1.一种气体分配装置，所述气体分配装置构造成在半导体衬底上分配气态前体，包括：
顶板，所述顶板至少具有第一气态前体流过的第一顶部孔口；
设置在所述顶板下方的第一增压室；
第一门控纳米通道栅格；
第一电压源，所述第一电压源配置成将电压施加到所述第一门控纳米通道栅格；
电气隔离板；
底板；以及
多个第一底部孔口，其中所述多个第一底部孔口形成于所述电气隔离板和所述底板中，
其中施加到所述第一门控纳米通道栅格的所述电压确定所述第一门控纳米通道栅格是否准许所述第一气态前体穿过所述多个第一底部孔口。
2.根据权利要求1所述的气体分配装置，还包括：
第二增压室，第二气态前体流过所述第二增压室；
第二门控纳米通道栅格；
第二电压源，所述第二电压源配置成将电压施加到所述第二门控纳米通道栅格；以及
多个第二底部孔口，所述第二气态前体流过所述多个第二底部孔口，
其中施加到所述第二门控纳米通道栅格的所述电压确定所述第二门控纳米通道栅格是否准许所述第二气态前体穿过所述多个第二底部孔口。
3.根据权利要求1所述的气体分配装置，其中所述第一门控纳米通道栅格始终准许非极性气体穿过到所述多个第一底部孔口。
4.根据权利要求2所述的气体分配装置，其中所述第二门控纳米通道栅格始终准许非极性气体穿过到所述多个第二底部孔口。
5.根据权利要求1所述的气体分配装置，其中施加到所述第一门控纳米通道栅格的所述第一电压确定非极性气体是否穿过到所述多个第一底部孔口。
6.根据权利要求2所述的气体分配装置，其中施加到所述第二门控纳米通道栅格的所述第二电压确定非极性气体是否穿过到所述多个第二底部孔口。
7.根据权利要求1所述的气体分配装置，其中所述第一门控纳米通道栅格包括以下中的至少一个：介孔氧化铝、介孔二氧化硅或碳纳米管。
8.根据权利要求2所述的气体分配装置，其中所述第二门控纳米通道栅格包括以下中的至少一个：介孔氧化铝、介孔二氧化硅或碳纳米管。
9.一种用于在半导体晶片上沉积膜的设备，包含：
反应室；
第一气体源，所述第一气体源构造成提供第一气态前体；
配置成保持半导体晶片的晶片保持器；以及
气体分配装置，所述气体分配装置构造成在所述半导体晶片上分配所述第一气态前体，所述气体分配装置包括：
顶板，所述顶板至少具有所述第一气态前体流过的第一顶部孔口；
设置在所述顶板下方的第一增压室；
第一门控纳米通道栅格；
第一电压源，所述第一电压源配置成将电压施加到所述第一门控纳米通道栅格；
电气隔离板；
底板；以及
多个第一底部孔口，其中所述多个第一底部孔口形成于所述电气隔离板和所述底板中，
其中施加到所述第一门控纳米通道栅格的所述电压确定所述第一门控纳米通道栅格是否准许所述第一气态前体穿过所述多个第一底部孔口。
10.根据权利要求9所述的设备，其中所述气体分配装置还包括：
第二增压室，第二气态前体流过所述第二增压室；
第二门控纳米通道栅格；
第二电压源，所述第二电压源配置成将电压施加到所述第二门控纳米通道栅格；以及
多个第二底部孔口，所述第二气态前体流过所述多个第二底部孔口，
其中施加到所述第二门控纳米通道栅格的所述电压确定所述第二门控纳米通道栅格是否准许所述第二气态前体穿过所述多个第二底部孔口。
11.根据权利要求9所述的设备，其中所述第一门控纳米通道栅格始终准许非极性气体穿过到所述多个第一底部孔口。
12.根据权利要求10所述的设备，其中所述第二门控纳米通道栅格始终准许非极性气体穿过到所述多个第二底部孔口。
13.根据权利要求9所述的设备，其中施加到所述第一门控纳米通道栅格的所述第一电压确定非极性气体是否穿过到所述多个第一底部孔口。
14.根据权利要求10所述的设备，其中施加到所述第二门控纳米通道栅格的所述第二电压确定非极性气体是否穿过到所述多个第二底部孔口。
15.根据权利要求9所述的设备，其中所述第一门控纳米通道栅格包括以下中的至少一个：介孔氧化铝、介孔二氧化硅或碳纳米管。
16.根据权利要求10所述的设备，其中所述第二门控纳米通道栅格包括以下中的至少一个：介孔氧化铝、介孔二氧化硅或碳纳米管。