英热壁，用于横置在晶圆处理腔室内部，所述晶圆处理腔室顶部具有一透明区，所述晶圆处理腔室上方具有一红外测温仪，所述红外测温仪用于向所述晶圆处理腔室内发射红外光，形成一垂直于所述透明区的光路，所述石英热壁包括：石英平板，所述石英平板上具有一凹槽，当所述石英热壁安装于所述晶圆处理腔室内部时，所述凹槽位于所述光路上。
可选的，所述凹槽底部的石英热壁厚度为0.7mm-1.3mm。
可选的，所述凹槽的横截面形状为圆形、正方形、长方形、菱形或者五边形。
可选的，所述凹槽的直径为25mm-30mm。
可选的，所述凹槽具有抛光内壁。
可选的，所述凹槽处的透光性大于所述石英热壁其他位置的透光性。
本实用新型还提供一种晶圆处理装置，包括：晶圆处理腔室，所述晶圆处理腔室顶部具有一透明区；红外探测器，位于所述晶圆处理腔室上方，用于向所述晶圆处理腔室发射红外光，形成一垂直于所述透明区，从晶圆处理腔室上方射入晶圆处理腔室内部的光路；如上所述的石英热壁，所述石英热壁安装于晶圆处理腔室内且位于所述透明区下方，所述石英热壁的凹槽位于所述光路上。
可选的，所述凹槽位于所述石英热壁与所述透明区相对的表面。
本实用新型的石英热壁具有一凹槽，用于在石英热壁横置于晶圆处理腔室内部顶层时，位于红外测温仪的光路上，使红外光能够从凹槽通过，这种石英热壁不仅可以阻止外延反应气体上升至硅外延反应腔体上层内壁，并且可以减少对外延反应气体的吸力，降低凹槽的多晶硅沉积效应，并减少磨损，保证光路的通透。
本实用新型的具有石英热壁的硅外延反应腔体，石英热壁位于石英透明区下方，具有一凹槽，与光路的位置相对应，使红外光能够从凹槽通过，不仅可以阻止外延反应气体上升至硅外延反应腔体上层内壁，并且可以减少对外延反应气体的吸力，降低凹槽的多晶硅沉积效应，并减少磨损，保证光路的通透。
附图说明
图1为本实用新型一具体实施方式的石英热壁的结构示意图；
图2为本实用新型一具体实施方式的石英热壁的剖面示意图图；
图3为本实用新型一具体实施方式的晶圆处理装置的剖面结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型提供的石英热壁和晶圆处理装置的具体实施方式做详细说明。
请参考图1，为本实用新型一具体实施方式的石英热壁的结构示意图。
一种石英热壁，用于横置在晶圆处理腔室内部，所述晶圆处理腔室顶部具有一透明区，所述晶圆处理腔室上方具有一红外测温仪，所述红外测温仪用于向所述晶圆处理腔室内发射红外光，形成一垂直于所述透明区的光路，所述石英热壁包括：石英平板101，所述石英平板101上具有一凹槽102，当所述石英热壁安装于所述晶圆处理腔室内部时，所述凹槽102位于所述光路上。
晶圆处理腔室内晶圆和外延反应气体时，产生的外延反应气体会在晶圆处理腔室内部流动，且外延反应气体会呈上升趋势，石英热壁用于放置在晶圆处理腔室内，阻止外延反应气体上升至晶圆处理腔室内壁，避免外延反应气体吸附在晶圆处理腔室内壁形成多晶硅。
请参考图2，为如图1中以AB方向切割的石英热壁的剖面示意图。
石英热壁具有一凹槽102，当石英热壁放置于晶圆处理腔室内时，凹槽102位于红外测温仪发出的光路上，光路从凹槽102射入晶圆处理腔室底部，凹槽102底部厚度较小，对外延反应气体的吸力减小，从而减少凹槽102处多晶硅的生成，若石英热壁与光路对应的位置上有多晶硅生成，则会影响光路的通透，而本具体实施方式中的石英热壁有效的避免了与光路的对应的位置生成多晶硅的情况，保障了光路的通透。并且凹槽102底部不易与其他物体接触，从而减少凹槽102底部的磨损，保证石英热壁的通透性不受影响。在一具体实施方式中，石英热壁凹槽102的横截面形状为圆形、正方形、菱形、长方形或者五边形等多边形，且其直径范围为25-30mm，保证光路能够经过凹槽射入晶圆反应腔室底部。
