1.一种制造透明导电膜的方法，所述方法包括：
准备基底；以及
在所述基底上形成包含由下式1表示的化合物的薄膜，
其中薄膜的形成通过在250℃或更低的温度下的rf溅射工艺来进行，
[式1]
baplaqsnmon
在式1中，
p、q、m和n为原子含量比，
p、m和n各自独立地大于0且为6或更小，以及
q为0至1。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底为玻璃基底、硅基底或塑料基底。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述rf溅射工艺在100℃至250℃的温度下进行。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述rf溅射工艺在
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述rf溅射工艺使用由式1表示的化合物靶。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述薄膜的厚度为200nm至1,000nm。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述薄膜的薄层电阻为10ω/平方至14ω/平方。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述薄膜在350nm至1,000nm的厚度下的光学透射率为92％或更大。