化学机械抛光系统及方法、晶圆的后处理单元与流程

文档序号:16672742发布日期:2019-01-18 23:41阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明公开了一种化学机械抛光系统及方法、晶圆的后处理单元。晶圆的后处理单元,包括:清洗模块,所述清洗模块包括驱动组件以及清洗组件,所述驱动组件带动所述晶圆旋转的同时所述清洗组件绕垂直于所述晶圆表面的轴线摆动以向所述晶圆表面喷射流体;干燥模块,所述干燥模块用于对所述晶圆进行干燥,所述干燥模块与所述清洗模块并排布置且位于所述清洗模块的下游。根据本发明实施例的晶圆的后处理单元可以防止清洗晶圆的过程中损坏晶圆,而且清洗效果好。

技术研发人员:许振杰;王剑;王同庆;赵德文;沈攀;路新春
受保护的技术使用者:清华大学;天津华海清科机电科技有限公司
技术研发日:2018.10.19
技术公布日:2019.01.18
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