在一具体实施方式中，石英热壁凹槽102底部厚度为0.7mm-1.3mm，既易于加工，又能有效的减少对气体的吸力，减少多晶硅的生成，减少磨损。
在一具体实施方式中，为了保证光路的通透，凹槽102底部两侧表面需进行特殊的抛光处理，形成抛光内壁，从而使石英热壁的凹槽102底部保持更长时间的透光性，并且更为坚固，与石英热壁的其他部位相比，凹槽102底部透光性最高，在其他具体实施方式中，也可以采用其他的工艺，对凹槽102底部两侧表面进行加工，使凹槽102处的透光性更高，耐磨度更强，透光性保持时间更长。
本实用新型的石英热壁具有一凹槽，用于当石英热壁放置在晶圆处理腔室内部顶层时，与光路的位置相对应，从而使红外光能够从凹槽通过，不仅可以避免外延反应气体上升至晶圆处理腔室上层内壁形成多晶硅，并且可以减少对外延反应气体的吸力，降低凹槽处多晶硅沉积效应，减少与其他物体接触或者清洗产生的磨损，保证光路的通透。
请参考图3，本实用新型还提供一种晶圆处理装置。
本实用新型还提供一种晶圆处理装置，晶圆处理腔室301，所述晶圆处理腔室301顶部具有一透明区302；红外探测器，位于所述晶圆处理腔室301上方，用于向所述晶圆处理腔室301发射红外光形成一垂直于所述透明区的光路303；石英热壁，所述石英热壁安装于晶圆处理腔室内且位于所述透明区下方，所述石英热壁的凹槽201位于所述光路303上。
透明区302由石英制成，在其他具体实施方式中，也可以其他材料制成。
晶圆处理腔室301内晶圆和外延反应气体时，产生的外延反应气体会在晶圆处理腔室301内部流动，且外延反应气体会呈上升趋势，将石英热壁放置在晶圆处理腔室301内后，石英热壁能够阻止外延反应气体上升至晶圆处理腔室301内壁形成多晶硅。
该石英热壁包括一石英平板101，石英平板101上具有一凹槽102，凹槽102底部的石英热壁厚度较小，对外延反应气体的吸力减小，从而减少凹槽102的多晶硅生成，且凹槽102位于与晶圆处理腔室301的光路303相对应，若石英热壁与光路303对应的位置上具有多晶硅层，则会影响光路303的通透，而因本具体实施方式中的石英热壁有效的避免了与光路303对应的位置生成多晶硅，从而保障了光路303的通透。并且凹槽102底部不易与其他物体接触，从而减少凹槽102底部的磨损，保证石英热壁的通透性不受影响。在一具体实施方式中，凹槽102位于石英热壁与透明区302相对的表面，从而降低加工难度，节约成本。
在一具体实施方式中，石英热壁凹槽102的横截面形状为圆形、正方形、菱形、长方形或者五边形等多边形，且其直径范围为25-30mm，保证光路能够经过凹槽102射入晶圆反应腔室301底部。
在一具体实施方式中，石英热壁凹槽102底部的厚度为0.7mm-1.3mm，既易于加工，又能有效的减少对气体的吸力，减少多晶硅的生成，减少磨损。
在一具体实施方式中，为了保证光路的通透，凹槽102底部两侧表面需进行特殊的抛光处理，形成抛光内壁，从而使石英热壁的凹槽102底部保持更长时间的透光性，并且更为坚固，与石英热壁的其他部位相比，凹槽102底部透光性最高，在其他具体实施方式中，也可以采用其他的工艺，对凹槽102底部两侧表面进行加工，使凹槽102处的透光性更高，耐磨度更强，透光性保持时间更长。
本实用新型的晶圆处理装置，具有一透明区，石英热壁位于透明区下方，石英热壁具有一凹槽，位于晶圆处理腔室的光路上，从而使红外光能够从凹槽通过，不仅可以避免外延反应气体上升至晶圆处理腔室上层内壁形成多晶硅，并且可以减少对外延反应气体的吸力，降低凹槽处多晶硅沉积效应，保证光路的通透，提升处理效率。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。